TC7W14FU/FK
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC7W14FU , TC7W14FK
施密特反相器
该TC7W14很高速度C
2
MOS施密特逆变器制造
与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道,同时保持了C
2
MOS低功耗。
销结构和功能是相同的TC7WU04
但投入有25 % VCC滞后和其施密特
触发功能, TC7W14可以用作一个线路接收机
将接收缓慢的输入信号。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
TC7W14FU
(SM8)
特点
高速:吨
pd
= 11 ns(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 1μA (最大值)在TA = 25℃
高抗干扰性: V
H
= 1.1 V在V
CC
= 5V
输出驱动能力: 10输入通道负载
对称的输出阻抗: | I
OH
| = I
OL
= 4毫安( MIN )
平衡传输延迟:吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围: V
CC
( OPR) = 2 6V
TC7W14FK
(US8)
记号
TC7W14FU
产品型号
重量
SSOP8 -P - 0.65 0.02克(典型值)。
SSOP8 -P - 0.50A 0.01克(典型值)。
7W14
LOT号
TC7W14FK
产品型号
W
14
1
2012-11-01
TC7W14FU/FK
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
存储温度范围
焊接温度( 10秒)
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
等级
0.5
7到
0.5
到V
CC
+
0.5
0.5
到V
CC
+
0.5
±20
±20
±25
±25
300 ( SM8 )
200 ( US8 )
65
150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使
的操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
引脚配置
( TOP VIEW )
V
CC
8
1Y
7
3A
6
2Y
5
1A
1
3Y
2
2A
3
GND
4
逻辑图
1A
2A
3A
1Y
2Y
3Y
真值表
A
L
H
Y
H
L
2
2012-11-01
TC7W14FU/FK
AC电气特性
(C
L
=
15 pF的,V
CC
=
5 V ,TA
=
25°C)
特征
符号
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
测试条件
Ta
=
25°C
民
典型值。
4
11
最大
8
21
单位
输出转换时间
传播延迟时间
ns
ns
AC电气特性
(C
L
=
50 pF的输入吨
r
=
t
f
=
6 NS )
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
2.0
输出转换时间
t
TLH
t
THL
4.5
6.0
2.0
传播延迟时间
t
PLH
t
PHL
C
IN
C
PD
4.5
6.0
(注)
民
Ta
=
25°C
典型值。
30
8
7
42
14
12
5
28
最大
75
15
13
125
25
21
10
Ta
= 40
至85℃
民
最大
95
19
16
155
31
26
10
pF
pF
ns
ns
单位
输入电容
功耗
电容
注:C
PD
被定义为集成电路的内部等效电容,它从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以通过公式下面来获得。
I
CC ( OPR )
=
C
PD
V
CC
f
IN
+
I
CC
/ 3 (每门)
4
2012-11-01