TP2520
TP2522
低门槛
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-200V
-220V
*
同SOT- 89 。
R
DS （ ON）
（最大）
12
12
V
GS （ TH）
（最大）
-2.4V
-2.4V
I
D（上）
（分钟）
-0.75A
-0.75A
订单号码/套餐
TO-243AA*
TP2520N8
TP2522N8
DIE
—
TP2522ND
产品供应在2000年一块载带卷盘。
MIL视觉筛选可用。
产品标识为TO- 243AA
特点
低门槛 - -2.4V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 125pF最大。
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
TP5C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
器和具有高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
D
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
11/12/01
G
D
S
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-243AA
(SOT-89)
注：请参阅尺寸封装外形部分。
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TP2520/TP2522
热特性
包
TO-243AA
I
D
（连续） *
-260mA
I
D
（脉冲的）
-2.0A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
1.6W
θ
jc
°
C / W
15
θ
ja
°
C / W
78
I
DR
*
-260mA
I
DRM
-2.0A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
TP2522
TP2520
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
-220
V
-200
-1.0
-2.4
4.5
-100
-10
-1.0
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
注意事项：
1，所有的DC参数，除非另有说明100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
典型值
最大
单位
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -2mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -200mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -200mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -200mA
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
通态漏电流
-0.25
-0.75
-0.7
-2.1
10
8.0
15
12
1.7
A
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
100
%/°C
m
250
75
20
10
125
85
35
10
15
20
15
-1.8
300
pF
ns
V
ns
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
（上）
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
2
V
DD
= -25V,
I
D
= -0.75A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
D.U.T.
产量
R
L
V
DD
TP2520/TP2522
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
50
1.1
40
导通电阻与漏电流
BV
DSS
（归一化）
V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
（欧姆）
30
1.0
20
V
GS
= -10V
10
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
T
j
(°C)
传输特性
-2.5
1.2
-2.0
I
D
（安培）
V
（ TH ）
和R
DS
随温度的变化
2.5
V
DS
= -25V
V
GS （ TH）
（归一化）
2.0
25°C
1.1
-1.5
1.5
1.0
125°C
-1.0
V
（ TH ）
@ -1mA
1.0
0.9
0.5
0.8
-0.5
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
200
-10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
-8
150
V
DS
= -10V
C（皮法）
V
GS
（伏）
-6
100
V
DS
= -40V
-4
C
国际空间站
50
200pF
-2
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
C
OSS
0
-40
0
73pF
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
11/12/01
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
T
A
= -55°C
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
@ -10V ， -0.2A
QQ：2881677436 复制
