TC7WPB306,307FC/FK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7WPB306FC,TC7WPB306FK
TC7WPB307FC,TC7WPB307FK
低电压/低功耗2位双电源总线开关
该TC7WPB306和TC7WPB307是高速CMOS
具有低导通电阻，使2位的总线开关
不同电压节点之间的连接。
这些装置具有两个单独的电源， VL为1.8伏，
2.5 V或3.3 V总线和VH为2.5 V， 3.3 V或5.0 V客车。
为双向电平转换中，VH引脚连接到一个
通过一个偏置电阻的高电压电源，并且拉
电阻器被连接在高电压电源之间
和开关。
该使能信号可用于禁用该设备，以使
公交车被有效隔离。
对于TC7WPB306 ，输出使能（ OE ）为高电平有效：当
OE为高电平时，开关导通;低时，开关是关闭的。对于
TC7WPB307 ，输出使能（
OE
）为低电平有效：当
OE
is
低时，开关导通;高时，开关断开。
该TC7WP306和TC7WP307支持掉电保护功能
通过将5.5 -V容错控制输入。
总线开关通道与制作NMOS技术。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
TC7WPB306FC ， TC7WPB307FC
TC7WPB306FK ， TC7WPB307FK
重量
CSON8-P-0.4
SSOP8-P-0.50A
0.002克（典型值）。
0.01克（典型值）。
特点
工作电压： 1.8 V至2.5 V， 1.8 V至3.6 V， 1.8 V至5.5 V， 2.3 V至3.6 V， 2.3 V至5.5 V或3.0 V至5.5 V
双向接口
工作电压： VL
=
1.65 5.0 V ， VH
=
VL
+
0.5 5.5 V
高速运转：吨
pd
=
0.12ns(max)
（ VL
=
3.0 V， VH
=
4.5 V)
低导通电阻，R
ON
=
3.0
Ω
（典型值）。
（导通电阻测试电路： V
IS
=
0 V，I
IS
=
30毫安， VH
=
4.5 V)
ESD性能：机器型号
≥ ±200
V
人体模型
≥ ±2000
V
在输出5.5 -V宽容和掉电保护功能使能输入。
包： CSON8 （ CST8 ） ， SSOP8 （ US8 ）
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2007-10-19
TC7WPB306,307FC/FK
绝对最大额定值
（注）
特征
电源电压
控制输入电压
（ OE （ 306 ） /
OE
(307))
开关量输入/输出电压
丛二极管电流
开关量输入/输出电流
DC V
CC
每个电源引脚/接地电流
功耗
储存温度
符号
VL
VH
V
IN
V
S
I
IK
I
S
I
VL
I
VH
P
D
T
英镑
等级
0.5
7.0
0.5
7.0
0.5
7.0
0.5
7.0
50
128
±25
±25
150 （ CSON8 ）
200 （ SSOP8 ）
65
150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
注意：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC的性能，甚至
破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使
的操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
工作范围
（注1 ）
特征
电源电压
（注2 ）
控制输入电压
开关量输入/输出电压
工作温度
控制输入上升和下降时间
符号
VL
VH
V
IN
V
S
T
OPR
DT / DV
等级
1.65 5.0
2.3至5.5
0至5.5
0至5.5
40
85
0-10
单位
V
V
V
°C
NS / V
注1：必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
注2 ： VL和VH结构之间的电压差必须是0.5伏或更高。 （ VL
＆ LT ;
VH ）
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TC7WPB306,307FC/FK
电气特性
DC特性
（大
= 40
至85 ℃）下
特征
符号
测试条件
VL（V ）
1.65
≤
VL
＆ LT ;
2.3
高位
控制输入
电压
低电平
V
IL
OE （ 306 ） ， OE （ 307 ）
2.3
≤
VL
≤
5.0
VH结构（V）的
（ VL
+
0.5 ）至5.5
（ VL
+
0.5 ）至5.5
（ VL
+
0.5 ）至5.5
（ VL
+
0.5 ）至5.5
2.3
3.0
4.5
0
（ VL
+
0.5 ）至5.5
（ VL
+
0.5 ）至5.5
VL
VL
VL
VL
Ta
=
4085 ℃下
民
0.8
×
VL
0.7
×
VL
最大
单位
V
IH
参考（306） ，
OE
(307)
2.3
≤
VL
≤
5.0
1.65
≤
VL
＆ LT ;
2.3
0.2
×
VL
0.3
×
VL
9.5
7.0
5.5
±
1.0
±
1.0
±
1.0
V
导通电阻
（注）
R
ON
V
IS
=
0 V，I
IS
=
30毫安
（图2）
一，BN = 0 5.5V
一，BN
=
0至5.5 V
OE
=
VL ， OE
=
GND
Ω
关机漏电流
关断漏电流
控制输入电流
I
关闭
I
SZ
I
IN
I
VL1
0
μ
A
μ
A
μ
A
1.65 5.0
1.65 5.0
1.65 5.0
1.65 5.0
1.65 5.0
1.65 5.0
OE
或OE
=
0至5.5 V
V
IN
=
VL或GND ，我
S
=
0 A
V
IN
=
VL或GND ，我
S
=
0 A
VL
≤
V
IN
≤
5.5 V，I
S
=
0 A
VL
≤
V
IN
≤
5.5 V，I
S
=
0 A
2.0
2.0
±
2.0
±
2.0
μ
A
静态电源电流
I
VH1
I
VL2
I
VH2
注意：通电阻是通过测量横跨开关在指示电流的电压降进行测量。它
依赖于VH的电压。
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