【TPC8116-H东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（超高速U- MOSIII ）TPC8116-H】,IC型号TPC8116-H,TPC8116-H PDF资料,TPC8116-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPC8116-H

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（超高速U- MOSIII ）

TPC8116-H

高效率DC / DC转换器应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

CCFL逆变器应用

由于占用空间小，小而薄的封装

高速开关

小栅极电荷：Q

= 9.7 NC （典型值）。

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 24mΩ （典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 14 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

μA （最大值）（V

增强型： V

= -0.8至2.0 V（V

= -10 V，I

= -1毫安）

单位：mm

最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

等级

±20

7.5

1.9

单位

JEDEC

JEITA

东芝

2-6J1B

脉冲（注1 ）

漏极功耗

10 s)

（注2A ）

漏极功耗

10 s)

（注2B ）

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

重量： 0.085克（典型值）。

1.0

电路CON组fi guration

英镑

7.5

0.12

150

°C

注意：对于注释1至4中，参考下页。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2006-01-17

TPC8116-H

热特性

特征

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

第（章-a）的

65.8

° C / W

符号

最大

单位

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2B ）

第（章-a）的

125

° C / W

记号

（注5 ）

TPC8116

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

注1 ：

通道温度不应超过使用期间150℃。

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 24

V，T

25 ° C（初始），L

0.5 mH的，R

= 7.5

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

上的标记的左下表示引脚1 。

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年度的第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（日历年的最后一位数字）

2006-01-17

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电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

关闭

32 V, V

10V ，我

7.5A

32 V, V

5 V，I

7.5A

32 V, V

10 V，I

7.5A

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

0 V

-10 V

3.8 A

OUT

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±

16 V, V

0 V

40 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

20 V

10 V，I

1毫安

4.5 V，I

3.8 A

10 V，I

3.8 A

10 V，I

3.8 A

民

典型值。

最大

单位

0.8

1190

170

250

3.2

8.1

9.7

2.0

5.3

4.7

20 V

税

＆ LT ;

1%, t

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

gs1

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

民

典型值。

最大

单位

7.5 A，V

0 V

1.2

2006-01-17

TPC8116-H

– V

3.2

3.4

2.8

2.7

2.6

2.5

VGS

= 2.4

常见的来源

25°C

脉冲测试

4.5

– V

3.4

常见的来源

25°C

脉冲测试

3.2

漏电流I

(A)

4.5

漏电流I

(A)

2.8

2.6

VGS

= 2.4

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

0.5

– V

漏源电压V

(V)

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

0.4

常见的来源

25℃

脉冲测试

漏电流I

(A)

0.3

= 7.5

0.2

100

0.1

3.8

1.9

= 55°C

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

– I

正向转移导纳| Y

| (S)

100

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

= 55°C

100

300

常见的来源

25°C

脉冲测试

100

DS （ ON）

– I

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

4.5

VGS

= 10

0.1

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2006-01-17

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DS （ ON）

- TA

100

= 7.5

常见的来源

脉冲测试

3.8

1.9

常见的来源

25°C

脉冲测试

– V

反向漏电流I

(A)

4.5

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

VGS

= 4.5

= 1.9/3.8/7.5A

0.1

120

160

0.2

0.4

0.6

VGS

0 V

0.8

1.0

1.2

环境温度

(

漏源电压

(V)

电容 - V

10000

2.0

- TA

栅极阈值电压V

(V)

1.6

（PF ）

西塞

1000

电容C

1.2

科斯

100

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

0.1

CRSS

0.8

常见的来源

VDS

= 10

= 1

脉冲测试

0.4

100

120

160

漏源电压

(V)

环境温度

(

- TA

2.0

(1)

设备安装在玻璃环氧

动态输入/输出

特征

常见的来源

= 7.5

25°C

脉冲测试

VDD

= 32

(1)

漏源电压V

(V)

(W)

1.6

(2)

设备安装在玻璃环氧

板（二）（注2b）的

½＝10s

漏极功耗P

1.2

0.8

(2)

VGS

0.4

100

150

200

环境温度

(

总栅极电荷

（ NC ）

2006-01-17

栅源电压

VDS

(V)

板（一）（注2a）的

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