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TLP741G
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电晶闸管
TLP741G
办公设备
家用设备
固态继电器
开关电源
东芝TLP741G由光晶闸管光学耦合到
砷化镓红外发光二极管在6引脚塑料DIP
封装。
·
·
·
·
·
峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流:
10mA(max.)
通态电流:
150mA(max.)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
BSI认可: BS EN60065 :
1994
证书编号。 6617
BS EN60950 :
1992
证书编号。 7366
隔离电压: 4000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08 , 87
证书编号。 65640
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884批准的型式,
请指定"option ( D4 ) "
东芝
重量: 0.35克
117B1
以毫米单位
·
·
引脚配置(
顶视图)
7.62毫米PICH
标准型
·
爬电距离:
通关:
绝缘厚度:
7.0mm(min.)
7.0mm(min.)
0.5mm(min.)
10.16mm
PICH
( LF2 )型
8.0mm(min.)
8.0mm(min.)
0.5mm(min.)
1
2002-09-25
TLP741G
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
正向电流
正向电流降额(大
39°C)
峰值正向电流( 100μs的脉冲, 100pps )
LED
功耗
功耗降额(大
25°C)
反向电压
结温
峰值正向电压(R
GK
= 27k)
峰值反向电压(R
GK
= 27k)
通态电流
通态电流降额(大
25°C)
探测器
峰值通态电流( 100μs的脉冲, 120pps )
峰值一个周期浪涌电流
峰值反向栅极电压
功耗
功耗降额(大
25°C)
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
总计封装功耗
总计封装功耗降额
(大
25°C)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H。
60%)
符号
I
F
I
F
/ °C
I
FP
P
D
P
D
/ °C
V
R
T
j
V
DRM
V
RRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
V
GM
P
D
P
D
/ °C
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
T
P
T
/ °C
BV
S
等级
60
-0.7
1
100
-1.0
5
125
400
400
150
-2.0
3
2
5
150
-2.0
100
-55~125
-55~100
260
250
-3.3
4000
单位
mA
毫安/°C的
A
mW
毫瓦/°C的
V
°C
V
V
mA
毫安/°C的
A
A
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
工作温度
门阴极电阻
门到阴极的能力
符号
V
AC
I
F
T
OPR
R
GK
C
GK
分钟。
15
-25
典型值。
20
27
0.01
马克斯。
120
25
85
33
0.1
单位
V
ac
mA
°C
k
F
2
2002-09-25
TLP741G
个人电气特性
( TA = 25°C )
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
FF-态电流
符号
V
F
I
R
C
T
I
DRM
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V = 0 , F = 1MHz的
V
AK
= 400V
R
GK
= 27k
V
KA
= 400V
R
GK
= 27k
I
TM
= 100毫安
R
GK
= 27k
V
D
= 280V ,R
GK
= 27k
V = 0 , F = 1MHz的
阳极门
门到阴极
TA = 25°C
TA = 100℃
TA = 25°C
TA = 100℃
测试条件
分钟。
1.0
5
典型值。
1.15
30
10
1
10
1
0.9
0.2
10
20
350
马克斯。
1.3
10
5000
100
5000
100
1.3
单位
V
A
pF
nA
A
nA
A
V
mA
V / μs的
pF
反向carrent
探测器
通态电压
保持电流
关断状态的dv / dt
电容
I
RRM
V
TM
I
H
dv / dt的
C
j
耦合特性
( TA = 25°C )
特征
触发LED电流
开启时间
再加上的dv / dt
电容
(输入到输出)
绝缘电阻
符号
I
FT
t
ON
dv / dt的
C
S
R
S
测试条件
V
AK
= 6V ,R
GK
= 27k
I
F
= 30mA时V
AA
= 50V,
R
GK
= 27k
V
S
= 500V ,R
GK
= 27k
V
S
= 0中,f = 1MHz的
V
S
= 500V
交流电,1分钟后
隔离电压
BV
S
AC, 1秒,在油
直流,1分钟,在油
分钟。
500
1×10
12
4000
典型值。
4
10
0.8
10
14
10000
10000
马克斯。
10
单位
mA
s
V / μs的
pF
V
RMS
V
dc
3
2002-09-25
TLP741G
4
2002-09-25
TLP741G
5
2002-09-25
TLP741G
东芝光电耦合器
砷化镓红外发光二极管&光电晶闸管
TLP741G
办公设备
家用设备
固态继电器
开关电源
东芝TLP741G由光晶闸管光学耦合到
砷化镓红外发光二极管在6引脚塑料DIP
封装。
峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:150mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
BSI认可: BS EN60065 :2002
证书8877号
BS EN60950-1 :2002
证书8878号
隔离电压: 4000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN EN 60747-5-2
证40009302号
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要EN 60747-5-2型式认可,
请指定"option ( D4 ) "
东芝
重量: 0.35克
117B1
以毫米单位
引脚配置(
顶视图)
7.62毫米PICH
标准型
爬电距离:
通关:
绝缘厚度:
7.0mm(min.)
7.0mm(min.)
0.5mm(min.)
10.16毫米PICH
( LF2 )型
8.0mm(min.)
8.0mm(min.)
0.5mm(min.)
1
2007-10-01
TLP741G
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
正向电流
正向电流降额(大
39°C)
峰值正向电流( 100μs的脉冲, 100pps )
LED
功耗
功耗降额(大
25°C)
反向电压
结温
峰值正向电压(R
GK
= 27k)
峰值反向电压(R
GK
= 27k)
通态电流
通态电流降额(大
25°C)
探测器
峰值通态电流( 100μs的脉冲, 120pps )
峰值一个周期浪涌电流
峰值反向栅极电压
功耗
功耗降额(大
25°C)
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
总计封装功耗
总计封装功耗降额
(大
25°C)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H。
60%)
符号
I
F
ΔI
F
/ °C
I
FP
P
D
ΔP
D
/ °C
V
R
T
j
V
DRM
V
RRM
I
T( RMS )
ΔI
T
/ °C
I
TP
I
TSM
V
GM
P
D
ΔP
D
/ °C
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
T
ΔP
T
/ °C
BV
S
等级
60
0.7
1
100
1.0
5
125
400
400
150
2.0
3
2
5
150
2.0
100
55~125
55~100
260
250
3.3
4000
单位
mA
毫安/°C的
A
mW
毫瓦/°C的
V
°C
V
V
mA
毫安/°C的
A
A
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
工作温度
门阴极电阻
门到阴极的能力
符号
V
AC
I
F
T
OPR
R
GK
C
GK
分钟。
15
25
典型值。
20
27
0.01
马克斯。
120
25
85
33
0.1
单位
V
ac
mA
°C
k
μF
注:推荐工作条件给出的设计方针,以获得预期的性能
装置。此外,每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时,请确认本文档中指定的特性。
2
2007-10-01
TLP741G
个人电气特性
( TA = 25°C )
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
断态电流
符号
V
F
I
R
C
T
I
DRM
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V = 0 , F = 1MHz的
V
AK
= 400V
R
GK
= 27k
V
KA
= 400V
R
GK
= 27k
I
TM
= 100毫安
R
GK
= 27k
V
D
= 280V ,R
GK
= 27k
V = 0 , F = 1MHz的
阳极门
门到阴极
TA = 25°C
TA = 100℃
TA = 25°C
TA = 100℃
测试条件
分钟。
1.0
5
典型值。
1.15
30
10
1
10
1
0.9
0.2
10
20
350
马克斯。
1.3
10
5000
100
5000
100
1.3
单位
V
μA
pF
nA
μA
nA
μA
V
mA
V / μs的
pF
反向电流
探测器
导通电压
保持电流
关断状态的dv / dt
电容
I
RRM
V
TM
I
H
dv / dt的
C
j
耦合特性
( TA = 25°C )
特征
触发LED电流
开启时间
再加上的dv / dt
电容
(输入到输出)
绝缘电阻
符号
I
FT
t
ON
dv / dt的
C
S
R
S
测试条件
V
AK
= 6V ,R
GK
= 27k
I
F
= 30mA时V
AA
= 50V,
R
GK
= 27k
V
S
= 500V ,R
GK
= 27k
V
S
= 0中,f = 1MHz的
V
S
= 500V
交流电,1分钟后
隔离电压
BV
S
AC, 1秒,在油
直流,1分钟,在油
分钟。
500
1×10
12
典型值。
4
10
0.8
10
14
马克斯。
10
单位
mA
μs
V / μs的
pF
V
RMS
V
dc
4000
10000
10000
3
2007-10-01
TLP741G
4
2007-10-01
TLP741G
5
2007-10-01
TLP741G
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电晶闸管
TLP741G
办公设备
家用设备
固态继电器
开关电源
东芝TLP741G由光晶闸管光学耦合到
砷化镓红外发光二极管在6引脚塑料DIP
封装。
·
·
·
·
·
峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流:
10mA(max.)
通态电流:
150mA(max.)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
BSI认可: BS EN60065 :
1994
证书编号。 6617
BS EN60950 :
1992
证书编号。 7366
隔离电压: 4000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08 , 87
证书编号。 65640
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884批准的型式,
请指定"option ( D4 ) "
东芝
重量: 0.35克
117B1
以毫米单位
·
·
引脚配置(
顶视图)
7.62毫米PICH
标准型
·
爬电距离:
通关:
绝缘厚度:
7.0mm(min.)
7.0mm(min.)
0.5mm(min.)
10.16mm
PICH
( LF2 )型
8.0mm(min.)
8.0mm(min.)
0.5mm(min.)
1
2002-09-25
TLP741G
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
正向电流
正向电流降额(大
39°C)
峰值正向电流( 100μs的脉冲, 100pps )
LED
功耗
功耗降额(大
25°C)
反向电压
结温
峰值正向电压(R
GK
= 27k)
峰值反向电压(R
GK
= 27k)
通态电流
通态电流降额(大
25°C)
探测器
峰值通态电流( 100μs的脉冲, 120pps )
峰值一个周期浪涌电流
峰值反向栅极电压
功耗
功耗降额(大
25°C)
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
总计封装功耗
总计封装功耗降额
(大
25°C)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H。
60%)
符号
I
F
I
F
/ °C
I
FP
P
D
P
D
/ °C
V
R
T
j
V
DRM
V
RRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
V
GM
P
D
P
D
/ °C
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
T
P
T
/ °C
BV
S
等级
60
-0.7
1
100
-1.0
5
125
400
400
150
-2.0
3
2
5
150
-2.0
100
-55~125
-55~100
260
250
-3.3
4000
单位
mA
毫安/°C的
A
mW
毫瓦/°C的
V
°C
V
V
mA
毫安/°C的
A
A
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
工作温度
门阴极电阻
门到阴极的能力
符号
V
AC
I
F
T
OPR
R
GK
C
GK
分钟。
15
-25
典型值。
20
27
0.01
马克斯。
120
25
85
33
0.1
单位
V
ac
mA
°C
k
F
2
2002-09-25
TLP741G
个人电气特性
( TA = 25°C )
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
FF-态电流
符号
V
F
I
R
C
T
I
DRM
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V = 0 , F = 1MHz的
V
AK
= 400V
R
GK
= 27k
V
KA
= 400V
R
GK
= 27k
I
TM
= 100毫安
R
GK
= 27k
V
D
= 280V ,R
GK
= 27k
V = 0 , F = 1MHz的
阳极门
门到阴极
TA = 25°C
TA = 100℃
TA = 25°C
TA = 100℃
测试条件
分钟。
1.0
5
典型值。
1.15
30
10
1
10
1
0.9
0.2
10
20
350
马克斯。
1.3
10
5000
100
5000
100
1.3
单位
V
A
pF
nA
A
nA
A
V
mA
V / μs的
pF
反向carrent
探测器
通态电压
保持电流
关断状态的dv / dt
电容
I
RRM
V
TM
I
H
dv / dt的
C
j
耦合特性
( TA = 25°C )
特征
触发LED电流
开启时间
再加上的dv / dt
电容
(输入到输出)
绝缘电阻
符号
I
FT
t
ON
dv / dt的
C
S
R
S
测试条件
V
AK
= 6V ,R
GK
= 27k
I
F
= 30mA时V
AA
= 50V,
R
GK
= 27k
V
S
= 500V ,R
GK
= 27k
V
S
= 0中,f = 1MHz的
V
S
= 500V
交流电,1分钟后
隔离电压
BV
S
AC, 1秒,在油
直流,1分钟,在油
分钟。
500
1×10
12
4000
典型值。
4
10
0.8
10
14
10000
10000
马克斯。
10
单位
mA
s
V / μs的
pF
V
RMS
V
dc
3
2002-09-25
TLP741G
4
2002-09-25
TLP741G
5
2002-09-25
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TLP741G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:121715395 复制 点击这里给我发消息 QQ:316429272 复制
电话:0755-83259954/0755-82701784
联系人:李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址:福田区振华路华乐楼615室
TLP741G
TOSHIBA
12+
87788
DIP
中国唯一指定代理商√√√特价!特价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TLP741G
TOSHIBA/东芝
24+
11631
DIPSOP
全新原装正品现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

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