【TPC8020-H东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（超高速U- MOSIII ）TPC8020-H高】,IC型号TPC8020-H,TPC8020-H PDF资料,TPC8020-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPC8020-H

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（超高速U- MOSIII ）

TPC8020-H

高速，高效率的DC- DC转换器

应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

占地面积小，因小而薄的封装

高速开关

小栅极电荷：Q

= 23 NC （典型值）。

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 6.8个月（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 32 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10 μA （最大值）（V

= 30 V)

增强型： V

= 1.1 2.3 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

单位：mm

最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

等级

±20

单位

JEDEC

JEITA

东芝

2-6J1B

脉冲（注1 ）

漏极功耗

10 s)

（注2A ）

漏极功耗

10 s)

（注2B ）

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

重0.080克（典型值）。

1.9

A S

英镑

1.0

电路CON组fi guration

110

0.084

150

°C

注1 ，注2 ，注3和注4 ：参见下页。

此晶体管是静电感应装置。请处理好与

慎用。

2004-07-06

TPC8020-H

热特性

特征

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

符号

第（章-a）的

最大

65.8

单位

° C / W

耐热性，信道至环境

（注2B ）

第（章-a）的

125

° C / W

记号

（注5 ）

TPC8020

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

24 V ，T

25 ° C（初始），L

0.5 mH的，R

13 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

在标记的左下角显示引脚1 。

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年第一周：连续数达52或53 ）

制造年份

（每年的最后一位数字）

2004-07-06

TPC8020-H

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

关闭

gs1

24 V, V

10 V，I

13 A

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

F小号

国际空间站

RSS

OSS

10 V

4.7

6.5 A

OUT

2.3

10 V , V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±16

V, V

0 V

30 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

= 20

10 V，I

1毫安

4.5 V，I

6.5 A

10 V，I

6.5 A

10 V，I

6.5 A

民

1.1

典型值。

9.5

6.8

1395

140

525

4.5

4.9

6.9

最大

±10

2.3

单位

15 V

税

＆ LT ;

1%, t

24 V, V

10 V，I

13 A

24 V, V

5 V，I

13 A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

13 A，V

0 V

民

典型值。

最大

1.2

单位

2004-07-06

TPC8020-H

– V

3.5

3.2

2.9

3.1

共源的Ta

25°C

脉冲测试

– V

3.5

3.3

4.5

3.1

2.9

共源的Ta

25°C

脉冲测试

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

3.2

2.8

VGS

2.6V

VGS

2.7V

0.2

0.4

0.6

0.8

0.4

0.8

1.2

1.6

漏源电压V

(V)

漏源电压V

(V)

– V

漏源电压V

(V)

常见的来源

0.2

– V

常见的来源

25℃

0.16

脉冲测试

漏电流I

(A)

VDS

10 V

脉冲测试

0.12

13 A

0.08

6.5

0.04

3.3

100

= 55°C

栅极 - 源极电压V

(V)

栅极 - 源极电压V

(V)

F小号

– I

正向转移导纳

(S)

100

DS （ ON）

– I

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

常见的来源

25°C

脉冲测试

= 55°C

100

4.5

VGS

10 V

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

0.1

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2004-07-06

TPC8020-H

DS （ ON）

- TA

100

常见的来源

脉冲测试

13A

3.5A,6.5A

– V

反向漏电流

(A)

漏源导通电阻

DS （ ON）

)

4.5

VGS

4.5 V

VGS

10 V

3.5A,6.5A,13A

常见的来源

25°C

脉冲测试

VGS

0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

120

160

0.2

周围温度Ta （

°C)

漏源电压V

(V)

电容 - V

10000

2.5

- TA

栅极阈值电压

(V)

电容C （PF ）

西塞

1000

科斯

1.5

常见的来源

VDS

10 V

0.5

1毫安

脉冲测试

120

160

100

常见的来源

½ース接地

VGS

0 V

1兆赫

25°C

CRSS

0.1

100

漏源电压V

(V)

周围温度Ta （

°C)

- TA

(1)

动态输入/输出

特征

常见的来源

漏极功耗

(W)

（1）设备安装在一

玻璃环氧基板（一）（注2a）的

（ 2）设备安装在一

玻璃环氧基板（二）（注2b）的

½＝10s

漏极功耗

(W)

1.6

13 A

40的Ta

25°C

脉冲测试

VDS

24 V

12 V

VDD

6 V

1.2

(2)

0.8

0.4

VGS

120

160

周围温度Ta （

°C)

总栅极电荷Q

（ NC ）

2004-07-06

漏源电压V

(V)

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