【TAS5614Awww.ti.comSLAS712B–2010年6月–修订2011年3月150W立体】,IC型号TAS5614ADKDR,TAS5614ADKDR PDF资料,TAS5614ADKDR经销商,ic,电子元器件-51电子网

TAS5614A

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SLAS712B

–

2010年6月

–

修订2011年3月

150W立体声/单声道300W的PurePath HD数字输入功率级

检查样品：

TAS5614A

1

特点

的PurePath HD启用了集成反馈

规定：

–

信号带宽高达80kHz的高

频率内容从高清片源

–

超低0.03 ％THD在1W到4Ω

–

超低0.01 ％的THD 1W ，8Ω负载。

–

平THD在所有频率自然

声音

–

80dB的PSRR （ BTL ，无输入信号）

- >100分贝

（ A计权）信噪比

–

咔嗒免费启动

引脚与TAS5631 ， TAS5616兼容

TAS5612

可能在同一多种配置

PCB带馅的选项：

–

并联单声道桥接负载（ PBTL ）

–

立体声桥接负载（BTL ）

–

2.1单端立体声对和桥

连接负载低音炮

10 ％ THD + N总输出功率

–

300W单声道PBTL配置

–

在立体声BTL每通道150W

CON组fi guration

在BTL配置的总输出功率

1%THD+N

–

160W立体声为3Ω

–

125W立体声为4Ω

–

85W立体声为6Ω

–

65W立体声到8Ω

>90%

高效的功率级采用60毫欧

输出MOSFET

自保护设计（包括

欠压，过热，削波和

短路保护）错误报告

EMI符合当同时使用

推荐系统的设计

两个热增强型封装选项：

–

PHD （ 64引脚QFP ）

–

DKD （ 44引脚PSOP3 ）

应用

23

家庭影院系统

AV接收器

DVD /蓝光接收器

迷你组合系统

有源音箱和低音扩音器

描述

该TAS5614A是一款高性能的数字输入

D类放大器，集成闭环

反馈技术（俗称的PurePath HD）与

能够驱动多达150W的能力

(1)

立体声成48

音箱由一个单一的36V电源。

的PurePath HD技术使传统

AB放大器的性能（ <0.03 ％THD ），而水平

提供传统的D类的功率效率

放大器器。

不同于传统的D类放大器，失真

曲线只增加一次，输出电平进入

剪裁。

的PurePath HD电源PAD

的PurePath HD技术可实现更低的闲置亏损

使得设备更加高效。

总谐波失真+噪声

VS

输出功率

10

4欧姆（ 6kHz的）

4欧姆（ 1kHz时）

THD + N - 总谐波失真 - ％

TAL

1

0,1

0,01

TC = 75℃

CONFIG = BTL

0,001

0,01

1

P

O

- 输出功率 - 含

100

(1)

可实现的输出功率电平是依赖于热

目标应用程序的配置。高性能

露出的包之间的热界面材料

heatslug和热沉应该用于实现高

输出功率电平。

1

2

3

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

的PurePath ，电力PAD是德州仪器的商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

版权

2010-2011年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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2010年6月

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修订2011年3月

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

设备信息

端子分配

两包类型包含位于该装置的顶侧，以方便热一热片

耦合至热沉。

PHD包装

（ TOP VIEW ）

VDD

PSU_REF

NC

GND

GVDD_B

GVDD_A

BST_A

OUT_A

PVDD_A

GND_A

DKD套餐

（ TOP VIEW ）

PIN一个位置PHD包装

电针1

引脚1标记

白点

2

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OTW2

夹

准备

M1

M2

M3

GND

GVDD_C

GVDD_D

BST_D

OUT_D

PVDD_D

GND_D

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

OC_ADJ

RESET

C_STARTUP

INPUT_A

INPUT_B

VI_CM

GND

AGND

VREG

INPUT_C

INPUT_D

TEST

NC

SD

OTW1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

64引脚QFP封装

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

GND_A

GND_B

OUT_B

PVDD_B

BST_B

BST_C

PVDD_C

OUT_C

GND_C

_

GND_D

PSU_REF

VDD

OC_ADJ

RESET

C_STARTUP

INPUT_A

INPUT_B

VI_CM

GND

AGND

VREG

INPUT_C

INPUT_D

TEST

NC

SD

OTW

准备

M1

M2

M3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44引脚封装

（ TOP VIEW ）

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

GVDD_AB

BST_A

PVDD_A

OUT_A

GND_A

GND_B

OUT_B

PVDD_B

BST_B

BST_C

PVDD_C

OUT_C

GND_C

GND_D

OUT_D

PVDD_D

BST_D

GVDD_CD

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

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模式选择引脚

模式引脚

M3

0

1

(1)

(2)

M2

0

1

0

1

M1

0

1

0

1

0

1

0

1

PWM输入

(1)

2N

—

2N

1N

2N

1N

产量

CON组fi guration

2

×

BTL

—

2

×

BTL

1

×

BTL 2

иse

4

×

SE

1

×

PBTL

AD模式

BD模式

AD模式

INPUT_C

(2)

0

1

INPUT_D

(2)

0

AD模式

BD模式

描述

在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定模式的PWM行至每个信道的功率级的数目。

INPUT_C和D用于AD和BD模式操作中PBTL模式的子集之间进行选择

封装的热耗散额定值

(1)

参数

R

θJC

（ ° C / W）

–

2 BTL或SE 4通道

R

θJC

（ ° C / W）

–

1 BTL或2 SE的信道（多个）

R

θJC

（ ° C / W）

–

1 SE通道

垫区

(1)

(2)

TAS5614APHD

3.2

5.4

7.9

64mm

2

TAS5614ADKD

2.1

3.5

5.1

80mm

2

J

C

是结到外壳，C

H

区分到散热器

R

θch

是一个重要的考虑因素。假定导热油脂的2密耳厚度为2.5 W之间的热导率/ mK的

垫区和散热片和两个通道的活性。第r

θch

这个条件对于PHD包和0.44 ° C / W 1.1 ° C / W

在DKD包。

表1.订购信息

(1)

T

A

0°C–70°C

(1)

包

TAS5614APHD

TAS5614ADKD

描述

64引脚HTQFP

44针PSOP3

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

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绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明

TAS5614A

VDD到GND

GVDD到GND

PVDD_X到GND_X

(2)

OUT_X到GND_X

(2)

(1)

单位

–0.3

至13.2

–0.3

至13.2

–0.3

53

–0.3

53

–0.3

66.2

–0.3

53

–0.3

4.2

–0.3

0.3

–0.3

0.3

–0.3

4.2

–0.3

7到

–0.3

7到

9

0至150

–40

150

V

mA

°C

kV

V

BST_X到GND_X

(2)

BST_X到GVDD_X

VREG到GND

GND_X到GND

GND到AGND

OC_ADJ ，M1， M2，M3， OSC_IO + OSC_IO- ， FREQ_ADJ ， VI_CM ， C_STARTUP ， PSU_REF

到GND

INPUT_X

RESET ， SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，准备GND

最大连续灌电流（SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，就绪）

最大工作结温范围，T

J

贮藏温度，T

英镑

静电放电

(1)

(2)

(3)

人体模型

(3)

(2)

（所有引脚）

±2

±500

带电器件模型

(3)

（所有引脚）

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。

未能在制造过程中遵循良好的防静电ESD处理和返工，将有助于设备故障。确保

运营商处理装置通过使用接地母线或替代ESD保护的充分接地。

推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

闽喃

PVDD_x

GVDD_X

VDD

R

L

（ BTL ）

R

L

（ SE ）

R

L

（ PBTL ）

R

L

（ BTL ）

L

产量

（ BTL ）

L

产量

（ SE ）

L

产量

（ PBTL ）

F

PWM

C

PVDD

R

OC

R

OC_LATCHED

T

J

PWM帧率

PVDD接近去耦电容

过电流编程电阻

结温

电阻容差= 5 ％

22

47

0

输出滤波电感

最小输出电感的我

OC

负载阻抗

根据在图表输出滤波器

应用信息部分。

OC

=

22KΩ ，从OUT_X添加肖特基二极管

到GND_X 。

负载阻抗

根据在图表输出滤波器

应用信息部分。

半桥电源

供应逻辑稳压器和栅极驱动器

电路

数字式稳压电源电压

直流电源电压

18

10.8

3.5

2.8

1.6

2.8

7

352

36

12

4

3

2

3

10

15

10

384

2

30

64

125

500

千赫

μF

kΩ

°C

μH

Ω

最大

38

13.2

单位

V

4

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引脚功能

针

名字

AGND

BST_A

BST_B

BST_C

BST_D

夹

C_STARTUP

TEST

GND

GND_A

GND_B

GND_C

GND_D

GVDD_A

GVDD_B

GVDD_C

GVDD_D

GVDD_AB

GVDD_CD

INPUT_A

INPUT_B

INPUT_C

INPUT_D

M1

M2

M3

NC

OC_ADJ

OTW

OTW1

OTW2

OUT_A

OUT_B

OUT_C

OUT_D

PSU_REF

PVDD_A

PVDD_B

PVDD_C

PVDD_D

准备

RESET

SD

VDD

VI_CM

PHD NO 。

8

54

41

40

27

18

3

12

7, 23, 24, 57, 58

48, 49

46, 47

34, 35

32, 33

55

56

25

26

—

4

5

10

11

20

21

22

59–62

13, 14

1

—

16

17

52, 53

44, 45

36, 37

28, 29

63

50, 51

42, 43

38, 39

30, 31

19

2

15

64

6

DKD NO 。

10

43

34

33

24

—

5

14

9

38

37

30

29

—

44

23

6

7

12

13

20

21

22

–

15, 16

3

18

—

39, 40

36

31

27, 28

1

41, 42

35

32

25, 26

19

4

17

2

8

功能

(1)

P

O

I

P

I

—

O

P

O

I

O

P

O

模拟地

HS自举电源（ BST ），外接0.033μF电容OUT_A要求。

以OUT_B需要HS自举电源（ BST ），外部0.033μF电容。

以OUT_C需要HS自举电源（ BST ），外部0.033μF电容。

以OUT_D需要HS自举电源（ BST ），外部0.033μF电容。

裁剪警告;漏极开路;低电平有效

启动斜坡需要4.7nF的充电电容到地

连接到VREG节点

地

电源地为半桥一个

电源地为半桥B

电源地为半桥

电源地的半桥式D

栅极驱动电压供电需要0.1μF的电容到GND

栅极驱动电压供电要求0.22μF电容到GND

输入信号为半桥一个

输入信号为半桥B

输入信号为半桥

输入信号的半桥式D

模式选择

无连接，引脚可接地。

模拟过电流编程引脚要求接地电阻。

超温预警信号，漏极开路，低电平有效。

输出，半桥一个

输出，半桥B

输出，半桥

输出，半桥式D

PSU参考，需要4.7μF至GND接近去耦

对于半桥电源输入端A需要2μF电容关闭脱钩

GND_A

对于半桥电源输入B需要2μF电容关闭脱钩

GND_B

对于半桥电源输入C要求2μF电容关闭脱钩

GND_C

对于半桥电源输入端D需要2μF电容关闭脱钩

GND_D

正常运行;漏极开路;高电平有效

器件复位输入;低电平有效

关机信号，漏极开路，低电平有效

电源的数字电压调节器需要一个47μF的电容并联一个

0.1μF的电容到地去耦。

模拟比较器的参考节点需要4.7μF至GND接近去耦

描述

(1)

I =输入， O =输出， P =电源

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