T1620W
T1630W
无缓冲器TRIAC
特点
I
真有效值
= 16 A
V
DRM
= V
RRM
= 400V到700V
出色的开关表演
绝缘电压= 1500V
（ RMS）
U.L.确认： E81734
描述
在T1620 / 1630W三端双向可控硅使用高性能
玻璃钝化芯片技术，封装在一个完全
模压塑料ISOWATT220AB包。
在无缓冲器
TM
概念提供suppres-
锡永的R-C网络，并适合应用
系统蒸发散如相位控制和静态开关
感性和阻性负载。
绝对额定值
（限制值）
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
（ 360°导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
(T
j
初始= 25 ° C）
参数
TC = 75℃
TP = 16.7毫秒
（ 1个循环， 60赫兹）
TP = 10毫秒
（1/2周期， 50赫兹）
I
2
t
的di / dt
I
2
吨值（半循环， 50赫兹）
通态电流临界上升率
门源：我
G
= 500毫安
dI
G
/ DT = 1 A / μs的。
TP = 10毫秒
重复
F = 50赫兹
不重复
T
英镑
T
j
Tl
存储温度范围
工作结温范围
在10秒在4.5毫米最大无铅焊接温度的
从案例
参数
400
V
DRM
V
RRM
1995年4月
A
2
A
1
G
A
1
A
2
G
ISOWATT220AB
（塑胶）
价值
16
165
195
190
20
100
- 40 + 150
- 40至+ 125
260
单位
A
A
A
2
s
A / μs的
°C
°C
符号
T1620 / 1630 - xxxW
600
600
700
700
单位
重复峰值断态电压
T
j
= 125°C
400
V
1/5
T1620W / 1630W
热阻
符号
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
结到环境
结到外壳的A.C （ 360 °导通角）
参数
价值
50
2.5
单位
° C / W
° C / W
GATE特性
（最大值）
P
G（ AV ）
= 1 W P
GM
= 10 W（ TP = 20
s)
电气特性
符号
I
GT
V
GT
V
GD
TGT
I
H
*
V
TM
*
I
DRM
I
RRM
的dV / dt *
（的dV / dt ） C *
测试条件
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
V
D
=V
DRM
I
G
= 500毫安
dl
G
/ DT = 3Aμs
I
T
= 250毫安
门打开
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
线性斜率高达
门打开
V
D
=67%V
DRM
（ di / dt的）C = 9 A / MS
（见注）
TJ = 125°C
TJ = 125°C
象限
I-II-III
I-II-III
I-II-III
I-II-III
最大
最大
民
典型值
最大
最大
最大
最大
民
民
200
10
35
1.5
10
2
300
20
T1620
20
1.5
0.2
2
50
V
A
mA
V / μs的
V / μs的
T1630
30
单位
mA
V
V
s
I
GM
= 4 A（ TP = 20
s)
I
TM
= 22.5A TP = 380μs
额定VDRM
V
RRM
评级
*对于任一极性的电极A2的电压的参考电极A1中。
注意：
在通常的应用中（的dI / dt的） c是低于9的A / ms，则（的dV / dt ） C是始终大于10V / μs的下部，并且，因此，它是
不必要
使用一个
snuber RC网络翻过T1620W / T1630W三端双向可控硅。
2/5
T1620W / 1630W
图1 ：
最大功耗与RMS
通态电流。
图2 ：
最大功率耗散之间的关系
而不能使与最高允许温度
（环境温度Tamb和温度上限）为不同的热阻
散热器+联系。
P（ W）的
180
O
P（ W）的
温度上限（
o
C)
RTH = 0
o
C / W
1
o
C / W
o
2 C / W
4
o
C / W
25
20
15
10
5
= 180
= 120
= 90
o
o
o
o
25
20
15
-60
-70
-80
-90
= 60
= 30
o
10
5
-100
-110
TAMB （ C）
o
I
T（ RMS ）
(A)
0
0 1 2
3 4 5
6 7 8
9 10 11 12 13 14 15 16
-120
40
60
80
100
120
140
0
0
20
图3 ：
开启状态RMS电流与温度的情况下
真实存在。
图4 ：
瞬态热阻抗交界处
表壳和结点到环境与脉冲持续时间
化。
第Z / Rth的
1
第Z （J -C ）
20
I T （ RMS ） （A ）
15
= 180
o
0.1
的Zt ΔH（J -a）的
10
0.01
5
TCASE （ C）
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
1E-3
1E-2
1E-1
1E +0
1E +1
o
TP （多个）
1 E+2 5 E +2
图5 ：
门极触发电流的相对变化和
保持电流与结温。
IGT [ TJ ]
o
IGT [ TJ = 25℃ ]
IH [ TJ ]
o
IH [ TJ = 25℃ ]
图6 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
ITSM （ A）
200
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
IGT
TJ初始= 25℃
150
o
100
Ih
50
TJ （
o
C)
周期数
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
0
1
10
100
1000
3/5
T1620W / 1630W
包装机械数据
ISOWATT220AB
REF 。
A
B
B1
C
D
E
H
I
J
L
M
N
N1
O
P
尺寸
MILLIMETERS
英寸
分钟。
10
15.9
9.8
28.6
典型值16
9
4.4
3
2.5
0.4
2.5
4.95
2.4
1.15
0.75
9.3
4.6
3.2
2.7
0.7
2.75
5.2
2.7
1.7
1
马克斯。
10.4
16.4
10.6
30.6
分钟。
0.393
0.626
0.385
1.126
0.630
0.354
0.173
0.118
0.098
0.015
0.098
0.195
0.094
0.045
0.030
马克斯。
0.409
0.645
0.417
1.204
典型值
0.366
0.181
0.126
0.106
0.027
0.108
0.204
0.106
0.067
0.039
冷却方式：C
标记：型号数量
重量：2.1g
推荐的扭矩值： 0.55 M.N.
最大扭矩值： 0.70 M.N.
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
使用这些信息的后果也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THO MSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON微电子公司的书面批准。
1995 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
5/5
T1620W
T1630W
无缓冲器TRIAC
特点
I
真有效值
= 16 A
V
DRM
= V
RRM
= 400V到700V
出色的开关表演
绝缘电压= 1500V
（ RMS）
U.L.确认： E81734
描述
在T1620 / 1630W三端双向可控硅使用高性能
玻璃钝化芯片技术，封装在一个完全
模压塑料ISOWATT220AB包。
在无缓冲器
TM
概念提供suppres-
锡永的R-C网络，并适合应用
系统蒸发散如相位控制和静态开关
感性和阻性负载。
绝对额定值
（限制值）
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
（ 360°导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
(T
j
初始= 25 ° C）
参数
TC = 75℃
TP = 16.7毫秒
（ 1个循环， 60赫兹）
TP = 10毫秒
（1/2周期， 50赫兹）
I
2
t
的di / dt
I
2
吨值（半循环， 50赫兹）
通态电流临界上升率
门源：我
G
= 500毫安
dI
G
/ DT = 1 A / μs的。
TP = 10毫秒
重复
F = 50赫兹
不重复
T
英镑
T
j
Tl
存储温度范围
工作结温范围
在10秒在4.5毫米最大无铅焊接温度的
从案例
参数
400
V
DRM
V
RRM
1995年4月
A
2
A
1
G
A
1
A
2
G
ISOWATT220AB
（塑胶）
价值
16
165
195
190
20
100
- 40 + 150
- 40至+ 125
260
单位
A
A
A
2
s
A / μs的
°C
°C
符号
T1620 / 1630 - xxxW
600
600
700
700
单位
重复峰值断态电压
T
j
= 125°C
400
V
1/5
T1620W / 1630W
热阻
符号
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
结到环境
结到外壳的A.C （ 360 °导通角）
参数
价值
50
2.5
单位
° C / W
° C / W
GATE特性
（最大值）
P
G（ AV ）
= 1 W P
GM
= 10 W（ TP = 20
s)
电气特性
符号
I
GT
V
GT
V
GD
TGT
I
H
*
V
TM
*
I
DRM
I
RRM
的dV / dt *
（的dV / dt ） C *
测试条件
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
V
D
=V
DRM
I
G
= 500毫安
dl
G
/ DT = 3Aμs
I
T
= 250毫安
门打开
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
线性斜率高达
门打开
V
D
=67%V
DRM
（ di / dt的）C = 9 A / MS
（见注）
TJ = 125°C
TJ = 125°C
象限
I-II-III
I-II-III
I-II-III
I-II-III
最大
最大
民
典型值
最大
最大
最大
最大
民
民
200
10
35
1.5
10
2
300
20
T1620
20
1.5
0.2
2
50
V
A
mA
V / μs的
V / μs的
T1630
30
单位
mA
V
V
s
I
GM
= 4 A（ TP = 20
s)
I
TM
= 22.5A TP = 380μs
额定VDRM
V
RRM
评级
*对于任一极性的电极A2的电压的参考电极A1中。
注意：
在通常的应用中（的dI / dt的） c是低于9的A / ms，则（的dV / dt ） C是始终大于10V / μs的下部，并且，因此，它是
不必要
使用一个
snuber RC网络翻过T1620W / T1630W三端双向可控硅。
2/5
T1620W / 1630W
图1 ：
最大功耗与RMS
通态电流。
图2 ：
最大功率耗散之间的关系
而不能使与最高允许温度
（环境温度Tamb和温度上限）为不同的热阻
散热器+联系。
P（ W）的
180
O
P（ W）的
温度上限（
o
C)
RTH = 0
o
C / W
1
o
C / W
o
2 C / W
4
o
C / W
25
20
15
10
5
= 180
= 120
= 90
o
o
o
o
25
20
15
-60
-70
-80
-90
= 60
= 30
o
10
5
-100
-110
TAMB （ C）
o
I
T（ RMS ）
(A)
0
0 1 2
3 4 5
6 7 8
9 10 11 12 13 14 15 16
-120
40
60
80
100
120
140
0
0
20
图3 ：
开启状态RMS电流与温度的情况下
真实存在。
图4 ：
瞬态热阻抗交界处
表壳和结点到环境与脉冲持续时间
化。
第Z / Rth的
1
第Z （J -C ）
20
I T （ RMS ） （A ）
15
= 180
o
0.1
的Zt ΔH（J -a）的
10
0.01
5
TCASE （ C）
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
1E-3
1E-2
1E-1
1E +0
1E +1
o
TP （多个）
1 E+2 5 E +2
图5 ：
门极触发电流的相对变化和
保持电流与结温。
IGT [ TJ ]
o
IGT [ TJ = 25℃ ]
IH [ TJ ]
o
IH [ TJ = 25℃ ]
图6 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
ITSM （ A）
200
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
IGT
TJ初始= 25℃
150
o
100
Ih
50
TJ （
o
C)
周期数
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
0
1
10
100
1000
3/5
T1620W / 1630W
包装机械数据
ISOWATT220AB
REF 。
A
B
B1
C
D
E
H
I
J
L
M
N
N1
O
P
尺寸
MILLIMETERS
英寸
分钟。
10
15.9
9.8
28.6
典型值16
9
4.4
3
2.5
0.4
2.5
4.95
2.4
1.15
0.75
9.3
4.6
3.2
2.7
0.7
2.75
5.2
2.7
1.7
1
马克斯。
10.4
16.4
10.6
30.6
分钟。
0.393
0.626
0.385
1.126
0.630
0.354
0.173
0.118
0.098
0.015
0.098
0.195
0.094
0.045
0.030
马克斯。
0.409
0.645
0.417
1.204
典型值
0.366
0.181
0.126
0.106
0.027
0.108
0.204
0.106
0.067
0.039
冷却方式：C
标记：型号数量
重量：2.1g
推荐的扭矩值： 0.55 M.N.
最大扭矩值： 0.70 M.N.
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
使用这些信息的后果也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THO MSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON微电子公司的书面批准。
1995 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
5/5
T820W / T830W
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
I
GT(1)
V
GT
V
GD
I
H (2)
I
L
dv / dt的
(2)
（ di / dt的）C
(2)
V
D
=V
DRM
R
L
= 3.3kΩ的TJ = 125°C
I
T
= 250毫安
I
G
= 1.2I
GT
I - III
II
V
D
=67% V
DRM
门敞开着TJ = 125°C
如果没有缓冲TJ = 125°C
测试条件
V
D
= 12V
L
=30
象限
I-II-III
I-II-III
I-II-III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
35
70
80
300
8.5
T1620
20
1.3
0.2
50
80
100
500
11
T1630
30
单位
mA
V
V
mA
mA
mA
V / μs的
A / MS
静态特性
符号
V
TM(2)
V
TO(2)
R
d(2)
I
DRM
I
RRM
I
TM
= 22.5 A
测试条件
TP = 380μs
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
最大
价值
1.4
0.85
20
5
1
单位
V
V
m
A
mA
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
注1 ：
最小的IGT是guaranted在IGT的最大值的5％。
注2 ：
为A2的两极参考A1 。
热阻
符号
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
结到环境
结到外壳（ AC）
参数
价值
60
3.1
单位
° C / W
° C / W
产品选择
产品型号
T1620-600W
T1620-800W
T1630-600W
T1630-800W
电压
600V
800V
600V
800V
灵敏度
20毫安
20毫安
30毫安
30毫安
TYPE
无缓冲器
无缓冲器
无缓冲器
无缓冲器
包
ISOWATT220AB
ISOWATT220AB
ISOWATT220AB
ISOWATT220AB
2/5
T820W / T830W
图。 5 ：
浪涌峰值通态电流对数
的周期。
ITSM （ A）
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
10
100
1000
重复
Tc=80°C
不重复
TJ初始= 25°C
t=20ms
图。 6 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对于正弦脉冲宽度tp<10ms ，并
我相应的价值
2
t.
ITSM （A ） ，我T（A S）
10000
TJ初始= 25°C
di / dt的限制：
50A/s
2
2
1000
ITSM
I了
周期数
100
0.01
0.10
TP（ ms）的
1.00
10.00
图。 7 ：
门极触发电流的相对变化，
保持电流和闭锁电流对junc-
化温度（典型值） 。
IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL 〔环境温度为25 ℃]
3.0
2.5
2.0
1.5
IH & IL
图。 8 ：
减少爆击率的相对变化
主电流对重新申请的dV / dt （典型val-的
的UE ） 。
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.0
1.8
1.6
1.4
IGT
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.0
0.5
TJ （ ° C）
0.0
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
0.2
0.0
0.1
1.0
的dv / dt （V / μs）内
10.0
100.0
图。 9 ：
减少爆击率的相对变化
的主电流与结温。
（ di / dt的） C [ TJ ] / （ di / dt的） C [ TJ = 125 ° C]
8
7
6
5
4
3
2
1
TJ （ ° C）
0
0
25
50
75
100
125
4/5
T820W / T830W
包装机械数据
ISOWATT220AB
尺寸
REF 。
A
B
D
E
F
F1
F2
G
G1
H
L2
L3
L4
L6
L7
直径
MILLIMETERS
分钟。
4.40
2.50
2.50
0.40
0.75
1.15
1.15
4.95
2.40
10.00
28.60
9.80
15.90
9.00
3.00
马克斯。
4.60
2.70
2.75
0.70
1.00
1.70
1.70
5.20
2.70
10.40
30.60
10.60
16.40
9.30
3.20
英寸
分钟。
0.173
0.098
0.098
0.016
0.030
0.045
0.045
0.195
0.094
0.394
1.125
0.386
0.626
0.354
0.118
马克斯。
0.181
0.106
0.108
0.028
0.039
0.067
0.067
0.205
0.106
0.409
1.205
0.417
0.646
0.366
0.126
16.00典型。
0.630典型。
■
■
■
冷却方式：C
推荐的扭矩值： 0.55 M.N.
最大扭矩值： 0.70 M.N.
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暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
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公司意法半导体集团
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T1620W ， T1630W
无缓冲器 16A双向可控硅
特点
■
■
■
A2
I
T（ RMS ）
= 16 A
V
DRM
/ V
RRM
= 600 ， 700和800 V
I
GT
= 20 30毫安
G
A1
描述
基于ST的无缓冲器提供技术
高换演出，
T1620-600W / 700W / 800W和T1630-600W是
特别推荐用于电感的使用
负载，如电饭煲。它们符合UL
标准（参考E81734 ） 。
A1
A2
G
ISOWATT220AB
TM ：
无缓冲器是意法半导体公司的商标。
2011年10月
文档编号3759修订版1
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8
特征
T1620W ， T1630W
图5中。
I
TSM
(A)
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
浪涌通态电流与图6峰值。
周期数
10000
非重复浪涌峰值通态
电流为正弦
I
TSM
（A ） ，我
2
T（A
2
s)
T
j
initial=25°C
t=20ms
一个周期
不重复
T
j
initial=25°C
脉冲宽度t <10毫秒，
I了相应的价值
1000
di / dt的限制：
50A/s
重复
T
C
=80°C
I
TSM
I
2
t
周期数
100
10
100
1000
t
p
（女士）
0.01
0.10
1.00
10.00
图7 。
我相对变化
GT
,I
H
, I
L
vs
结温
（典型值）
网络连接gure 8 。
临界速度的相对变化
下降主要与当前的
（的dV / dt ）C （典型值）
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25°C]
3.0
2.0
1.8
2.5
1.6
1.4
1.2
1.5
I
GT
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.0
1.0
0.8
1.0
I
H
＆放大器;我
L
0.6
0.4
0.5
T
j
(°C)
0.0
-40 -30 -20 -10
0
10
20 30
40
50
60 70
80
90 100 110 120 130
0.2
0.0
0.1
1.0
（的dV / dt ） （V / μs）内
10.0
100.0
图9 。
减少主电流与结的临界速度的相对变化
温度
（ di / dt的）C [T
j
] / （ di / dt的）C [T
j
= 125°C]
8
7
6
5
4
3
2
1
T
j
(°C)
0
0
25
50
75
100
125
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