TPCA8102
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）
TPCA8102
0.5±0.1
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
6.0±0.3
单位：mm
1.27
8
0.4±0.1
5
0.05 M A
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 4.5mΩ （典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 60S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
5.0±0.2
0.15±0.05
1
0.95±0.05
4
0.595
A
5.0±0.2
S
1
4
4.25±0.2
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
30
30
±20
40
120
45
2.8
V
V
V
A
W
W
8
1,2,3：SOURCE
4：GATE
5,6,7,8：DRAIN
5 0.8±0.1
脉冲（注1 ）
(Tc=25℃)
(t
=
10 s)
（注2A ）
(t
=
10 s)
（注2B ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-5Q1A
漏极功耗
漏极功耗
漏极功耗
重量： 0.076克（典型值）。
1.6
W
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（ TC = 25 ℃ ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
208
40
4.5
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
8
7
6
5
E
AR
T
ch
T
英镑
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） ，请参考下
页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
3.5±0.2
特征
符号
等级
单位
0.6±0.1
1.1±0.2
最大额定值
（大
=
25°C)
0.05 S
0.166±0.05
4
1
2003-08-29
TPCA8102
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
(Tc=25
℃
)
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
2.78
单位
° C / W
R
第（章-a）的
44.6
° C / W
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
78.1
° C / W
记号
（注5 ）
TPCA
8102
※
TYPE
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
100μH，R
G
=
25
，I
AR
=
40 A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
○
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
2
2003-08-29
TPCA8102
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖，根据任何法律和法规。
4
2003-08-29
TPCA8102
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）
TPCA8102
0.5±0.1
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
6.0±0.3
单位：mm
1.27
8
0.4±0.1
5
0.05 M A
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 4.5mΩ （典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 60S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
5.0±0.2
0.15±0.05
1
0.95±0.05
4
0.595
A
5.0±0.2
S
1
4
0.6±0.1
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
8
4.25±0.2
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
等级
30
30
±20
40
120
45
2.8
单位
V
V
V
A
W
W
1,2,3 ： SOURCE
4 ：门
5,6,7,8 ：排水
5 0.8±0.1
JEDEC
JEITA
东芝
2-5Q1A
脉冲（注1 ）
重量： 0.076克（典型值）。
漏极功耗（ TC = 25 ℃ ）
漏极功耗
(t
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（ TC = 25 ℃ ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
8
7
6
5
1.6
W
208
40
4.5
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
E
AR
T
ch
T
英镑
注意：对于注释1至4中，参考下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
1
2006-11-16
3.5±0.2
1.1±0.2
0.05 S
0.166±0.05
QQ：2881677436 复制
