TMS28F033
4194304-BIT
同步闪存
SMJS833 - 1997年11月
终端功能
终奌站
名字
TYPE
A–1
A0 – A16
DQ0 DQ31
LBA
BAA
I
I
I / O
I
I
描述
字选择地址。 A-1是低位地址为16位的数据总线，以及高和低字之间进行选择。
A-1不用于32位数据总线。
地址总线。 A0 - A16选择131 072 32位段（双字）中的一个，或者，用A - 1 ，选择之一
262 144 16位段（字） 。 A0为低位地址为32位数据总线。
数据总线。双向数据总线，其中，对于16位和32位数据总线宽度， DQ31是最显著位
（ MSB），而DQ0是至少显著位（LSB） 。 16位数据总线采用DQ0 - DQ7和DQ24 - DQ31 。
负载突发地址。对于同步操作，当LBA = VIL在CLK上升沿，地址被锁存为
开始的读或写操作。
突发地址提前。当BAA = VIL ，突发状态机递增突发地址为每个所需
在CLK的上升沿数据跳动。为BAA的使用量，见表8和表9 。
复位/掉电。当RP = VIL ，该设备将终止所有目前状态机活动，不响应
到读请求，并且不接受写命令。对RP的上升沿，该器件集/清除OBEB
根据VPP的状态的状态寄存器位（ SB1） 。当VPP VPPH ， OBEB设置;如果VPP VPPL ， OBEB被清除
（见表3）。
RP
I
w
v
超前信息
E
I
芯片使能。当E = VIL ，该设备启用了读或写操作。当E = VIH时，设备处于待机
模式。 E是一个异步信号。对于E的使用情况，见表8和表9 。
输出使能。 OE是用于读操作，并且可以是同步或异步的（见表8和
表9）。对于同步OE ，当OE = VIL在CLK上升沿，输出数据被锁存并生效
之前，下一个CLK上升沿。在写操作的OE = VIH 。
线性突发顺序。当LBO = VIL ，地址计数器设置为线性爆裂。当LBO = VIH时，地址计数器
设置为交错爆裂。为LBO用法，请参阅表9和表12中。
写。 WR是控制读出和写入操作的同步信号。如果WR = VIL时，地址被锁存
（LBA = VIL）时，则该周期是写入周期。如果WR = VIH时，地址被锁存，那么周期是读周期。
写使能。 WE是用于写入/擦除操作，并且可以是同步或异步的（见表8
和表9）。对于同步WE的使用，与我们的第一次出现= VIL （地址后，锁定与LBA
和WR = VIL）上的CLK上升沿，输入数据/命令被锁存。对于异步写入，数据和
地址锁定在WE的上升沿。
字能。字用于选择数据总线宽度。当Word = VIL ，该器件具有16位数据总线，
和数据被输入或输出上的DQ0 - DQ7和DQ24 - DQ31 ，高和低字之间地址A -1中选择。
当字= VIH ，该器件具有一个32位的数据总线，并关闭A-1的输入缓冲器。对于单词的用法，见表8
和表9 。
禁止输出。当DIS = VIL ，同步OE ， DQ的和QV信号被禁用。 DIS函数作为
额外的同步输出使能（在相反的逻辑OE ） 。 DIS的使用量，见表8和表9 。
低电压稳压器。当LRV = VIL一个写入/擦除操作期间， LRVS状态寄存器位（ SB4 ）被设置
（见表7）。 LRV是一个异步信号。为LRV用法，见表8和表9 。
数据有效。 QV是用于读取操作。 QV = VIL当输出数据是有效的数据总线上的单个或
猝发读操作。当QV = VIH，有在数据总线上没有有效数据。为QV的用法，见表8和表9 。
就绪/忙。 RY / BY表示WSM的状态。当RY / BY = VIL时， WSM是当前活动的执行
操作。当RY / BY = VIH时， WSM是准备一个新的操作。为RY / BY用法，见表8和表9 。
时钟。同时在地址和数据总线的信号被发送和接收相对于该系统时钟。所有
同步输入必须满足建立和保持相对于CLK的上升沿时间。
3.3 / 5.0 I / O选择。 3 / 5IO用于选择外部电源， VDDE ，因为无论是3.3 V或5 V.设置3 / 5IO = VIH为
VDDE = 3.3 V工作电压，并设置3 / 5IO = VIL的VDDE = 5 V工作电压。为3 / 5IO用法，见表8和表9 。
OE
I
LBO
WR
I
I
WE
I
字
I
DIS
LRV
QV
RY / BY
CLK
3/5IO
I
I
OD
O
OD
O
I
I
I =输入， O =输出， OD =开漏输出， S =电源
4
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