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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第353页 > TPCS8210_07
TPCS8210
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPCS8210
锂离子电池应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 19毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 9.2 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5~1.2 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 200
μA)
公共漏
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
5
20
1.1
W
0.75
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
重量： 0.035克（典型值）。
0.6
W
0.35
电路CON组fi guration
8
7
6
5
32.5
5
0.075
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2007-01-16
TPCS8210
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
114
° C / W
167
单位
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
208
° C / W
357
记号
（注6 ）
产品型号（或缩写代码）
S8210
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
a)
b)
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个装置）。
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
=
16 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
1.0 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
5 A
注5 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注6 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周：连续数达52或53 ）
制造年份
（每年的最后一位数字）
2
2007-01-16
TPCS8210
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= 12
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
200
μA
V
GS
=
2.0 V，I
D
=
3.5 A
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
=
2.5 V，I
D
=
3.5 A
V
GS
=
4.0 V，I
D
=
4.0 A
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
V
DD
16 V, V
GS
=
5 V，I
D
=
5 A
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
I
D
=
2.5 A
V
OUT
R
L
=
4
Ω
4.7
Ω
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
10 V，I
D
=
2.5 A
民
20
8
0.5
4.6
典型值。
34
26
19
9.2
1280
130
150
4.5
11
7.3
33
15
3.3
3.5
最大
±10
10
1.2
60
40
30
ns
nC
pF
S
mΩ
单位
μA
μA
V
V
5V
0V
V
DD
10 V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
5 A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
20
1.2
单位
A
V
3
2007-01-16
TPCS8210
I
D
– V
DS
5
2
4 3
4
10
1.9
1.8
1.7
8
4 3 2
1.9
I
D
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
1.8
6
1.7
4
1.6
2
VGS
=
1.4 V
漏电流I
D
(A)
3
1.6
2
1.5
1
漏电流I
D
(A)
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
1.5
VGS
=
1.4 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
1
2
3
4
5
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
10
常见的来源
VDS
=
10 V
8
2
V
DS
– V
GS
常见的来源
常见的来源
Ta
=
25°C
Ta
=
25°C
V
DS
(V)
脉冲测试
1.6
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
6
1.2
4
漏源电压
0.8
2.5
0.4
1.25
0
0
100
2
25
Ta
= 55°C
5
ID
=
10 A
0
0
1
2
3
4
5
2
4
6
8
10
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
100
R
DS （ ON）
– I
D
(S)
50
30
50
正向转移导纳
Y
fs
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
VGS
=
2 V
2.5
4
Ta
= 55°C
30
25
100
10
10
5
3
常见的来源
VDS
=
10 V
常见的来源
脉冲测试
VDS
=
10 V
1
10
5
3
常见的来源
Ta
=
25°C
常见的来源
脉冲测试
Ta
=
25°C
1
10
1
0.1
1
0.1
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
4
2007-01-16
TPCS8210
R
DS （ ON）
- TA
60
VGS
=
2.0 V
10
5
3
4
2
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
2.5
ID
=
5 A
1.25
VGS
=
2.5 V
(A)
50
1
VGS
=
0 V
40
30
ID
=
5, 2.5, 1.25 A
20
ID
=
5, 2.5, 1.25 A
10
常见的来源
脉冲测试
0
50
0
50
100
150
VGS
=
4.0 V
反向漏电流I
DR
1
0.5
0.3
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
环境温度Ta （C ）
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
1
10
100
V
th
- TA
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
200
μA
脉冲测试
（PF ）
西塞
1000
科斯
100
CRSS
常见的来源
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
VGS
=
0 V
栅极阈值电压
电容C
V
th
(V)
50
0
50
100
150
10
0.1
环境温度Ta （C ）
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
- TA
1.2
(1)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
（注2A ）
（ 1 ）单设备操作（注3A ）
（ 2 ）单设备的双运算值（注3B ）
设备安装在玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
（ 3 ）单设备操作（注3A ）
（ 4 ）单设备的双重价值
操作（注3B ）
动态输入/输出特性
30
常见的来源
ID
=
5 A
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
VDS
=
16 V
15
VGS
8
12
漏极功耗P
D
(W)
V
DS
(V)
0.8
(2)
(3)
漏源电压
t
=
10 s
0.6
6
0.4
(4)
10
4
0.2
5
2
0
0
50
100
150
200
0
0
4
8
12
16
20
24
28
0
32
环境温度Ta （C ）
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
5
2007-01-16
栅源电压
V
GS
(V)
1
25
10
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TC1016_05
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TA24-11SRWA
TMS320LC2404PGE
TISP3072F3SL
TLC074CPWP
TMP320LF2406AVFS
TL750L10QLP
T62M0001A-K
TTSV02622V2-DB
TS5A3159AYZPR
TL1454ACDBR
TSC80C51XXX-25IG
TV15C7V5J-G
TA4558
TZB4Z100AB10R00
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPCS8210_07
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