TPD4E002
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SLVS615D - 2006年7月 - 修订2010年6月
QUAD低电容，提供± 15 kV ESD保护阵列
检查样品：
TPD4E002
1
特点
4个单向电压抑制
二极管的ESD保护应用
I / O击穿电压，V
BR
= 6.1 V MIN
低I / O电容（ 11 pF的0 V）
低I / O漏电流<100 nA的
2.5 A峰值脉冲电流（8/ 20毫秒脉冲）
无电源路由是必需的，因为
没有V
DD
针
非常小的印刷电路板（ PCB）面积
<2.6毫米
2
ESD保护超过
- ± 15 kV的人体模型（ HBM ）
- ± 15千伏IEC 61000-4-2接触放电
应用
在瞬间过电压保护
ESD敏感设备是必需的，这样的
如：
计算机
打印机
- 通信系统与蜂窝
手机
- 视频设备
好处
高ESD保护水平
高集成度
适用于高密度板
DRL包装
（ TOP VIEW ）
IO1
1
GND
2
IO2
3
4
IO3
5
IO4
描述/订购信息
该TPD4E002是一种单片阵列旨在保护多达四线对ESD瞬变。单片
电路设计可以使渠道和降低串扰的优越配套。该器件非常适用于
应用中，两个降低线路电容和电路板节省空间是必需的。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
(1)
(2)
1.6 × 1.6 DRL
包
(1)
订购型号
TPD4E002DRLR
TPD4E002DRL2
(2)
顶部端标记
28S
4000卷
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
该TPD4E002DRL2是完全相同的设备作为TPD4E002DRL 。这种特殊的订购提供的设备180度大转变
定位在所述带盘相对于所述带盘的TI标准的DRL包取向。是指在磁带和卷轴信息部分
此数据表上的方位信息的详情结束。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006-2010 ，德州仪器
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绝对最大额定值
民
V
PP
T
J
T
英镑
T
op
ESD放电
结温
存储温度范围
工作温度范围
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
t
p
= 8/20 s
t
p
= 8/20 s
–55
–40
人体模型（ HBM ）
IEC 61000-4-2接触放电
最大
±15
±15
125
150
125
35
2.5
单位
kV
°C
°C
°C
W
A
热阻
参数
R
qJA
结到环境上推荐的焊盘布局印刷电路
价值
220
单位
° C / W
2
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电气特性
T
AMB
= 25°C
参数
V
BR
I
RM
aT
C
R
d
(1)
I / O击穿电压
I / O漏电流
电压温度系数
I / O电容，每行
动态电阻
(1)
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3 V
45
11
2
测试条件
民
6.1
典型值
最大
7.2
0.1
单位
V
mA
10
–4
/°C
pF
R
d
反向击穿的条件与范围内的浪涌电流下测得的1安培采用脉冲技术
典型特征
12.0
11.5
电容（pF）
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
–40
0
25
70
85
125
温度（℃ ）
图1. I / O容量与温度
12.0
11.5
电容（pF）
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（MHz）
图2. I / O电容与频率（典型值）
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3
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典型特性（续）
–110.0
–100.0
–90.0
–80.0
–70.0
–60.0
–50.0
–40.0
–30.0
–20.0
I
IN
（MA ）
–10.0
0.00
10.0
20.0
30.0
40.0
50.0
60.0
70.0
80.0
90.0
100.0
110.0
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0 500m
0 –500m –1.0 –1.5
V
IN
(V)
图3.二极管电流在整个I / O电压（典型值）
电压（ 20 V / DIV ）
时间（ 50 ns /格）
图4. ESD钳位电压I / O引脚： IEC6100-4-2 15 kV接触放电
4
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典型特性（续）
3.0
2.5
2.0
IPP （ A）
30
25
20
15
10
功率（W）的
5
0
0
5
10
15
20
25 30 35
时间（
s)
40
45
50
的ppp （W）的
电流（A ）
1.5
1.0
0.5
0.0
图5.脉冲波形（ 8/20 μs的脉冲）
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TPD4E002
四路低电容阵列
同
±15-kV
ESD保护
SLVS615B - 2006年7月 - 修订2007年3月
特点
4个单向电压抑制
二极管的ESD保护应用
I / O击穿电压，V
BR
= 6.1 V MIN
低I / O电容（ 11 pF的0 V）
低I / O漏电流<100 nA的
无电源路由是必需的，因为
没有V
DD
针
非常小的印刷电路板（ PCB）面积
<2.6毫米
2
ESD保护超过
–
±15-kV
人体模型（ HBM ）
–
±15-kV
IEC 61000-4-2接触放电
应用
在瞬间过电压保护
ESD敏感设备是必需的，这样的
如：
计算机
打印机
- 通信系统与蜂窝
手机
- 视频设备
好处
高ESD保护水平
高集成度
适用于高密度板
DRL包装
（ TOP VIEW ）
IO1
1
GND
2
IO2
3
4
IO3
5
IO4
描述/订购信息
该TPD4E002是一种单片阵列旨在保护多达四线对ESD瞬变。单片
电路设计可以使渠道和降低串扰的优越配套。该器件非常适用于
应用中，两个降低线路电容和电路板节省空间是必需的。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
(1)
1.6
×
1.6 DRL
包
(1)
4000卷
订购型号
TPD4E002DRLR
顶部端标记
28S
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
民
V
PP
T
J
T
英镑
T
op
ESD放电
结温
存储温度范围
工作温度范围
–55
–40
人体模型（ HBM ）
IEC 61000-4-2接触放电
最大
±15
±15
125
150
125
单位
kV
°C
°C
°C
热阻
参数
R
θJA
结到环境上推荐的焊盘布局印刷电路
价值
220
单位
° C / W
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2006-2007 ，德州仪器
TPD4E002
四路低电容阵列
同
±15-kV
ESD保护
SLVS615B - 2006年7月 - 修订2007年3月
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电气特性
T
AMB
= 25°C
参数
V
BR
I
RM
αT
C
R
d
(1)
I / O击穿电压
I / O漏电流
电压温度系数
I / O电容，每行
动态电阻
(1)
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3 V
45
11
2
测试条件
民
6.1
典型值
最大
7.2
0.1
单位
V
A
10
–4
/°C
pF
R
d
反向击穿的条件与范围内的浪涌电流下测得的1安培采用脉冲技术
典型特征
12.0
11.5
电容（pF）
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
–40
0
25
70
85
125
温度（℃ ）
图1. I / O容量与温度
12.0
11.5
电容（pF）
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率（MHz）
图2. I / O电容与频率（典型值）
2
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TPD4E002
四路低电容阵列
同
±15-kV
ESD保护
SLVS615B - 2006年7月 - 修订2007年3月
典型特性（续）
–110.0
–100.0
–90.0
–80.0
–70.0
–60.0
–50.0
–40.0
–30.0
–20.0
I
IN
（MA ）
–10.0
0.00
10.0
20.0
30.0
40.0
50.0
60.0
70.0
80.0
90.0
100.0
110.0
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0 500m
0 –500m –1.0 –1.5
V
IN
(V)
图3.二极管电流在整个I / O电压（典型值）
电压（ 20 V / DIV ）
时间（ 50 ns /格）
图4. ESD钳位电压I / O引脚： IEC6100-4-2 15 kV接触放电
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封装选项附录
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17-May-2007
包装信息
订购设备
TPD4E002DRLR
TPD4E002DRLRG4
(1)
状态
(1)
活跃
活跃
包
TYPE
SOT-553
SOT-553
包
制图
DRL
DRL
引脚封装环保计划
(2)
数量
5
5
4000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
4000绿色环保（RoHS &
无锑/溴）
铅/焊球涂层
CU镍钯金
CU镍钯金
MSL峰值温度
(3)
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
营销状态值的定义如下：
ACTIVE ：
建议用于新设计产品的设备。
LIFEBUY ：
德州仪器日前宣布，该设备将停止，并且终身购买期间生效。
NRND ：
不建议用于新设计。设备是生产以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
新的设计。
预览：
设备已宣告但尚未投入生产。样品可以是或可以不是可用的。
已过时：
TI已经停止生产该设备的。
(2)
环保计划 - 该计划的环保分级：无铅（符合RoHS ） ，无铅（ RoHS豁免）或绿色环保（RoHS &无Sb / Br） - 请检查
http://www.ti.com/productcontent
获得最新供货信息和附加产品目录明细。
TBD ：
无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅（ RoHS指令） ：
TI的条款"Lead - Free"或"Pb - Free"意味着与当前RoHS要求的半导体产品
对于所有6种物质，其中包括铅的重量不超过均质材料0.1 ％的要求。其中，设计成被焊接
在高温下， TI无铅产品适用于特定的无铅工艺。
无铅（ RoHS豁免） ：
该组件符合RoHS豁免要么1 ）铅基模之间采用倒装芯片焊料凸点
包，或2）基于铅的管芯和引线框架之间使用裸片粘合剂。该组件，否则视为无铅（ RoHS指令
尺寸）的定义同上。
绿色环保（RoHS &无锑/溴） ：
TI定义"Green"意味着无铅（符合RoHS标准） ，无溴（ Br）和锑（Sb ）的火焰
阻燃剂（溴或锑不均质材料重量超过0.1 ％ ）
(3)
MSL ，峰值温度。 - 根据JEDEC行业标准分类的湿度敏感等级评级，并将峰值焊接
温度。
重要信息及免责声明：
本页提供的信息代表了TI的知识和信念，这是日期
提供的。 TI基于其上由第三方提供的信息，知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。正在努力更好地整合来自第三方的信息。 TI已经采取并将继续采取
合理步骤，以提供有代表性的，准确的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析
传入的材料和化学品。 TI及其供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码和其他有限
信息可能不提供用于释放。
在任何情况下，所产生的这种信息TI的责任超过了TI的部分（ S）的总购买价格问题由TI出售本文档中
为客户在年度基础上。
附录1页
QQ：2880707522 复制
