oH
VE S CO
AV R M
一个I S IO P L
L A IA
BL S NT
E
TISP3072F3,TISP3082F3
低电压双的双向晶闸管
过电压保护
*R
TISP30xxF3 （ LV ），过电压保护器系列
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
包（顶视图）
T
NC
NC
R
1
2
3
4
8
7
6
5
G
G
G
G
设备
‘3072F3
‘3082F3
V
DRM
V
58
66
V
（BO）
V
72
82
NC - 无内部连接
平面钝化结
低断态电流<10
A
额定国际浪涌波形
I
TSP
波形
标准
A
2/10
s
GR-1089-CORE
80
8/20
s
IEC 61000-4-5
70
10/160
s
FCC第68部分
60
ITU -T K.20 / 21
10/700
s
50
FCC第68部分
10/560
s
FCC第68部分
45
10/1000
s
GR-1089-CORE
35
SL包（顶视图）
T
G
R
1
2
3
MD1XAB
设备符号
T
R
.............................................. UL认证组件
SD3XAA
描述
这些低电压双双向晶闸管保护器
旨在保护免受瞬态ISDN的应用
雷击和交流电源线。提供两种电压
变种，以满足电池和保护要求，它们是
保证抑制和抵御国际上市
雷电浪涌的两极。瞬变最初剪辑
通过击穿夹紧，直到电压升高到导通
的水平，这会导致设备撬棍。高撬棍
保持电流防止直流闭锁作为当前消退。
这些单片保护器件被制造在
离子注入的平面结构，以确保精确和匹配
导通控制和几乎透明的系统中
正常操作。
G
端T中，R且G相对应的
A，B和C的替代路线代号
如何订购
标准
终止完成
顺序
TISP30xxF3SL
对于无铅
终止完成
顺序
TISP30xxF3DR-S
TISP30xxF3SL-S
设备
TISP30xxF3
包
D，小外形
SL ，一列直插式
支架
管
磁带和缠绕TISP30xxF3DR
插入XX值对应的72和82的保护电压
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP30xxF3 （ LV ），过电压保护器系列
绝对最大额定值， TA = 25
°
℃（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压， 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
1/2（燃气管差瞬间， 1/2的电压波形）
2/10 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10电压波形）
1/20 （ITU-T K.22 ， 1.2 / 50的电压波形， 25
电阻器）
8/20 （ IEC 61000-4-5 ，混合波形发生器， 1.2 / 50电压波形）
一百六分之一十（ FCC第68部分， 160分之10电压波形）
二百五十〇分之四（ITU-T K.20 / 21 10/700电压波形，同时）
0.2 / 310 （ CNET我31-24 ， 0.5 / 700的电压波形）
三百一分之五（ ITU -T K.20 / 21 ， 10/700电压波形，单）
三百二十〇分之五（ FCC第68部分，七百二十零分之九电压波形，单）
五百六十○分之一十（ FCC第68部分，五百六十○分之十电压波形）
10/1000 （符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000电压波形）
非重复性峰值通态电流， 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
（见注1和3 ）
50赫兹， 1秒
包
SL包装
I
PPSM
120
80
50
70
60
55
38
50
50
45
35
4.3
7.1
250
-65到+150
-65到+150
A
‘3072F3
‘3082F3
符号
V
DRM
价值
±58
±66
单位
V
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
A
A / μs的
°C
°C
通态电流，线性电流斜坡，斜坡的最大价值< 38 A的上升初始速度
结温
存储温度范围
注：被浪涌波形1.进一步详情载于应用信息部分。
2.最初TISP
必须与0热平衡
°C
＆ LT ;吨
J
<70
°
C.激增可以在TISP经过反复
返回到它的
初始条件。
3.以上70
°C,
线性降额至零，在150
°C
铅温度。
电气特性为T和R端子， TA = 25
°
℃（除非另有说明）
参数
场外重复峰值
目前状态
FF-态电流
关态电容
测试条件
V
D
=
±2V
DRM
, 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
V
D
=
±50
V
F = 100千赫，V
d
= 100 mV时， V
D
= 0,
第三终端电压= -50 V至+50 V
（见注4和5）
民
典型值
最大
±10
±10
包
SL包装
0.05
0.03
0.15
0.1
单位
A
A
pF
I
DRM
I
D
C
关闭
注： 4。这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容5.进一步详情载于应用信息部分。
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP30xxF3 （ LV ），过电压保护器系列
电气特性T和G或R和G端子， TA = 25
°
℃（除非另有说明）
参数
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
脉冲导通
电压
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
测试条件
V
D
=
±V
DRM
, 0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C
的dv / dt =
±250
V / ms的，R
来源
= 300
dv / dt的
≤
±1000
V / μs的，线性电压斜坡，
最大斜坡值=
±500
V
R
来源
= 50
的dv / dt =
±250
V / ms的，R
来源
= 300
I
T
=
±5
A，T
W
= 100
s
I
T
=
±5
A， di / dt的= - / + 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
=
±50
V
F = 1MHz时， V
d
= 0.1 V均方根，V
D
= 0
F = 1MHz时， V
d
= 0.1 V均方根，V
D
= -5 V
F = 1MHz时， V
d
= 0.1 V均方根，V
D
= -50 V
（见注5和6）
‘3072F3
‘3082F3
‘3072F3
‘3082F3
±0.1
±0.15
±5
±10
140
85
40
±86
±96
±0.6
±3
民
典型值
最大
±10
±72
±82
单位
A
V
I
DRM
V
（BO）
V
（BO）
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
V
A
V
A
KV / μs的
A
关态电容
82
49
25
pF
注： 6.这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容7.进一步详情载于应用信息部分。
热特性
参数
测试条件
P
合计
= 0.8 W，T
A
= 25
°C
5厘米
2
， FR4 PCB
包
SL包装
民
典型值
最大
160
135
° C / W
单位
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP30xxF3 （ LV ），过电压保护器系列
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
I
T
V
T
I
H
V
（ BR ）M
-v
I
（ BR ）
V
（ BR ）
I
（BO）
I
H
V
DRM
I
DRM
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
V
（ BR ）M
I
DRM
V
（ BR ）
I
（ BR ）
+v
V
（BO）
I
（BO）
V
（BO）
V
T
I
T
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PMXXAA
图1.电压 - 电流特性的任何端子对
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP30xxF3 （ LV ），过电压保护器系列
典型特征 - R和G或T和G端子
FF-态电流
vs
结温
归一化的击穿电压
vs
结温
TC3LAI
100
TC3LAF
归到V
（ BR ）
1.2
10
I
D
- 断态电流 -
A
归一化的击穿电压
I
（ BR ）
= 100
A
25
°C
正极性
1
1.1
V
（ BR ）M
1.0
V
（ BR ）
V
（BO）
0·1
V
D
= 50 V
V
D
= -50 V
0·01
0·001
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 -
°C
0.9
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 -
°C
图2中。
网络连接gure 3 。
归一化的击穿电压
vs
结温
TC3LAJ
100
通态电流
vs
通态电压
TC3LAL
归到V
（ BR ）
1.2
归一化的击穿电压
I
（ BR ）
= 100
A
25
°C
负极性
I
T
- 通态电流 - 一个
1.1
V
（ BR ）M
V
（BO）
V
（ BR ）
10
1.0
150
°C
25
°C
-40
°C
0.9
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 -
°C
1
1
2
1 3
4
5
6
7 8 9 0
V
T
- 通态电压 - V
图4中。
图5中。
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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