TPD4E002
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SLVS615D - 2006年7月 - 修订2010年6月
QUAD低电容,提供± 15 kV ESD保护阵列
检查样品:
TPD4E002
1
特点
4个单向电压抑制
二极管的ESD保护应用
I / O击穿电压,V
BR
= 6.1 V MIN
低I / O电容( 11 pF的0 V)
低I / O漏电流<100 nA的
2.5 A峰值脉冲电流(8/ 20毫秒脉冲)
无电源路由是必需的,因为
没有V
DD
针
非常小的印刷电路板( PCB)面积
<2.6毫米
2
ESD保护超过
- ± 15 kV的人体模型( HBM )
- ± 15千伏IEC 61000-4-2接触放电
应用
在瞬间过电压保护
ESD敏感设备是必需的,这样的
如:
计算机
打印机
- 通信系统与蜂窝
手机
- 视频设备
好处
高ESD保护水平
高集成度
适用于高密度板
DRL包装
( TOP VIEW )
IO1
1
GND
2
IO2
3
4
IO3
5
IO4
描述/订购信息
该TPD4E002是一种单片阵列旨在保护多达四线对ESD瞬变。单片
电路设计可以使渠道和降低串扰的优越配套。该器件非常适用于
应用中,两个降低线路电容和电路板节省空间是必需的。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
(1)
(2)
1.6 × 1.6 DRL
包
(1)
订购型号
TPD4E002DRLR
TPD4E002DRL2
(2)
顶部端标记
28S
4000卷
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
该TPD4E002DRL2是完全相同的设备作为TPD4E002DRL 。这种特殊的订购提供的设备180度大转变
定位在所述带盘相对于所述带盘的TI标准的DRL包取向。是指在磁带和卷轴信息部分
此数据表上的方位信息的详情结束。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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绝对最大额定值
民
V
PP
T
J
T
英镑
T
op
ESD放电
结温
存储温度范围
工作温度范围
峰值脉冲功率
峰值脉冲电流
t
p
= 8/20 s
t
p
= 8/20 s
–55
–40
人体模型( HBM )
IEC 61000-4-2接触放电
最大
±15
±15
125
150
125
35
2.5
单位
kV
°C
°C
°C
W
A
热阻
参数
R
qJA
结到环境上推荐的焊盘布局印刷电路
价值
220
单位
° C / W
2
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电气特性
T
AMB
= 25°C
参数
V
BR
I
RM
aT
C
R
d
(1)
I / O击穿电压
I / O漏电流
电压温度系数
I / O电容,每行
动态电阻
(1)
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3 V
45
11
2
测试条件
民
6.1
典型值
最大
7.2
0.1
单位
V
mA
10
–4
/°C
pF
R
d
反向击穿的条件与范围内的浪涌电流下测得的1安培采用脉冲技术
典型特征
12.0
11.5
电容(pF)
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
–40
0
25
70
85
125
温度(℃ )
图1. I / O容量与温度
12.0
11.5
电容(pF)
11.0
10.5
10.0
9.5
9.0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
频率(MHz)
图2. I / O电容与频率(典型值)
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典型特性(续)
–110.0
–100.0
–90.0
–80.0
–70.0
–60.0
–50.0
–40.0
–30.0
–20.0
I
IN
(MA )
–10.0
0.00
10.0
20.0
30.0
40.0
50.0
60.0
70.0
80.0
90.0
100.0
110.0
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0 500m
0 –500m –1.0 –1.5
V
IN
(V)
图3.二极管电流在整个I / O电压(典型值)
电压( 20 V / DIV )
时间( 50 ns /格)
图4. ESD钳位电压I / O引脚: IEC6100-4-2 15 kV接触放电
4
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典型特性(续)
3.0
2.5
2.0
IPP ( A)
30
25
20
15
10
功率(W)的
5
0
0
5
10
15
20
25 30 35
时间(
s)
40
45
50
的ppp (W)的
电流(A )
1.5
1.0
0.5
0.0
图5.脉冲波形( 8/20 μs的脉冲)
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