规范
NPN硅锗RF晶体管
SOT223
THN6601B
以毫米单位
□
应用
- UHF和VHF宽频带放大器
6.5
3.0
4
□
特点
- 高增益带宽积
f
T
= 7 GHz的
- 高功率增益
|S
21
|
2
= 7分贝@ V
CE
= 5 V，I
C
= 100 mA时， F = 1 GHz的
- 高功率
P
OUT
= 32 dBm的（ 1.5 W） @ V
CE
= 6 V，I
CQ
= 5毫安， F = 465 MHz的
1
2.3
0.7
4.6
3.5
7.0
2
3
引脚配置
1.发射器
2.基
3.辐射源
4.收集
□
绝对最大额定值
(T
A
= 25
℃)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
评级
20
12
3
500
1.5
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
mA
W
℃
℃
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第1页7
1.0版
规范
□
热特性
符号
R
th
-S
参数
热阻结
到焊接点
条件
P
合计
= 1.5瓦;牛逼
S
= 60
℃;
注1
THN6601B
价值
55
单位
K / W
注1中。T
S
是在集电针的焊接点的温度。
□
电气特性
(T
A
= 25
℃)
参数
集电极截止电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
I
EBO
h
FE
f
T
测试条件
V
CB
= 19 V，I
E
= 0毫安
V
CE
= 12 V，I
B
= 0毫安
V
EB
= 1.5 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 100毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 100毫安
V
CE
= 7 V，I
C
= 100毫安
最大可用增益
MAG
V
CE
= 5 V，I
C
= 100 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 7 V，I
C
= 100 mA时， F = 1 GHz的
插入功率增益
|S
21
|
2
V
CE
= 5 V，I
C
= 100 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 7 V，I
C
= 100 mA时， F = 1 GHz的
反向传输电容
C
re
V
CB
= 6 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
50
4
5
8
9
5
5
6
7.0
11
12
7
7
1.9
分钟。
典型值。
马克斯。
0.5
10
0.5
300
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
pF
单位
□
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
R1601
50 - 200
R1601
·
170 - 300
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第2 7
1.0版
规范
□
典型特征（T
A
= 25
℃
除非另有规定编）
功耗
- 环境温度
反向传输电容，C
re
（PF ）
2.0
4.0
3.5
3.0
THN6601B
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
集电极耗散功率，P
合计
(W)
1.5
1.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0
2
4
6
8
10
0.5
0.0
0
25
50
75
100
o
125
150
环境温度，T
A
( C)
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
直流电流增益
与集电极电流
160
140
直流电流增益，H
FE
120
100
80
60
40
V
CE
= 5 V
集电极电流
与基地发射极电压
30
集电极电流，I
C
（MA ）
V
CE
= 5 V
25
20
15
10
5
20
0
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
集电极电流，I
C
(A)
基地发射极电压，V
BE
(V)
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1.0版
规范
THN6601B
集电极电流
与集电极到发射极电压
0.7
0.6
集电极电流，I
C
(A)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
B
步= 1.8微米的
增益带宽积
与集电极电流
10
V
CE
= 5 V
V
CE
= 7 V
8
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
6
4
2
0
10
100
1000
集电极EM伊特尔电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
插入功率增益
与集电极电流
12
20
最大可用增益
与集电极电流
最大可用增益， MAG （分贝）
插入功率增益| S
21
| （ dB）的
10
8
6
4
2
0
10
V
CE
= 5 V
V
CE
= 7 V
F = 1 GHz的
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10
V
CE
= 5 V
V
CE
= 7 V
F = 1 GHz的
2
100
1000
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
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第4 7
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□
应用信息
射频性能在T
S
≤
60
℃
在共发射极配置
操作模式
CW ， AB类
F（兆赫）
465
V
CE
(V)
6
P
OUT
（ dBm的）
30
THN6601B
G
P
（ dB）的
≥
11
η
C
(%)
56
输出功率和功率增益
随输入功率
40
35
输出功率P
OUT
（ dBm的）
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
P
OUT
8
6
4
2
0
30
G
P
F = 465兆赫，V
CE
= 6 V，I
CQ
= 5毫安
功率增益或集热效率
与输出功率
18
16
14
功率增益，G
P
（ dB）的
20
18
16
功率增益，G
P
（ dB）的
14
12
10
8
6
4
2
0
10
15
20
25
30
η
C
F = 465兆赫，V
CE
= 6 V，I
CQ
= 4毫安
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
35
集热效率，
η
C
(%)
G
P
12
10
输入功率， P
IN
（ dBm的）
输出功率P
OUT
（ dBm的）
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