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TC74HC174AP/AF/AFN
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HC174AP,TC74HC174AF,TC74HC174AFN
HEX D型触发器与Clear FLOP
该TC74HC174A是一个高速CMOS D型触发器
制造与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道,同时保持CMOS低功耗。
施加给D输入端的信息信号被传输到
在时钟脉冲的正向边沿的Q输出。
CLR
输入为低电平时, Q输出在低
逻辑电平无关的其他输入端。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
注意: xxxFN (JEDEC SOP)不在可用
日本。
TC74HC174AP
特点
高速:F
最大
= 71 MHz(典型值),在V
CC
= 5 V
低功耗:我
CC
= 4
μA
(最大)在TA = 25℃
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
(分钟)
对称的输出阻抗: | I
OH
| = I
OL
= 4 MA( MIN )
平衡传输延迟:吨
PLH
t
PHL
宽工作电压范围: V
CC
( OPR ) = 2 6 V
引脚和功能与74LS174兼容
TC74HC174AF
TC74HC174AFN
引脚分配
重量
DIP16-P-300-2.54A
SOP16-P-300-1.27A
SOL16-P-150-1.27
:1.00克(典型值)。
0.18克(典型值)。
0.13克(典型值)。
IEC逻辑符号
1
2007-10-01
TC74HC174AP/AF/AFN
真值表
输入
CLR
产量
CK
X
Q
L
L
H
Q
n
D
X
L
H
X
功能
明确
没有变化
L
H
H
H
X :无关
系统框图
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±20
±20
±25
±50
500 ( DIP ) (注2 ) / 180 ( SOP )
65~150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2: 500毫瓦Ta的范围
= 40
至65℃ 。来自TA
=
65 85 ℃的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
2
2007-10-01
TC74HC174AP/AF/AFN
工作范围(注)
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
2~6
0~V
CC
0~V
CC
40~85
0~1000 (V
CC
=
2.0 V)
输入上升和下降时间
t
r
, t
f
0~500 (V
CC
=
4.5 V)
0~400 (V
CC
=
6.0 V)
ns
单位
V
V
V
°C
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
电气特性
DC特性
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
2.0
高级别输入
电压
V
IH
4.5
6.0
2.0
低电平输入
电压
V
IL
4.5
6.0
2.0
I
OH
= 20 μA
高电平的输出
电压
V
OH
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OH
= 4
mA
I
OH
= 5.2
mA
I
OL
=
20
μA
低电平输出
电压
V
OL
V
IN
=
V
IH
或V
IL
I
OL
=
4毫安
I
OL
=
5.2毫安
输入漏
当前
静态电源
当前
I
IN
I
CC
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
1.50
3.15
4.20
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
Ta
=
25°C
典型值。
2.0
4.5
6.0
4.31
5.80
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
最大
0.50
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
4.0
Ta
= 40~85°C
1.50
3.15
4.20
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
最大
0.50
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
40.0
μA
μA
V
V
V
V
单位
3
2007-10-01
TC74HC174AP/AF/AFN
时序要求
(输入:吨
r
=
t
f
=
6 NS )
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
最小脉冲宽度
(CK)
t
瓦特(L)的
t
瓦特(H)的
2.0
4.5
6.0
Ta
=
25°C
典型值。
极限
75
15
13
Ta
=
40
~85°C
极限
95
19
16
ns
单位
最小脉冲宽度
(
CLR )
2.0
t
瓦特(L)的
75
15
13
75
15
13
0
0
0
25
5
4
6
33
38
95
19
16
95
19
16
0
0
0
30
6
5
4
26
30
兆赫
ns
ns
ns
ns
4.5
6.0
2.0
最小建立时间
t
s
4.5
6.0
2.0
最小保持时间
t
h
4.5
6.0
最低移走时间
(
CLR
)
2.0
t
REM
4.5
6.0
2.0
时钟频率
f
4.5
6.0
AC特性
(C
L
=
15 pF的,V
CC
=
5 V ,TA
=
25 ° C,输入:吨
r
=
t
f
=
6 NS )
特征
输出转换时间
传播延迟时间
(CK- Q)的
传播延迟时间
(
CLR
-Q)
最大时钟频率
符号
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PHL
f
最大
测试条件
典型值。
4
最大
8
单位
ns
14
26
ns
15
71
26
ns
兆赫
39
4
2007-10-01
TC74HC174AP/AF/AFN
AC特性
(C
L
=
50 pF的输入:吨
r
=
t
f
=
6 NS )
特征
符号
测试条件
V
CC
(V)
2.0
Ta
=
25°C
Ta
=
40~85°C
最大
75
15
13
150
30
26
150
30
26
典型值。
27
8
7
68
17
14
72
18
15
15
59
71
5
40
最大
95
19
16
190
38
32
190
38
32
单位
输出转换时间
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
4.5
6.0
2.0
ns
传播延迟
时间
(CK- Q)的
传播延迟
时间
(
CLR
-Q)
4.5
6.0
2.0
ns
t
PHL
4.5
6.0
2.0
ns
6
33
38
4
26
30
最大时钟
频率
输入电容
功耗
电容
f
最大
4.5
6.0
兆赫
C
IN
C
PD
(注)
10
10
pF
pF
注意:
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到:
I
CC
( OPR )
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
/ 6 (每个触发器)
而全碳
PD
件时。触发器进行操作,可以得到由下式:
C
PD
(总)
=
28
+
12½n
5
2007-10-01
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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