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产品数据表
6 - 18 GHz功率放大器
TGA8014-SCC
主要特点及性能
6 18 GHz频率范围内
11分贝典型增益
大于0.5瓦的输出功率
1分贝增益压缩
专为均衡配置
无条件稳定
3.6068 X 1.9304 X 0.1016毫米( 0.142 X
0.076 X 0.004英寸)
描述
TriQuint的TGA8014 -SCC是一个两阶段的GaAs单片介质功率
放大器。被动匹配914微米, 1219微米的FET提供11分贝名义
有16 %的典型功率附加效率和输出功率增益为1 dB增益
压缩0.5瓦特。接地通孔,以提供给该电路
背面金属化。
单片器件在小尺寸和固有的可靠性优势
混合设计使得用于各种军事应用中使用该设备的吸引力。
用在平衡结构中, TGA8014 -SCC有效地解决
的应用,如在EW放大器驱动器和功率级,本地振荡器
缓冲器和TWT更换放大器。
焊盘和背面金属化是镀金的共晶兼容性
合金的连接方法以及thermcompression和热声线级
键合工艺。该TGA8014 -SCC在芯片形式提供,并可由容易
组装使用自动化设备。
TriQuint半导体公司德州电话: ( 972 ) 994 8465
传真: ( 972 ) 994 8504网址: www.triquint.com
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产品数据表
TGA8014-SCC
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产品数据表
TGA8014-SCC
典型的S参数
由于F R EQUENC
(千兆赫)
M股份公司
S
11
M股份公司
S
21
M股份公司
S
12
M股份公司
S
22
收益
( dB)的
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
16.5
17.0
17.5
18.0
0.55
0.58
0.66
0.73
0.77
0.79
0.79
0.79
0.80
0.81
0.82
0.84
0.85
0.87
0.86
0.85
0.82
0.76
0.68
0.60
0.55
0.52
0.47
0.47
0.46
176
173
168
160
150
142
134
127
120
113
105
97
87
77
66
54
40
27
14
6
-4
-16
-26
-43
-69
3.55
3.69
3.73
3.98
4.25
4.36
4.31
4.09
3.81
3.55
3.39
3.32
3.32
3.40
3.49
3.70
3.89
3.92
3.78
3.59
3.43
3.32
3.28
3.39
3.50
29
-34
-80
-120
-159
163
127
93
62
33
8
-18
-42
-68
-94
-121
-151
178
146
118
89
59
32
1
-34
0.002
0.005
0.006
0.008
0.010
0.010
0.009
0.008
0.006
0.005
0.004
0.004
0.004
0.005
0.006
0.010
0.011
0.012
0.014
0.014
0.015
0.010
0.009
0.017
0.017
167
150
135
119
96
77
54
33
10
-10
-42
-82
-122
-133
-152
180
155
136
111
78
39
-8
-4
-40
-82
0.36
0.41
0.48
0.55
0.58
0.57
0.52
0.45
0.40
0.38
0.36
0.36
0.36
0.37
0.37
0.40
0.42
0.42
0.38
0.31
0.28
0.27
0.23
0.23
0.25
4
-35
-73
-105
-135
-160
179
164
153
143
131
119
105
87
70
52
30
8
-13
-27
-37
-51
-68
-88
-119
11.0
11.3
11.4
12.0
12.6
12.8
12.7
12.2
11.6
11.0
10.6
10.4
10.4
10.6
10.8
11.4
11.8
11.9
11.6
11.1
10.7
10.4
10.3
10.6
10.9
T
A
= 25
o
C,V + = 8 V,I + = 50 %I
DSS
参考平面为S参数数据,包括在“推荐大会指定的键合线
图。 “ S参数也可在软盘和万维网。
射频特性
P AR AM ETER
TES T C ONDITIONS
典型值
单位
G
p
驻波比(上)
SWR (下)
P
1dB
IP
3
POW ER增益
输入的TA nding W A已经比
输出的TA nding瓦特大街比例
在1 - dB的GA在COMPRE S S小离子输出POW ER
输出第三奥德 INTE RCE PT点
F = 618千兆赫
11
dB
*
-
DBM
DBM
F = 618千兆赫4.5 :1的
F = 618千兆赫2.2 :1的
F = 618千兆赫
F = 10 GHz的
F = 18 GHz的
27
36.7
36.7
T
A
= 25
o
C,V + = 8 V,I + = 50 %I
DSS
*该TGA8014 - SCC的目的是严格在均衡配置的使用。
TriQuint半导体公司德州电话: ( 972 ) 994 8465
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产品数据表
TGA8014-SCC
热信息
P一R A M E TE
TE S T C 0 N D资讯IO
N 2 O M IT UN
R
θJ
C
该rmal水库是TA NC E(信道均衡和l至BAC KS IDE )V
+
= 8 V,I
+
= 50% I
DS S
30
° C / W
等效原理图
推荐
装配图
________
RF连接:债券两个1密耳直径, 25密耳长的金线键合在两个RF输入和RF输出
为最佳的RF性能。
外部元件的紧密布局是至关重要的稳定性。
请参阅TriQuint的推荐大会说明砷化镓产品。
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