TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
在0402封装的单通道ESD保护器件
检查样品：
TPD1E10B06
1
特点
提供系统级ESD保护
低电压IO接口
IEC 61000-4-2第4级
- > ± 30kV的（气隙放电） ，
- > ± 30kV的（接触放电）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ： 6A （ 8 / 20μS ）
IO电容为12pF （典型值）
R
DYN
0.4Ω （典型值）
直流击穿电压± 6V （最小值）
超低漏电流为100nA （最大值）
10V钳位电压（最大值为我
PP
= 1A)
工业级温度范围： -40 ° C至125°C
节省空间的0402足迹
（高度仅1mm X 0.6毫米X 0.5mm）的
应用
手机
电子书
便携式媒体播放器
数码相机
机上盒
打印机
手持式电子产品
设备CON组fi guration
描述
该TPD1E10B06是在一个小0402封装的单个信道的ESD保护器件。该器件提供了
± 30KV的IEC气隙，超过± 30KV接触ESD保护，并且具有ESD钳位电路具有背到背二极管
对于双极性或双向信号支持。 10pF的电容线是适合于广泛的应用范围
支持高达400Mbps的数据传输速率。在TPD1E10B06的典型应用领域包括音频线
USB的（话筒，耳机和扬声器） ， SD接口，键盘或其他按钮和VBUS引脚
端口（ ID）。
0402封装工业标准，便于节省空间的应用程序组件的位置。
该TPD1E10B06的特点是工作在-40 °C的环境温度为125°C 。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
(1)
(2)
包
10000
(1) (2)
订购型号
TPD1E10B06DPYR
顶部端标记
B_
磁带和卷轴
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
民
工作温度范围
储存温度
IEC 61000-4-2接触放电ESD
IEC 61000-4-2气隙静电放电
I
PP
P
PP
峰值脉冲电流（ TP = 8/20
μs)
峰值脉冲功率（ TP = 8/20
μs)
-40
–65
最大
125
155
> ± 30
> ± 30
6
90
单位
°C
°C
kV
kV
A
W
电气特性
参数
V
RWM
I
泄漏
VClamp1,2
VClamp2,1
R
DYN
C
IO
V
BR1,2
V
BR2,1
(1)
(2)
相反的立场-O FF电压
漏电流
钳位电压ESD冲击的脚1，脚2
接地。
钳位电压ESD冲击的2脚， 1脚
接地。
动态电阻
IO电容
击穿电压，引脚1到引脚2
击穿电压，引脚2到引脚1
测试条件
针1 2针或2比1
引脚1 = 5 V ，引脚2 = 0 V
I
PP
= 1 ， TP = 8/20
微秒
(1)
民
典型值
最大
5.5
100
10
14
8.5
14
单位
V
nA
V
V
Ω
pF
V
V
I
PP
= 5 A， TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 1 ， TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 5 A， TP = 8/20
微秒
引脚1到引脚2
(2)
引脚2到引脚1
V
IO
= 2.5 V
I
IO
= 1毫安
I
IO
= 1毫安
6
6
(2)
(1)
0.32
0.38
12
非重复性电流脉冲8/20美国指数根据IEC61000-4-5波形衰减
的R提取
动态
使用合适的我之间的TLP特点最小二乘
PP
= 10A和我
PP
= 20A.
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
典型特征
90
80
70
60
幅度 - V
50
TPD1E10B06DPY
40
30
20
10
0
-10
-15
0
15
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图1. IEC61000-4-2钳位电压+ 8kV接触静电放电
30
45
60
75
10
0
-10
-20
幅度 - V
-30
-40
-50
-60
TPD1E10B06DPY
-70
-80
-90
-15
0
15
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图2. IEC61000-4-2钳位电压-8KV联系ESD
30
45
60
75
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
3
TPD1E10B06
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
www.ti.com
典型特性（续）
30
27
24
21
电流 - 一个
18
15
12
9
6
3
0
0
TPD1E10B06DPY ，R
DYN
= 0.32
W
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 40
电压 - V
图3.传输线路脉冲（ TLP ）波形针脚1到2脚
30
27
24
21
电流 - 一个
18
15
12
9
6
3
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 40
电压 - V
TPD1E10B06DPY ，R
DYN
= 0.38
W
图4.传输线路脉冲（ TLP ）波形PIN2码中Pin1
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
典型特性（续）
1.0E–03
8.0E–04
6.0E–04
4.0E–04
电流 - 一个
2.0E–04
0.0E+00
–2.0E–04
–4.0E–04
–6.0E–04
–8.0E–04
–1.0E–03
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
电压 - V
4
6
8
10
图5. IV曲线
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
120
105
90
75
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
120
105
90
75
60
45
30
15
0
50
电流 - 一个
电流 - 一个
功率 - 含
A
W
60
45
30
15
0
50
A
W
图6.正向浪涌波形8/20微秒
22
20
18
16
图7.负浪涌波形8/20微秒
3
0
-3
-6
-9
电容 - pF的
亏损 - 分贝
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
BIAS
- V
3
3.5
4
4.5
5
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
-33
1.0E+05
1.0E+06
1.0E+07
1.0E+08
频率 - 赫兹
1.0E+09
1.0E+10
图8引脚电容跨V
BIAS
图9.插入损耗
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
功率 - 含
5
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
在0402封装的单通道ESD保护器件
检查样品：
TPD1E10B06
1
特点
提供系统级ESD保护
低电压IO接口
IEC 61000-4-2第4级
- > ± 30kV的（气隙放电） ，
- > ± 30kV的（接触放电）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ： 6A （ 8 / 20μS ）
IO电容为12pF （典型值）
R
DYN
0.4Ω （典型值）
直流击穿电压± 6V （最小值）
超低漏电流为100nA （最大值）
10V钳位电压（最大值为我
PP
= 1A)
工业级温度范围： -40 ° C至125°C
节省空间的0402足迹
（高度仅1mm X 0.6毫米X 0.5mm）的
应用
手机
电子书
便携式媒体播放器
数码相机
机上盒
打印机
手持式电子产品
设备CON组fi guration
描述
该TPD1E10B06是在一个小0402封装的单个信道的ESD保护器件。该器件提供了
± 30KV的IEC气隙，超过± 30KV接触ESD保护，并且具有ESD钳位电路具有背到背二极管
对于双极性或双向信号支持。 10pF的电容线是适合于广泛的应用范围
支持高达400Mbps的数据传输速率。在TPD1E10B06的典型应用领域包括音频线
USB的（话筒，耳机和扬声器） ， SD接口，键盘或其他按钮和VBUS引脚
端口（ ID）。
0402封装工业标准，便于节省空间的应用程序组件的位置。
该TPD1E10B06的特点是工作在-40 °C的环境温度为125°C 。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
(1)
(2)
包
10000
(1) (2)
订购型号
TPD1E10B06DPYR
顶部端标记
B_
磁带和卷轴
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
民
工作温度范围
储存温度
IEC 61000-4-2接触放电ESD
IEC 61000-4-2气隙静电放电
I
PP
P
PP
峰值脉冲电流（ TP = 8/20
μs)
峰值脉冲功率（ TP = 8/20
μs)
-40
–65
最大
125
155
> ± 30
> ± 30
6
90
单位
°C
°C
kV
kV
A
W
电气特性
参数
V
RWM
I
泄漏
VClamp1,2
VClamp2,1
R
DYN
C
IO
V
BR1,2
V
BR2,1
(1)
(2)
相反的立场-O FF电压
漏电流
钳位电压ESD冲击的脚1，脚2
接地。
钳位电压ESD冲击的2脚， 1脚
接地。
动态电阻
IO电容
击穿电压，引脚1到引脚2
击穿电压，引脚2到引脚1
测试条件
针1 2针或2比1
引脚1 = 5 V ，引脚2 = 0 V
I
PP
= 1 ， TP = 8/20
微秒
(1)
民
典型值
最大
5.5
100
10
14
8.5
14
单位
V
nA
V
V
Ω
pF
V
V
I
PP
= 5 A， TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 1 ， TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 5 A， TP = 8/20
微秒
引脚1到引脚2
(2)
引脚2到引脚1
V
IO
= 2.5 V
I
IO
= 1毫安
I
IO
= 1毫安
6
6
(2)
(1)
0.32
0.38
12
非重复性电流脉冲8/20美国指数根据IEC61000-4-5波形衰减
的R提取
动态
使用合适的我之间的TLP特点最小二乘
PP
= 10A和我
PP
= 20A.
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
典型特征
90
80
70
60
幅度 - V
50
TPD1E10B06DPY
40
30
20
10
0
-10
-15
0
15
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图1. IEC61000-4-2钳位电压+ 8kV接触静电放电
30
45
60
75
10
0
-10
-20
幅度 - V
-30
-40
-50
-60
TPD1E10B06DPY
-70
-80
-90
-15
0
15
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图2. IEC61000-4-2钳位电压-8KV联系ESD
30
45
60
75
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
3
TPD1E10B06
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
www.ti.com
典型特性（续）
30
27
24
21
电流 - 一个
18
15
12
9
6
3
0
0
TPD1E10B06DPY ，R
DYN
= 0.32
W
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 40
电压 - V
图3.传输线路脉冲（ TLP ）波形针脚1到2脚
30
27
24
21
电流 - 一个
18
15
12
9
6
3
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 40
电压 - V
TPD1E10B06DPY ，R
DYN
= 0.38
W
图4.传输线路脉冲（ TLP ）波形PIN2码中Pin1
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
典型特性（续）
1.0E–03
8.0E–04
6.0E–04
4.0E–04
电流 - 一个
2.0E–04
0.0E+00
–2.0E–04
–4.0E–04
–6.0E–04
–8.0E–04
–1.0E–03
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
电压 - V
4
6
8
10
图5. IV曲线
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
120
105
90
75
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
120
105
90
75
60
45
30
15
0
50
电流 - 一个
电流 - 一个
功率 - 含
A
W
60
45
30
15
0
50
A
W
图6.正向浪涌波形8/20微秒
22
20
18
16
图7.负浪涌波形8/20微秒
3
0
-3
-6
-9
电容 - pF的
亏损 - 分贝
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
BIAS
- V
3
3.5
4
4.5
5
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
-33
1.0E+05
1.0E+06
1.0E+07
1.0E+08
频率 - 赫兹
1.0E+09
1.0E+10
图8引脚电容跨V
BIAS
图9.插入损耗
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
功率 - 含
5
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
在0402封装的单通道ESD保护器件
检查样品：
TPD1E10B06
1
特点
提供系统级ESD保护
低电压IO接口
IEC 61000-4-2第4级
- > ± 30kV的（气隙放电） ，
- > ± 30kV的（接触放电）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ： 6A （ 8 / 20μS ）
IO电容为12pF （典型值）
R
DYN
0.4Ω （典型值）
直流击穿电压± 6V （最小值）
超低漏电流为100nA （最大值）
10V钳位电压（最大值为我
PP
= 1A)
工业级温度范围： -40 ° C至125°C
节省空间的0402足迹
（高度仅1mm X 0.6毫米X 0.5mm）的
应用
手机
电子书
便携式媒体播放器
数码相机
机上盒
打印机
手持式电子产品
设备CON组fi guration
描述
该TPD1E10B06是在一个小0402封装的单个信道的ESD保护器件。该器件提供了
± 30KV的IEC气隙，超过± 30KV接触ESD保护，并且具有ESD钳位电路具有背到背二极管
对于双极性或双向信号支持。 10pF的电容线是适合于广泛的应用范围
支持高达400Mbps的数据传输速率。在TPD1E10B06的典型应用领域包括音频线
USB的（话筒，耳机和扬声器） ， SD接口，键盘或其他按钮和VBUS引脚
端口（ ID）。
0402封装工业标准，便于节省空间的应用程序组件的位置。
该TPD1E10B06的特点是工作在-40 °C的环境温度为125°C 。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
(1)
(2)
包
10000
(1) (2)
订购型号
TPD1E10B06DPYR
顶部端标记
B_
磁带和卷轴
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
民
工作温度范围
储存温度
IEC 61000-4-2接触放电ESD
IEC 61000-4-2气隙静电放电
I
PP
P
PP
峰值脉冲电流（ TP = 8/20
μs)
峰值脉冲功率（ TP = 8/20
μs)
-40
–65
最大
125
155
> ± 30
> ± 30
6
90
单位
°C
°C
kV
kV
A
W
电气特性
参数
V
RWM
I
泄漏
VClamp1,2
VClamp2,1
R
DYN
C
IO
V
BR1,2
V
BR2,1
(1)
(2)
相反的立场-O FF电压
漏电流
钳位电压ESD冲击的脚1，脚2
接地。
钳位电压ESD冲击的2脚， 1脚
接地。
动态电阻
IO电容
击穿电压，引脚1到引脚2
击穿电压，引脚2到引脚1
测试条件
针1 2针或2比1
引脚1 = 5 V ，引脚2 = 0 V
I
PP
= 1 ， TP = 8/20
微秒
(1)
民
典型值
最大
5.5
100
10
14
8.5
14
单位
V
nA
V
V
Ω
pF
V
V
I
PP
= 5 A， TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 1 ， TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 5 A， TP = 8/20
微秒
引脚1到引脚2
(2)
引脚2到引脚1
V
IO
= 2.5 V
I
IO
= 1毫安
I
IO
= 1毫安
6
6
(2)
(1)
0.32
0.38
12
非重复性电流脉冲8/20美国指数根据IEC61000-4-5波形衰减
的R提取
动态
使用合适的我之间的TLP特点最小二乘
PP
= 10A和我
PP
= 20A.
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
典型特征
90
80
70
60
幅度 - V
50
TPD1E10B06DPY
40
30
20
10
0
-10
-15
0
15
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图1. IEC61000-4-2钳位电压+ 8kV接触静电放电
30
45
60
75
10
0
-10
-20
幅度 - V
-30
-40
-50
-60
TPD1E10B06DPY
-70
-80
-90
-15
0
15
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图2. IEC61000-4-2钳位电压-8KV联系ESD
30
45
60
75
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
3
TPD1E10B06
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
www.ti.com
典型特性（续）
30
27
24
21
电流 - 一个
18
15
12
9
6
3
0
0
TPD1E10B06DPY ，R
DYN
= 0.32
W
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 40
电压 - V
图3.传输线路脉冲（ TLP ）波形针脚1到2脚
30
27
24
21
电流 - 一个
18
15
12
9
6
3
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 40
电压 - V
TPD1E10B06DPY ，R
DYN
= 0.38
W
图4.传输线路脉冲（ TLP ）波形PIN2码中Pin1
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
典型特性（续）
1.0E–03
8.0E–04
6.0E–04
4.0E–04
电流 - 一个
2.0E–04
0.0E+00
–2.0E–04
–4.0E–04
–6.0E–04
–8.0E–04
–1.0E–03
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
电压 - V
4
6
8
10
图5. IV曲线
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
120
105
90
75
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
120
105
90
75
60
45
30
15
0
50
电流 - 一个
电流 - 一个
功率 - 含
A
W
60
45
30
15
0
50
A
W
图6.正向浪涌波形8/20微秒
22
20
18
16
图7.负浪涌波形8/20微秒
3
0
-3
-6
-9
电容 - pF的
亏损 - 分贝
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
BIAS
- V
3
3.5
4
4.5
5
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
-33
1.0E+05
1.0E+06
1.0E+07
1.0E+08
频率 - 赫兹
1.0E+09
1.0E+10
图8引脚电容跨V
BIAS
图9.插入损耗
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
功率 - 含
5
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
在0402封装的单通道ESD保护器件
检查样品：
TPD1E10B06
1
特点
提供系统级ESD保护
低电压IO接口
IEC 61000-4-2第4级
- > ± 30kV的（气隙放电） ，
- > ± 30kV的（接触放电）
IEC 61000-4-5 （浪涌） ： 6A （ 8 / 20μS ）
IO电容为12pF （典型值）
R
DYN
0.4Ω （典型值）
直流击穿电压± 6V （最小值）
超低漏电流为100nA （最大值）
10V钳位电压（最大值为我
PP
= 1A)
工业级温度范围： -40 ° C至125°C
节省空间的0402足迹
（高度仅1mm X 0.6毫米X 0.5mm）的
应用
手机
电子书
便携式媒体播放器
数码相机
机上盒
打印机
手持式电子产品
设备CON组fi guration
描述
该TPD1E10B06是在一个小0402封装的单个信道的ESD保护器件。该器件提供了
± 30KV的IEC气隙，超过± 30KV接触ESD保护，并且具有ESD钳位电路具有背到背二极管
对于双极性或双向信号支持。 10pF的电容线是适合于广泛的应用范围
支持高达400Mbps的数据传输速率。在TPD1E10B06的典型应用领域包括音频线
USB的（话筒，耳机和扬声器） ， SD接口，键盘或其他按钮和VBUS引脚
端口（ ID）。
0402封装工业标准，便于节省空间的应用程序组件的位置。
该TPD1E10B06的特点是工作在-40 °C的环境温度为125°C 。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
(1)
(2)
包
10000
(1) (2)
订购型号
TPD1E10B06DPYR
顶部端标记
B_
磁带和卷轴
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
民
工作温度范围
储存温度
IEC 61000-4-2接触放电ESD
IEC 61000-4-2气隙静电放电
I
PP
P
PP
峰值脉冲电流（ TP = 8/20
μs)
峰值脉冲功率（ TP = 8/20
μs)
-40
–65
最大
125
155
> ± 30
> ± 30
6
90
单位
°C
°C
kV
kV
A
W
电气特性
参数
V
RWM
I
泄漏
VClamp1,2
VClamp2,1
R
DYN
C
IO
V
BR1,2
V
BR2,1
(1)
(2)
相反的立场-O FF电压
漏电流
钳位电压ESD冲击的脚1，脚2
接地。
钳位电压ESD冲击的2脚， 1脚
接地。
动态电阻
IO电容
击穿电压，引脚1到引脚2
击穿电压，引脚2到引脚1
测试条件
针1 2针或2比1
引脚1 = 5 V ，引脚2 = 0 V
I
PP
= 1 ， TP = 8/20
微秒
(1)
民
典型值
最大
5.5
100
10
14
8.5
14
单位
V
nA
V
V
Ω
pF
V
V
I
PP
= 5 A， TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 1 ， TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 5 A， TP = 8/20
微秒
引脚1到引脚2
(2)
引脚2到引脚1
V
IO
= 2.5 V
I
IO
= 1毫安
I
IO
= 1毫安
6
6
(2)
(1)
0.32
0.38
12
非重复性电流脉冲8/20美国指数根据IEC61000-4-5波形衰减
的R提取
动态
使用合适的我之间的TLP特点最小二乘
PP
= 10A和我
PP
= 20A.
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
典型特征
90
80
70
60
幅度 - V
50
TPD1E10B06DPY
40
30
20
10
0
-10
-15
0
15
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图1. IEC61000-4-2钳位电压+ 8kV接触静电放电
30
45
60
75
10
0
-10
-20
幅度 - V
-30
-40
-50
-60
TPD1E10B06DPY
-70
-80
-90
-15
0
15
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图2. IEC61000-4-2钳位电压-8KV联系ESD
30
45
60
75
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
3
TPD1E10B06
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
www.ti.com
典型特性（续）
30
27
24
21
电流 - 一个
18
15
12
9
6
3
0
0
TPD1E10B06DPY ，R
DYN
= 0.32
W
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 40
电压 - V
图3.传输线路脉冲（ TLP ）波形针脚1到2脚
30
27
24
21
电流 - 一个
18
15
12
9
6
3
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 40
电压 - V
TPD1E10B06DPY ，R
DYN
= 0.38
W
图4.传输线路脉冲（ TLP ）波形PIN2码中Pin1
4
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
版权所有2012，德州仪器
TPD1E10B06
www.ti.com
SLLSEB1A - 2012年2月 - 修订2012年3月
典型特性（续）
1.0E–03
8.0E–04
6.0E–04
4.0E–04
电流 - 一个
2.0E–04
0.0E+00
–2.0E–04
–4.0E–04
–6.0E–04
–8.0E–04
–1.0E–03
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
电压 - V
4
6
8
10
图5. IV曲线
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
120
105
90
75
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
120
105
90
75
60
45
30
15
0
50
电流 - 一个
电流 - 一个
功率 - 含
A
W
60
45
30
15
0
50
A
W
图6.正向浪涌波形8/20微秒
22
20
18
16
图7.负浪涌波形8/20微秒
3
0
-3
-6
-9
电容 - pF的
亏损 - 分贝
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
BIAS
- V
3
3.5
4
4.5
5
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
-33
1.0E+05
1.0E+06
1.0E+07
1.0E+08
频率 - 赫兹
1.0E+09
1.0E+10
图8引脚电容跨V
BIAS
图9.插入损耗
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPD1E10B06
功率 - 含
5
QQ：2880707522 复制
