TESP5700
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号81573
修订版1.4 ， 08 -MAR -05
www.vishay.com
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消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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威世半导体
硅PIN光电二极管，符合RoHS
特点
包装类型：含铅
包装形式：侧视图
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 4.5 ×5× 6
辐射敏感区（单位：mm
2
): 2.2
高辐射敏感性
日光阻断滤波器， 870纳米到匹配
950纳米发射器
16936
高截止频率在V
R
= 2 V ： 35兆赫
半灵敏度角度：
= ± 60°
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
描述
TESP5700 PIN光电二极管是适用于高速数据
传输专为低的反向电压。黑色环氧树脂
包包括侧视透镜和日光阻断滤波器，
相匹配的高速红外发射器。
应用
高速数据传输特别是使用低电源
电压
红外辐射高速探测器
=红外
远程
控制
和
免费
空气
数据
transmissionsystems ，如与TSFFxxxx组合
系列IR发射器
产品概述
部件
TESP5700
记
测试条件见表“基本特征”
I
ra
(A)
25
（度）
± 60
λ
0.5
（纳米）
790到980
订购信息
订购代码
TESP5700
记
最小起订量：最小起订量
包装
体积
备注
最小起订量： 4000件， 4000件/散装
包装形式
SIDE VIEW
绝对最大额定值
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5s
跟铜导线， 0.14
mm
2
T
AMB
≤
25 °C
测试条件
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
350
单位
V
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 81573
修订版1.5 ， 08 09月08
如有技术问题，请联系： detectortechsupport@vishay.com
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威世半导体
基本特征
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
串联电阻
开路电压
V温度COEF网络cient
o
短路电流
反向光电流
我的温度系数
ra
绝对光谱灵敏度
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
上升时间
下降时间
截止频率
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
R
= 2 V ，R
L
= 50
Ω, λ
= 870 nm的
V
R
= 2 V ，R
L
= 50
Ω, λ
= 870 nm的
V
R
= 2 V ，R
L
= 50
Ω, λ
= 870 nm的
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100 μA ， E = 0
V
R
= 10 V ， E = 0
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
V
R
= 2 V ， F = 1兆赫
E
e
= 1
E
e
= 1
E
e
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 870 nm的
λ
= 870 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 870 nm的
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 870纳米，
V
R
= 2 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 870纳米，
V
R
= 2 V
V
R
= 2 V,
λ
= 870 nm的
V
R
= 5 V,
λ
= 950 nm的
符号
V
F
V
（ BR ）
I
ro
C
D
R
S
V
o
TK
Vo
I
k
I
ra
TK
IRA
s(λ)
s(λ)
16
60
1
17
40
430
- 2.6
23
25
0.13
0.57
0.37
± 60
870
790到980
10
10
4
10
分钟。
典型值。
0.9
马克斯。
1.3
单位
V
V
nA
pF
Ω
mV
毫伏/ K
A
A
%/K
/ W
/ W
度
nm
nm
ns
ns
兆赫
硅PIN光电二极管，符合RoHS
λ
p
λ
0.5
t
r
t
f
f
c
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
RA相对
- 相对反向光电流
1000
I
ro
- 反向暗电流（ NA）
1.4
1.2
100
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
1.0
10
V
R
= 10
V
1
20
40
60
80
100
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
16931
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94
8409
图。 1 - 反向暗电流与环境温度
图。 2 - 相对反向光电流与环境温度
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硅PIN光电二极管，符合RoHS
威世半导体
I
ra
-reverse光电流（ A）
)
REL
- 相对光谱灵敏度
S(
10
1000
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
750
100
10
V
R
= 2
V
=
870
nm
1
0.1
0.01
16932
0.1
E
e
- 辐照度（
1
毫瓦/平方厘米
2
)
850
950
1050
1150
16935
-
Wavelenght
（纳米）
图。 3 - 反向光电流与光强
图。 6 - 相对光谱灵敏度与波长
100
I
ra
- 反向光电流（ A）
=
870
nm
S
REL
- 相对灵敏度
1毫瓦/厘米
2
0°
10
°
20
°
30°
- 角位移
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
0.1毫瓦/平方厘米
2
1
0.1
16933
11
0
100
94
8413
0.6
0.4
0.2
0
V
R
- 反向
电压
(V)
图。 4 - 反向光电流与反向电压
图。 7 - 相对辐射灵敏度与角位移
40
C
D
- 二极管电容（pF ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
16934
E=0
F = 1 MHz的
1.0
10.0
100.0
V
R
- 反向
电压
(V)
图。 5 - 二极管电容与反向电压
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硅PIN光电二极管，符合RoHS
包装尺寸
以毫米为单位
5
+ 0.1
- 0.3
3.2
± 0.15
± 0.2
4.5
± 0.2
(2.4)
2.5
< 0.7
± 0.3
6
± 0.3
18.8
± 0.5
8.6
2.25 （球）
0.65
+ 0.1
- 0.2
0.1
3.4
+ 0.3
-
地区没有飞机
A
C
0.45
+ 0.2
- 0.1
0.4
+ 0.15
2.54喃。
1.1
± 0.2
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
水彩编号： 6.544-5199.01-4
问题： 2 ; 01年6月19日
95 11475
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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