TPCS8210
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPCS8210
锂离子电池应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 19毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 9.2 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5~1.2 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 200
μA)
公共漏
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
5
20
1.1
W
0.75
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
重量： 0.035克（典型值）。
0.6
W
0.35
电路CON组fi guration
8
7
6
5
32.5
5
0.075
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
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2007-01-16
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