TPA系列
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25
°
C)
符号
P
I
PP
I
TSM
余吨
dv / dt的
T
英镑
T
j
T
L
2
参数
在无限的散热器功耗
峰值脉冲电流
不重复浪涌峰值通态电流
我t值的融合
断态电压临界上升率
存储温度范围
最高结温
2
T
AMB
= 50
°
C
10/1000
s
8/20
s
TP = 20毫秒
TP = 20毫秒
V
RM
价值
1.7
50
100
30
9
5
- 55至+ 150
150
230
单位
W
A
A
A
2
s
千伏/
s
°C
°C
°C
从案例的最大铅temperatureforsolderingduring 10S为5mm
热阻
符号
R
th
（J -1）的
R
th
第（j-一）
参数
结到引线（L
领导
= 10mm)
结到环境的印刷电路（L
领导
= 10 mm)
价值
60
100
单位
°
C / W
°
C / W
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
I
RM
V
R
V
BR
V
BO
I
H
I
BO
I
PP
C
TYPE
参数
对峙电压
在对峙电压漏电流
连续反向电压
击穿电压
击穿电压
保持电流
导通电流
峰值脉冲电流
电容
I
RM
@ V
RM
马克斯。
A
V
I
R
@ V
R
马克斯。
注1
A
V
V
BO
@ I
BO
马克斯。
注2
V
mA
I
H
分钟。
注3
mA
C
马克斯。
注4
pF
TPA62
TPA68
TPA100
TPA120
TPA130
TPA180
TPA200
TPA220
TPA240
TPA270
注1 ：
注3 ：
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
56
61
90
108
117
162
180
198
216
243
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
62
68
100
120
130
180
200
220
240
270
注2 ：
注4 ：
82
90
133
160
173
240
267
293
320
360
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
100
100
100
100
100
100
100
100
I
R
测量V
R
保证V
BRmin
≥
V
R
见测试电路2 。
测量在50赫兹（ 1个周期） - 见测试电路1 。
V
R
= 1V ， F = 1MHz的。参见图3对C与V
R
.
2/5
TPA系列
测试电路1 FOR I
BO
和V
BO
参数：
TP = 20ms的
AUTO
变压器
220V/2A
STATIC
继电器。
K
R1
140
R2
240
220V
VOUT
IBO
措施
变压器
220V/800V
5A
D.U.T
V BO
措施
测试步骤：
脉冲测试持续时间（ TP = 20毫秒） ：
- 对于双向器件=开关K闭合
- 单向设备=开关K断开。
V
OUT
选择
- 设备与V
BO
＆ LT ;
200伏
- V
OUT
= 250 V
RMS
, R
1
= 140
.
- 设备与V
BO
≥
200伏
- V
OUT
= 480 V
RMS
, R
2
= 240
.
测试电路2我
H
参数。
R
D.U.T.
V
BAT
= - 48 V
浪涌发生器
- V
P
这是一个GO - NOGO测试，其允许确认的保持电流（I
H
在一个功能性）水平
测试电路。
测试步骤：
1）调整所述电流电平在我
H
值由短路的D.U.T.的AK
2 ）消防用浪涌电流DUT ：伊普= 10A ， 10/1000
s.
3） DUT会回来的关断状态在50毫秒内最大。
3/5
TPA系列
订货编号
TPA 100
RL
TRISIL保护50A
电压
包装：
RL =磁带和卷轴。
= Ammopack 。
标记：
标识，日期代码，产品型号。
包装机械数据
F126塑料
尺寸
REF 。
C
A
C
MILLIMETERS
分钟。
典型值。马克斯。分钟。
6.20
3.00
英寸
典型值。马克斯。
A
B
D
D
B
6.05
2.95
26
0.76
6.35 0.238 0.244 0.250
3.05 0.116 0.118 0.120
31
1.024
1.220
C
D
0.81
0.86 0.030 0.032 0.034
重量：
0.40 g
包装
：标准包装是在磁带和卷轴。
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1998年意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 墨西哥 - 摩洛哥 -
荷兰 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
http://www.st.com
5/5
SMP50 / SMTPA / TPA
TRISIL 电信设备保护
特点
■
双向过压保护
■
电压范围从62V到270V
■
低电容为12pF从到20pF的@ 50V
■
低漏电流：I
R
= 2μA（最大）
■
保持电流：我
H
= 150 mA（最小值）
■
重复峰值脉冲电流：
I
PP
= 50 A（ 10 / 1000μs ）
主要应用
电信设备，如：
■
■
SMA
（ JEDEC DO- 214AC ）
SMP50
SMB
（ JEDEC DO- 214AA ）
SMTPA
模拟和数字线路卡（的xDSL ， T1 / E1，
ISDN ，...）
终端（电话机，传真机，调制解调器，...）和中央
FFI CE设备
DO-15
TPA
描述
这些TRISIL系列已被设计来保护
防雷击电信设备
和瞬态由AC电源线引起的。
他们可在SMA ， SMB和DO- 15
包。
好处
Trisils不受老化，并提供一个失败
安全模式短路了更好的保护。
它们被用来帮助设备，以满足不同的
如UL1950 ， IEC950 / CSA C22.2标准，
UL1459及FCC第68部分。
Trisils具有UL94 V0批准的树脂。
SMA和SMB封装是JEDEC注册
（DO- 214AC和DO- 214AA ） 。
Trisils是UL497B批准（文件： E136224 ） 。
表1 ：订购代码
产品型号
SMP50-xxx
TPAxxx
SMTPAxxx
图1 ：示意图
记号
请参阅第9页
2004年11月
第1版
1/10
SMP50 / SMTPA / TPA
图8 ：热阻抗的变化
结点到环境与脉冲持续时间
（印刷电路板FR4， SCU = 35微米，
推荐焊盘布局）
Z
号（j -a）的
（ ° C / W）
1E+2
2.5
T
j
=25°C
F=1MHz
V
RMS
=1V
图9 ：结的相对变化
电容与反向电压应用
（典型值）
C [ V
R
] / C [V
R
=50V]
2.0
SMTPA / TPA
1E+1
1.5
SMP50
1.0
1E+0
0.5
t
p
(s)
1E-1
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
0.0
1
2
5
10
V
R
(V)
20
50
100
300
图10：对动态I测试电路1
BO
和V
BO
参数
100 V / μs的， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 50 A
2
45
66
470
83
0.36 nF的
46 H
U
10 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
1千伏/微秒， di / dt的< 10 A / μs的，则IPP = 10 A
26 H
250
12
47
46 H
U
60 F
KeyTek “系统2 ”发生器PN246I模块
5/10
SMP50 / SMTPA / TPA
TRISIL 电信设备保护
特点
■
■
■
■
■
■
双向过压保护
电压范围为62 V至320 V
低电容从12 pF到20 pF的@ 50 V
低漏电流：I
R
± 2 μA（最大值）
保持电流：我
H
= 150 mA（最小值）
重复峰值脉冲电流：
I
PP
= 50 A（ 10/1000微秒）
SMB
SMA
（ JEDEC DO- 214AC ） （ JEDEC DO- 214AA ）
SMTPA
SMP50
主要应用
电信设备，如：
■
■
模拟和数字线路卡（的xDSL ， T1 / E1，
ISDN ，...）
终端（电话机，传真机，调制解调器，...）和中央
FFI CE设备
DO-15
TPA
描述
这些TRISIL系列已被设计来保护
防雷击电信设备
和瞬态由AC电源线引起的。
他们可在SMA ， SMB和DO- 15
包。
订购代码
产品型号
SMP50-xxx
TPAxxx
SMTPAxxx
SEE
订购信息
第9页
记号
好处
Trisils不受老化，并提供一个失败
安全模式短路了更好的保护。
它们被用来帮助设备，以满足不同的
如UL1950 ， IEC950 / CSA C22.2标准，
UL1459及FCC第68部分。
Trisils具有UL94 V0批准的树脂。
SMA和SMB封装是JEDEC注册
（DO- 214AC和DO- 214AA ） 。
Trisils是UL497B批准（文件： E136224 ） 。
TM ： TRISIL是意法半导体公司的商标。
原理图
2007年6月
REV 3
1/11
www.st.com
11
BL
特点
银河电子
1N6267- - -1N6303A
击穿电压： 6.8 --- 200伏
峰值脉冲功率： 1500 W
瞬态电压抑制器
塑料包装
有
美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
玻璃钝化结
有10 / 1000μs 1500W峰值脉冲功率能力
波形，重复率（占空比） ： 0.05％
出色的钳位能力
低增量浪涌电阻
快速响应时间：通常小于1.0ps从0伏特至
V
（ BR ）
对于单向和5.0ns的双向类型
对于V器件
（ BR ）
10V ， ID通常比小于1.0μA
/ 10秒
高tem温度焊接保证： 265
DO-201AE
0.375"设计（9.5mm ）引线长度， 51bs 。 （ 2.3千克）张力
机械数据
案例： JEDEC DO - 201AE ，模压塑料
极性：色环表示正端
（阴极），除了用于双向
重量： 0.032盎司，
0.9
克
安装位置：任意
对于双向应用的器件
对于双向使用C或CA后缀类型1N6267直通类型1N6303A （如1N6267 ， 1N6303A ） 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值和特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
符号
山顶POW ER消耗瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ，图1 ）
峰值脉冲电流瓦特第i个10 / 1000μs瓦特aveform （注1 ）
稳态POW ER功耗在T
L
=75
fffff
铅长度0.375"设计（9.5mm ） （注2 ）
山顶FORW ARD浪涌电流， 8.3ms单半
ffffsine -W
AVE叠加在额定负荷（ JEDEC的方法） （注3 ）
在最大瞬时FORW ARD电压
100
一种单向止（注4 ）
典型热阻结到引线
典型热阻结到环境
工作结存储温度范围
价值
最低1500
参照表1
6.5
200.0
3.5/5.0
20
75
-50---+175
单位
W
A
W
A
V
/W
/W
P
PPM
I
PPM
P
M（ AV）在
I
FSM
V
F
R
θ
JL
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
注：（1）非重复性电流pules ，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25元图。 2
（ 2 ）安装在1.6" X 1.6" （ 40 x40mm铜焊盘面积
2
）每图。五
（ 3 ）测量8.3ms经单半正弦波-W AVE或equare瓦特大街，占空比= 4个脉冲每分钟最高
(4) V
F
= 3.5伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
200V ，而V
F
= 5.0伏特最大值。对于V的设备
（ BR ）
>200V
www.galaxycn.com
文档编号0285011
BL
银河电子
1.
在（T电气特性
A
=25
Breakdow
电压V
（ BR ）
(V)
(NOTE1)
民
1N6286
1N6286A
1N6287
1N6287A
1N6288
1N6288A
1N6289
1N6289A
1N6290
1N6290A
1N6291
1N6291A
1N6292
1N6292A
1N6293
1N6293A
1N6294
1N6294A
1N6295
1N6295A
1N6296
1N6296A
1N6297
1N6297A
1N6298
1N6298A
1N6299
1N6299A
1N6300
1N6300A
1N6301
1N6301A
1N6302
1N6302A
1N6303
1N6303A
38.7
40.9
42.3
44.7
45.9
48.5
50.4
53.2
55.8
58.9
61.2
64.6
67.5
71.3
73.8
77.9
81.9
86.5
90.0
95.0
99.0
105
108
114
117
124
136
143
144
152
153
162
162
171
180
190
最大
47.3
45.2
51.7
49.4
56.1
53.6
61.8
58.8
68.2
65.1
74.8
71.4
82.5
78.8
90.2
86.1
100
95.5
110
105
121
116
132
126
143
137
165
158
176
168
187
179
198
189
220
210
除非另有说明）
最大
反向
LEAKGE
在V
WM
I
D（注3） （ μ
A
)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.
0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
高峰普尔斯ê
I
PPM(NOTE2)
(A)
24.2
25.3
22.1
23.1
20.4
21.4
18.6
19.5
16.9
17.6
15.3
16.3
13.9
14.6
12.7
13.3
11.5
12.0
10.4
10.9
9.5
9.9
8.7
9.1
8.0
8.4
7.0
7.2
6.5
6.8
6.1
6.4
5.8
6.1
5.2
5.5
表1 （续'D ）
最大
夹紧
电压
I
PPM
V
C
(V)
61.9
59.3
67.8
64.8
73.5
70.1
80.5
77.0
89.0
85.0
98.0
92.0
109
104
118
113
131
125
144
137
158
152
173
165
187
179
215
207
230
219
244
234
258
246
287
274
最大
温度
系数
V的
（ BR ）
(%/ )
0.101
0.101
0.101
0.101
0.102
0.102
0.103
0.103
0.104
0.104
0.104
0.104
0.105
0.105
0.105
0.105
0.106
0.106
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.107
0.108
0.106
0.106
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
设备类型
试验台客
电流电压
在我
T
V
WM
（MA ）
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
34.8
36.8
38.1
40.2
41.3
43.6
45.4
47.8
50.2
53.0
55.1
58.1
60.7
64.1
66.4
70.1
73.7
77.8
81.0
85.5
89.2
94.0
97.2
102
105
111
121
128
130
136
138
145
146
154
162
171
注：对于双向使用C或CA后缀类型
1N6267
直通型
1N6303A(e.g.1N6267,1N6303A).
电动
特征适用于两个方向。
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文档编号0285011
BL
银河电子
3.
收视率和特性曲线
峰值脉冲功率（P ）或电流
PP
1N6267- -
-1N6303A
图1 - 额定峰值脉冲功率曲线
P
PPM
，峰值脉冲功率，千瓦
100
不重复
脉冲波形
如果如图3所示
T
A
=25
10
图2 - 脉冲降额曲线
降额百分比， ％
100
75
50
1.0
25
0.1
0.1μ
s
1.0μ
s
10μ
s
100μ
s
1ms
10ms
(I
PPM
)
TOL ，脉宽，美国证券交易委员会。
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
FIG.3
- 脉冲波形
150
PULES宽度（ TD ）
是DEFINDE作为
地步
峰值电流
衰减到50％的
I
PPM
TA ，环境温度。
I
PPM
，峰值脉冲电流， ％
tr=10
Μ
S EC
峰值
I
PPM
图4 - 典型结电容
HHHHHHHH HUNIDIRECTIONAL
100
半值 - 我
PPM
2
6.000
T
J
=25
f=1.0MH
Z
Vsig=50mVp-p
在测
ZEROBIAS
50
C
J
，结电容， pF的
10/1000
Μ
EC 。
波形
DEFINDE由R.E.A.
10.000
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
T，时间，ms
图5 - 稳态功率降额曲线
P
M（ AV）在
， STRADY国家电力
1.00
1000
在测
对峙
电压，V
WM
L=0.375"(9.5mm)
导线长度
耗散，W
0.75
60 H
Z
RESISTIVEOR
感性负载
10
1.0
10
100
200
0.50
0.25
1.6 ×1.6× 0.040"
（ 40 ×40× 1毫米。 ）
铜散热器
V
（ BA ）
，击穿电压，V
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
L
，焊接温度，
I
D
，瞬时反向
I
FSM
，峰值正向浪涌
图7 - 典型的反向漏
JJJJJJJJJJJJJJJJJJCHARACTERISTICS
1 .0 0 0
图6 - 最高可非重复正向
HHHHHH HSURGE
电流单向只
200
漏电流，
mA
100
M E A S ü - [R E D为T D E V IC （E S）
S T A N - O F F V L T A G E，
V女男
目前，A
100
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单正弦半MAVE
（ JEDEC的方法）
10
1
0 .1
T
A
= 25
℃
0 .0 1
0 .0 0 1
0
100
200
300
400
440
500
10
1
10
100
V
（ BR ）
，击穿电压，V
循环次数在60赫兹
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文档编号0285011
BL
银河电子
4.
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