TPCF8003
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSⅡ ）
TPCF8003
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 14毫欧（典型值）。
（ VGS =
4.5V）
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5 1.2伏
(V
DS
= 10 V，I
D
= 200
μA)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
(t
=
5 s)
（注2A ）
(t
=
5 s)
（注2B ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
7
28
2.5
0.7
3.2
3.5
150
55
150
单位
V
V
V
A
1.漏
2.漏
3.排水
4.门
5.Source
6.排水
7.排水
8.排水
JEDEC
W
W
mJ
A
°C
°C
―
―
2-3U1A
漏极功耗
漏极功耗
JEITA
东芝
重量： 0.011克（典型值）。
单脉冲雪崩能量（注3 ）
雪崩电流
通道温度
存储温度范围
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道至环境（叔
=
5 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境（叔
=
5 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
50.0
178.6
单位
° C / W
° C / W
电路CON组fi guration
注意：对于注1至3中，参考下页。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2010-01-14
TPCF8003
记号
（注4 ）
很多代码（月）
LOT号
产品型号
（或缩写代码）
F2C
批号
（年）
Note
针＃ 1
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
16 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.2 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
3.5 A
注4 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
注5：圆点标志，用于识别产品标签的指示。
如果没有一个点： [铅] /包括> MCV
以一个点： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令
产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的
2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
2
2010-01-14
TPCF8003
R
DS （ ON）
- TA
50
100
I
DR
– V
DS
(A)
4.5
10
1
10
VGS
=
0 V
2.5
常见的来源
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
40
ID
=
1.8, 3.5, 7 A
30
VGS
=
2.5 V
20
VGS
=
4.5 V
10
ID
=
1.8, 3.5, 7 A
反向漏电流
I
DR
1
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
80
40
0
40
80
120
160
环境温度
Ta
(
°
C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
2
V
th
- TA
V
th
(V)
栅极阈值电压
（PF ）
1.6
1000
西塞
科斯
100
CRSS
C
1.2
电容
0.8
10种常见来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
1
0.1
1
常见的来源
0.4 VDS
=
10 V
ID
=
0.2毫安
脉冲测试
0
80
40
0
40
80
120
160
10
100
漏源电压
V
DS
(V)
环境温度
Ta
(
°
C)
P
D
- TA
3.0
动态输入/输出特性
20
10
(W)
(V)
2.5
P
D
16
VDS
8
V
DS
漏极功耗
2.0
4
12
VDD
=
16 V
8
漏源电压
6
1.5
8
4
常见的来源
ID
=
7 A
Ta
=
25°C
2
脉冲测试
1.0
(2)
0.5
4
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
0
16
环境温度
Ta
(
°
C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
5
2010-01-14
栅源电压
V
GS
(V)
（1）设备安装在玻璃环氧基板（一）（注2a）的
（2）安装在玻璃环氧基板的设备（二） （注2b）的
(1)
T = 5秒
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