TMS28F1600T ， TMS28F1600B
16M位（ 1M ×16 ， 2M ×8 ）
并发操作AUTO- SELECT引导块闪存
SMJS836 - 1997年1月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
自动选择V
CC
和V
PP
电压
- 2.7 V ， 3.3 V或5 V读操作（V
CC
)
- 2.7 V ， 3.3 V ， 5 V或12 V计划擦除
(V
PP
)
快速读取访问时间
– 5 V:
80/90 ns（最大值）
- 2.7 V ， 3.3 V ： 90/100 ns（最大值）
低功耗（V
CC
= 5.5V)
- 主动写
220毫瓦（字节模式）
- 有效的读
248毫瓦（字节模式）
- 主动写
220毫瓦（字模式）
- 有效的读
248毫瓦（字模式）
- 块擦除220兆瓦
- 待机
0.55毫瓦
- 深度掉电模式0.044毫瓦
自动省电模式
部门架构
- 一个16K字节的受保护的引导块
- 两个8K字节的参数块
- 一个96K字节的主座
- 十五128K字节的主块
- 顶部或底部启动位置
用户可选x8或x16操作
完全自动化的片擦除和
字节/字编程操作
所有输入/输出TTL兼容
支持并行操作
- 读期间计划
- 读期间清除
- 程序在擦除
- 两字节/ -word编程
- 两个扇区擦除组合
D
D
D
D
D
D
D
增强的挂起选项
- 扇区擦除暂停阅读
- 扇区擦除挂起到程序
- 程序 - 暂停阅读
命令集兼容上
Flash的一代
间单的操作和过渡
并发操作模式由路
软件命令
10万编程/擦除周期每扇区
硬件写保护的引导块
两个温度范围
=商业
0 ° C至70℃
扩展
- 40 ° C至85°C
行业标准包装（ JEDEC ）
- 48引脚TSOP （ DCD后缀）
A0 – A19
字节
DQ0 - DQ14
DQ15/A–1
CE
OE
NC
RP
VCC
VPP
VSS
WE
WP
地址输入
字节使能
数据输入/出
数据输入/输出（字宽模式）
低位地址（字节宽的模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无内部连接
复位/深度掉电
电源
电源的编程/擦除
地
写使能
写保护
描述
该TMS28F1600T / B是16777216位，引导块闪速存储器可以电块擦除和
重新编程。该TMS28F1600T / B被组织在一个扇形的建筑由一个16K字节
受保护的引导扇区，二8K字节的扇区参数，一是96K字节的主业，而15 128K字节的主
部门。操作作为一个2M字节（8位）或1M字（ 16位）的组织是用户可选择的。
嵌入方案和块擦除功能是由两个片上写状态机的全自动
（ WSMS ） ，简化这些操作，减轻这些次要任务系统微控制器。 WSM
状态可通过两个片上的状态寄存器，一个用于每个WSM ，来确定进展进行监测
编程/擦除任务。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
在单一操作模式
产品预览资料涉及产品的形成或
开发设计阶段。特征数据和其他
规格是设计目标。德州仪器公司保留权利，以
变更通知或不通知终止这些产品。
版权
1997年，德州仪器
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1
产品预览
PIN NOMENCLATURE
TMS28F1600T ， TMS28F1600B
16M位（ 1M ×16 ， 2M ×8 ）
并发操作AUTO- SELECT引导块闪存
SMJS836 - 1997年1月
TMS28F1600T/B
48引脚TSOP （ DCD ）
（ TOP VIEW ）
产品预览
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
RP
V
PP
WP
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
V
SS
DQ15 / A
–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
2
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TMS28F1600T ， TMS28F1600B
16M位（ 1M ×16 ， 2M ×8 ）
并发操作AUTO- SELECT引导块闪存
SMJS836 - 1997年1月
描述（续）
在“ 28F1600具有自动选择功能，可让用户可选择读取和编程/擦除电压为
最大的灵活性。内存读取可以使用V进行
CC
= 2.7或3.3 V ，以获得最佳的功耗
或V
CC
= 5V器件的性能。擦除或编程装置可以完成与
V
PP
= 2.7 V ，3.3 V或5 V这消除了必须使用一个12 -V的源和/或在系统电压的转换器。
可替代地， 12 - V V
PP
存在已经有一个12伏电源系统的运行。
装置符号命名
TMS28F1600
T
80
C
DCD
L
温度范围代号
L =
0 ° C至70℃
E = - 40 ° C至85°C
封装标识
DCD =塑料双小外形封装（ 48引脚）
速度代号
80 = 80 ns的
90 = 90纳秒
引导块位置指示器
T =热门地点
B =底部位置
表1. V
CC
/ V
PP
电压配置
设备CON组fi guration
TMS28F1600T
TMS28F1600B
3 -V范围表示2.7 V至3.6 V最大。
读电压（ VCC）的
2.7 V至3.6 V ， 5 V
±
10 %
2.7 V至3.6 V ， 5 V
±
10 %
编程/擦除电压（ VPP ）
＆ QUOT ;
5%
3 V/5 V
±
10％或12伏
＆ QUOT ;
5%
3 V/5 V
±
10％或12伏
架构
该TMS28F1600T / B采用的是扇形架构，使所选的内存块独立擦除。
该部门将被擦除选择通过使用行业内的任何有效地址。
该TMS28F1600T / B具有两（2）存储器区块。 A银行包括：
D
D
D
D
D
一个16K字节的保护引导扇区
两个8K字节的扇区参数
一个96K字节的主业和
七128K字节的主业
和存储体B的组成：
八128K字节的主业
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3
产品预览
编程/擦除次数
C = 100 000次
B = 10 000次
TMS28F1600T ， TMS28F1600B
16M位（ 1M ×16 ， 2M ×8 ）
并发操作AUTO- SELECT引导块闪存
SMJS836 - 1997年1月
体系结构（续）
嵌入式程序和块擦除功能，每个存储体由一个单独的完全自动化，
独立WSM 。具有两个WSMS ，每个控制一个存储体（存储空间8M比特），整体
系统性能是通过使该装置大大提高了要被编程/擦除在一个银行而
同时从其他存储体的另一个扇区中读取数据。该装置也可以是
擦除/在一个存储体的一个扇区编程的同时，擦除/在另一个程序
行业其他存储体。
在每个银行暂停命令可以用来暂停擦除操作，或从程序读取
数据到另一个部门没有被删除。该暂停命令，也可以使用暂停程序
操作，使得从任意地址位置比1被编程的其他数据可以被读出。
该TMS28F1600可与扇形架构映射到位于上方的引导块
（ TMS28F1600T ）或底部（ TMS28F1600B ）存储器阵列的所要求的不同的
微处理器。底部引导块被映射与位于低位的16K字节的引导块
地址范围（ 00000H到01FFFH ，文字模式） 。顶部引导块映射与16K字节的引导块
位于高位地址范围（ FFFFFh地址为FE000h ，文字模式） 。图1和图2示出了
分别的存储器映射的顶部和底部引导块的配置。
产品预览
引导扇区数据保护
在16K字节的引导块可以被用于存储在正常工作很少改变密钥的系统数据。数据
在这个块可以通过使用复位/掉电销（RP）的不同组合进行保护，写保护
引脚（ WP）和VPP供给水平。参照表2对这些组合中的一个列表。
表2的数据保护组合
资料保护提供
所有部门锁定
锁定所有部门（重置）
所有行业解锁
只有引导块锁定
VPP
VPPLK
X
RP
X
VIL
VHH
VIH
VIH
WP
X
X
X
VIH
VIL
VPPLK
VPPLK
VPPLK
4
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功能框图
VPP
写
状态
机
A
地址
计数器
A
X解码器
Y译码
门控/ Senting
16K-
字节
BOOT
块
8K-
字节
PARA
128K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
8K-
字节
PARA
96K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
计划/
抹去
Voltge
开关
数据
比较
I / O
逻辑
字节
DQ8 - DQ15 / A - 1
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
RP
产量
卜FF器
产量
卜FF器
输入
卜FF器
输入
卜FF器
命令
状态
机
A
A0 – A19
输入
卜FF器
ID寄存器
输出多路复用器
状态寄存器A
状态寄存器B
地址
LATCH
地址
解码器
数据
寄存器A
TMS28F1600T ， TMS28F1600B
16M位（ 1M ×16 ， 2M ×8 ）
并发操作AUTO- SELECT引导块闪存
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
数据
比较
Y译码
门控/传感
X解码器
128K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
128K-
字节
主
计划/
抹去
电压
开关
数据
寄存器B
命令
状态
机
B
地址
计数器
B
写
状态
机器B
VPP
SMJS836 - 1997年1月
5
产品预览
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