TL(RE,OE,YE,GE,PGE)11TP(F)
东芝LED灯
TLRE11TP(F),TLOE11TP(F),TLYE11TP(F),
TLGE11TP(F),TLPGE11TP(F)
面板指示灯电路
单位：mm
铅（Pb ） - 免费的产品（铅：锡银铜）
5mm封装
InGaAP技术
所有塑料模具类型
透明镜片
高强度光发射
出色的低光电流输出
应用范围：
户外招牌消息，安全设备，汽车用等
阵容
产品名称
TLRE11TP(F)
TLOE11TP(F)
TLYE11TP(F)
TLGE11TP(F)
TLPGE11TP(F)
颜色
红
橙
黄
绿色
纯绿
材料
InGaAlP系
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
4-5T1
重量：0.49克（典型值）。
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
产品名称
TLRE11TP(F)
TLOE11TP(F)
TLYE11TP(F)
TLGE11TP(F)
TLPGE11TP(F)
50
4
120
40~100
40~120
正向电流
I
F
（MA ）
反向电压
V
R
(V)
功耗
P
D
（ mW）的
操作
温度
T
OPR
(°C)
存储
温度
T
英镑
(°C)
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2007-10-01
TL(RE,OE,YE,GE,PGE)11TP(F)
电气和光学特性
（大
=
25°C)
产品名称
典型值。发射波长
λ
d
λ
P
Δλ
发光强度
I
V
民
8.5
27.2
15.3
8.5
2.72
MCD
典型值。
20
65
45
20
8
I
F
20
20
20
20
20
mA
正向电压
V
F
典型值。
1.9
2.0
2.0
2.0
2..1
V
最大
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
I
F
20
20
20
20
20
mA
反向电流
I
R
最大
50
50
50
50
50
μ
A
I
F
20
20
20
20
20
mA
V
R
4
4
4
4
4
V
TLRE11TP(F)
TLOE11TP(F)
TLYE11TP(F)
TLGE11TP(F)
TLPGE11TP(F)
单位
630
605
587
571
558
(644)
(612)
(590)
(574)
(562)
nm
20
20
17
17
14
注意事项
请注意以下事项：
焊接温度： 260 ℃以下，焊接时间： 3秒以内
（焊接的引线部分：最大1.6毫米的装置的主体）
如果铅形成，所述引线应当形成为从装置的主体1.6毫米不形成应力
到树脂上。焊接后应率先形成进行。
这可见的LED灯还发出了一些红外光。
如果一个光电探测器靠近LED灯，请确保它不会受到此红外光。
2
2007-10-01
TL(RE,OE,YE,GE,PGE)11TP(F)
TLRE11TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
1000
500
300
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
发光强度IV（ MCD ）
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
（MA ）
100
50
30
正向电流IF
10
5
3
10
5
3
1
1.6
2.3
1
1
3
5
10
30
50
100
正向电压VF
(V)
正向电流I
F
（MA ）
I
V
TC =
3
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
相对发光强度IV
0.8
1
相对发光强度
20
0
20
40
60
80
0.6
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
0
580
600
620
640
660
680
700
壳温度（ ° C）
波长
λ
（纳米）
I
F
- TA
辐射方向图
TA = 25℃
80
IF （MA ）
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
60
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
容许正向电流
20°
10°
0°
10°
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta （C ）
3
2007-10-01
TL(RE,OE,YE,GE,PGE)11TP(F)
TLOE11TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
1000
500
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
30
发光强度IV（ MCD ）
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
300
（MA ）
100
50
30
正向电流IF
10
5
3
10
5
3
1
1.6
2.3
1
1
3
5
10
30
50
100
正向电压VF
(V)
正向电流I
F
（MA ）
I
V
TC =
3
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
相对发光强度IV
0.8
1
相对发光强度
20
0
20
40
60
0.6
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
80
0
540
560
580
600
620
640
660
壳温度（ ° C）
波长
λ
（纳米）
I
F
- TA
辐射方向图
TA = 25℃
80
IF （MA ）
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
60
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
容许正向电流
20°
10°
0°
10°
20°
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta （C ）
4
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TL(RE,OE,YE,GE,PGE)11TP(F)
TLYE11TP(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
1000
500
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
发光强度IV（ MCD ）
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
300
（MA ）
100
50
30
正向电流IF
10
5
3
10
5
3
1
1.6
2.3
1
1
3
5
10
30
50
100
正向电压VF
(V)
正向电流I
F
（MA ）
I
V
TC =
3
相对发光强度 - 波长
1.0
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
0.8
相对发光强度IV
1
相对发光强度
0.6
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
540
560
580
600
620
640
660
壳温度（ ° C）
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
TA = 25℃
I
F
- TA
80
IF （MA ）
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
60
10°
20°
容许正向电流
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta （C ）
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2007-10-01
QQ：2880707522 复制
