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微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM0910-4
技术参数
特点
高功率
P1dB为36.5dBm =在9.5GHz到10.5GHz
高增益
G1dB = 7.5分贝在9.5GHz到10.5GHz
密封包装
宽带内部匹配FET
RF性能规格
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
功率附加效率
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS
（ TA = 25
°
C )
单位
DBM
dB
A
%
°
C
分钟。
35.5
6.5
典型值。马克斯。
36.5
7.5
1.7
24
2.2
70
条件
VDS = 9V
F = 9.5 10.5GHz
η
添加
ΔTch
（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
推荐的栅极电阻（RG） ： RG = 150
Ω
（ MAX 。 ）
电气特性
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
（ TA = 25
°
C )
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-2.0
-5
典型值。
1200
-3.5
4.0
2.9
马克斯。
-5.0
3.5
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 2.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 60毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -60μA
渠道情况
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年9月
TIM0910-4
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
储存温度
（ TA = 25
°
C )
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
5.2
42.8
175
-65到+175
包装外形（ 2-9D1B ）
单位：mm
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
TIM0910-4
射频性能
输出功率（噘）与频率的关系
V
DS
=9V
I
DS
1.7A
Pin=29.0dBm
的Pout （ dBm的）
37
36
35
34
33
9.4
9.8
10.2
10.6
频率（GHz ）
输出功率（噘）与输入功率（PIN）
39
freq.=10.5GHz
38
37
36
V
DS
=9V
I
DS
1.7A
70
60
50
40
30
的Pout （ dBm的）
噘
34
33
32
31
30
22
24
26
28
30
ηadd
20
10
0
PIN （ DBM）
3
ηadd （％）
35
TIM0910-4
功耗（ PT ）与外壳温度（TC ）
50
PT （W）的
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
200
TC （
°
C )
4
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推荐型号
TD62383
TPS62290_08
TK6592X
TDA9965AHL
TPS3305-18DGN
TPS79733DCKR
TL16C552AFN
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TPD4E002DRL2
TSD-1144
TL061CPE4
TS942BIDT
TL1100EF160RGRY
TLC1543CN
TMX320LF2403APAGA
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