TN2130
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
300V
R
DS ( ON)
(最大)
25
V
GS ( TH)
(最大)
2.4V
订单号码/套餐
TO-236AB*
TN2130K1
DIE
TN2130ND
产品标识为SOT- 23 :
N1T
哪里
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
先进的DMOS技术
这些增强模式(常关)晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征,这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压,高输入阻抗,低输入电容,并快速
开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
漏
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
门
来源
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
注:请参阅尺寸封装外形部分。
11/12/01
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agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任,并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的,由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更,恕不另行通知。有关最新的产品规格,请参阅
Supertex公司网站: http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息,请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TN2130
热特性
包
TO-236AB
I
D
(连续) *
85mA
I
D
(脉冲的)
200mA
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
θ
jc
°
C / W
200
θ
ja
°
C / W
350
I
DR
*
85mA
I
DRM
200mA
*
I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
300
0.8
2.4
-5.5
100
10
100
I
D(上)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
注意事项:
1.所有的DC参数,除非另有说明, 100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
A
mA
条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1mA时, V
GS
= V
DS
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 120毫安
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 120毫安
V
DS
= 25V ,我
D
= 100毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
通态漏电流
静态漏 - 源极导通电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
250
25
1.1
250
50
15
5
10
7
12
15
1.8
400
%/°C
m
pF
ns
V
ns
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
(上)
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
t
D(上)
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
= 25V,
I
D
= 120毫安
R
根
= 25
I
SD
= 120毫安,V
GS
= 0V
I
SD
= 120毫安,V
GS
= 0V
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
TN2130
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
50
导通电阻与漏电流
40
V
GS
= 4.5V
BV
DSS
(归一化)
R
DS ( ON)
(欧姆)
30
V
GS
= 10V
1.0
20
10
0.9
-50
0
50
100
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
j
(°C)
传输特性
1.0
I
D
(安培)
V
TH
和R
DS
随温度的变化
2.0
1.2
V
=
= 15V
V
DS
DS
15V
0.8
V
GS ( TH)
(归一化)
1.1
1.2
1.0
0.8
0.9
0.6
T
A
= -55°C
0.4
125°C
0.2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
V
GS ( TH)
@ 1毫安
0.4
0
100
150
V
GS
(伏)
电容与漏 - 源极电压
50
10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
8
C(皮法)
V
DS
= 10V
V
GS
(伏)
C
国际空间站
25
6
80 pF的
4
V
DS
= 40V
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
2
28pF
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
DS
(伏)
Q
G
( nanocoulombs )
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动,桑尼维尔, CA 94089
电话: ( 408 ) 744-0100 传真: ( 408 ) 222-4895
www.supertex.com
R
DS ( ON)
(归一化)
11/12/01
25°C
R
DS ( ON)
@ 4.5V , 120毫安
1.6
I
D
(安培)