TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
D
D
D
A12
A15
A16
VPP
VCC
W
A17
4
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 262 144 ×8位
引脚兼容现有的2兆位
的EPROM
V
CC
公差
±10%
所有输入/输出TTL兼容
最高访问/最小周期时间
’28F020-10
100纳秒
’28F020-12
120纳秒
’28F020-15
150纳秒
’28F020-17
170纳秒
工业标准编程算法
100 000 10 000编程/擦除周期
可用版本
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.5 V)
- 主动写。 。 。 55毫瓦
- 主动阅读。 。 。 165毫瓦
- 电擦除。 。 。 82.5毫瓦
- 待机。 。 。 0.55毫瓦
（ CMOS输入电平）
汽车级温度范围
- 40 ° C至125°C
FM包装
（顶视图）
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
PIN NOMENCLATURE
A0 – A17
DQ0 - DQ7
E
G
VCC
VPP
VSS
W
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
5 V电源
12 V电源
地
写使能
描述
该TMS28F020闪速存储器是一个262 144通过
8位（ 2 097 152位） ，可编程只读
存储器可以电批量擦除和
重新编程。它可在100 000
10 000编程/擦除-的耐力-周期的的版本。
该TMS28F020提供的32引脚塑料
使用1.25毫米引线芯片载体封装
（ 50密耳）引线间距（ FM后缀）和32引脚
薄小外形封装（ DD后缀） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1998年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
DD包
（顶视图）
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
V
CC
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
装置符号命名
TMS28F020
-12
C5
FM
L
温度范围代号
L
=
0 ° C至70℃
E
= - 40 ° C至85°C
Q = - 40 ° C至125°C
封装标识
FM =塑料有引线芯片载体
DD =薄型小尺寸封装
编程/擦除次数
C5 = 100 000次
C4 = 10 000次
速度代号
-10 = 100纳秒
-12 = 120纳秒
-15 = 150纳秒
-17 = 170纳秒
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
逻辑符号
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
E
G
W
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
29
3
2
30
22
24
31
0
FL灰
内存
262 144
×
8
A
0
262 143
17
G1
[ PWR DWN ]
G2
1 ， 2 EN （ READ）
1C3 （写）
A， 3D
4
DQ0
13
A， Z4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
15
17
18
19
20
21
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数是用于FM包。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
功能框图
DQ0 - DQ7
8
VPP
W
国家控制
阵列
编程/擦除
停止定时器
节目电压
开关
机顶盒
E
G
芯片使能和
输出使能
逻辑
数据锁存器
擦除电压开关
输入/输出缓冲器
命令寄存器
机顶盒
A
d
d
r
e
s
s
L
a
t
c
h
列解码器
列门
A0 – A17
18
行解码器
2 097 152位
数组矩阵
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
手术
该TMS28F020的操作完全概括在表1中示出对每个所需的信号电平
操作。下表中的章节详细描述了操作。
表1.操作模式
功能
模式
读
输出禁用
读
待机和写禁止
算法的选择
算法的选择模式
读
READ /
写
输出禁用
待机和写禁止
写
VPP
(1)
VPPL
VPPL
VPPL
VPPL
VPPH
VPPH
VPPH
VPPH
E
(22)
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
G
(24)
VIL
VIH
X
VIL
VIL
VIH
X
VIH
A0
(12)
X
X
X
VIL
VIH
X
X
X
X
A9
(26)
X
X
X
VID
X
X
X
X
W
(31)
VIH
VIH
X
VIH
VIH
VIH
X
VIL
DQ0 - DQ7
(13 – 15, 17 – 21)
数据输出
高阻
高阻
MFR-等效代码89H
设备的等效代码BDH
数据输出
高阻
高阻
DATA IN
X可以为VIL或VIH 。
VPPL
≤
VCC + 2 V ; VPPH是为设备指定的编程电压。欲了解更多详情，请参阅推荐的工作条件。
读/输出禁止
当两种或更多种TMS28F020s的输出并联连接在同一总线上，任何输出
在电路中特定的设备可以读取，没有来自其他设备的竞争输出干扰。对
读取TMS28F020的输出端，一个低电平信号被施加到E和G的所有其它设备中的电路应该
禁用通过施加高电平信号到这些终端中的一个的输出。
待机和写禁止
我主动
CC
电流可以从30毫安由E或100施加高TTL电平被减少至1 mA
A
与一位
高CMOS电平上E.在这种模式下，所有输出均处于高阻抗状态。该TMS28F020积极借鉴
目前，当它在编程，擦除或编程/擦除验证取消。它继续画
有功电流，直到操作被终止。
算法的选择模式
该算法选择模式提供了识别正确的编程和擦除访问的二进制代码
算法。当A9被迫V这一模式被激活
ID
。两个标识符字节通过切换A0访问。
所有其他地址必须保持低电平。 A0低选择制造商等价代码89H和A0选择高
于设备的等效代码BDH ，如图中的算法选择模式下表：
识别码
§
制造商的等效代码
码头
A0
VIL
VIH
DQ7
1
DQ6
0
DQ5
0
DQ4
0
1
DQ3
1
1
DQ2
0
1
DQ1
0
0
DQ0
1
1
（十六进制）
89
BD
设备的等效代码
1
0
1
§ E = G = VIL ， A1 - A8 = VIL ， A9 = VID ， A10 - A17 = VIL ， VPP = VPPL 。
编程和擦除
在擦除状态中，所有位都处于逻辑1.在擦除装置中，所有的存储器的位必须被编程为
逻辑0。然后，将整个芯片被擦除。在这点上，比特，现在逻辑1 ，可以相应地被编程
（参考Fastwrite和Fasterase算法进一步细节） 。
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
5
TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
D
D
D
A12
A15
A16
VPP
VCC
W
A17
4
3 2 1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
14 15 16 17 18 19 20
D
D
D
D
D
D
D
组织。 。 。 262 144 ×8位
引脚兼容现有的2兆位
的EPROM
V
CC
公差
±10%
所有输入/输出TTL兼容
最高访问/最小周期时间
’28F020-10
100纳秒
’28F020-12
120纳秒
’28F020-15
150纳秒
’28F020-17
170纳秒
工业标准编程算法
100 000 10 000编程/擦除周期
可用版本
250毫安的所有输入闭锁免疫
输出线
低功耗（V
CC
= 5.5 V)
- 主动写。 。 。 55毫瓦
- 主动阅读。 。 。 165毫瓦
- 电擦除。 。 。 82.5毫瓦
- 待机。 。 。 0.55毫瓦
（ CMOS输入电平）
汽车级温度范围
- 40 ° C至125°C
FM包装
（顶视图）
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
PIN NOMENCLATURE
A0 – A17
DQ0 - DQ7
E
G
VCC
VPP
VSS
W
地址输入
输入（编程） /输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
5 V电源
12 V电源
地
写使能
描述
该TMS28F020闪速存储器是一个262 144通过
8位（ 2 097 152位） ，可编程只读
存储器可以电批量擦除和
重新编程。它可在100 000
10 000编程/擦除-的耐力-周期的的版本。
该TMS28F020提供的32引脚塑料
使用1.25毫米引线芯片载体封装
（ 50密耳）引线间距（ FM后缀）和32引脚
薄小外形封装（ DD后缀） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1998年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1
TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
DD包
（顶视图）
A11
A9
A8
A13
A14
A17
W
V
CC
V
PP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V
SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
装置符号命名
TMS28F020
-12
C5
FM
L
温度范围代号
L
=
0 ° C至70℃
E
= - 40 ° C至85°C
Q = - 40 ° C至125°C
封装标识
FM =塑料有引线芯片载体
DD =薄型小尺寸封装
编程/擦除次数
C5 = 100 000次
C4 = 10 000次
速度代号
-10 = 100纳秒
-12 = 120纳秒
-15 = 150纳秒
-17 = 170纳秒
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
逻辑符号
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
E
G
W
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
29
3
2
30
22
24
31
0
FL灰
内存
262 144
×
8
A
0
262 143
17
G1
[ PWR DWN ]
G2
1 ， 2 EN （ READ）
1C3 （写）
A， 3D
4
DQ0
13
A， Z4
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
14
15
17
18
19
20
21
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
显示引脚数是用于FM包。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
功能框图
DQ0 - DQ7
8
VPP
W
国家控制
阵列
编程/擦除
停止定时器
节目电压
开关
机顶盒
E
G
芯片使能和
输出使能
逻辑
数据锁存器
擦除电压开关
输入/输出缓冲器
命令寄存器
机顶盒
A
d
d
r
e
s
s
L
a
t
c
h
列解码器
列门
A0 – A17
18
行解码器
2 097 152位
数组矩阵
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TMS28F020
262144
按8位
FL灰内存
SMJS020C - 1994年10月 - 修订1998年1月
手术
该TMS28F020的操作完全概括在表1中示出对每个所需的信号电平
操作。下表中的章节详细描述了操作。
表1.操作模式
功能
模式
读
输出禁用
读
待机和写禁止
算法的选择
算法的选择模式
读
READ /
写
输出禁用
待机和写禁止
写
VPP
(1)
VPPL
VPPL
VPPL
VPPL
VPPH
VPPH
VPPH
VPPH
E
(22)
VIL
VIL
VIH
VIL
VIL
VIL
VIH
VIL
G
(24)
VIL
VIH
X
VIL
VIL
VIH
X
VIH
A0
(12)
X
X
X
VIL
VIH
X
X
X
X
A9
(26)
X
X
X
VID
X
X
X
X
W
(31)
VIH
VIH
X
VIH
VIH
VIH
X
VIL
DQ0 - DQ7
(13 – 15, 17 – 21)
数据输出
高阻
高阻
MFR-等效代码89H
设备的等效代码BDH
数据输出
高阻
高阻
DATA IN
X可以为VIL或VIH 。
VPPL
≤
VCC + 2 V ; VPPH是为设备指定的编程电压。欲了解更多详情，请参阅推荐的工作条件。
读/输出禁止
当两种或更多种TMS28F020s的输出并联连接在同一总线上，任何输出
在电路中特定的设备可以读取，没有来自其他设备的竞争输出干扰。对
读取TMS28F020的输出端，一个低电平信号被施加到E和G的所有其它设备中的电路应该
禁用通过施加高电平信号到这些终端中的一个的输出。
待机和写禁止
我主动
CC
电流可以从30毫安由E或100施加高TTL电平被减少至1 mA
A
与一位
高CMOS电平上E.在这种模式下，所有输出均处于高阻抗状态。该TMS28F020积极借鉴
目前，当它在编程，擦除或编程/擦除验证取消。它继续画
有功电流，直到操作被终止。
算法的选择模式
该算法选择模式提供了识别正确的编程和擦除访问的二进制代码
算法。当A9被迫V这一模式被激活
ID
。两个标识符字节通过切换A0访问。
所有其他地址必须保持低电平。 A0低选择制造商等价代码89H和A0选择高
于设备的等效代码BDH ，如图中的算法选择模式下表：
识别码
§
制造商的等效代码
码头
A0
VIL
VIH
DQ7
1
DQ6
0
DQ5
0
DQ4
0
1
DQ3
1
1
DQ2
0
1
DQ1
0
0
DQ0
1
1
（十六进制）
89
BD
设备的等效代码
1
0
1
§ E = G = VIL ， A1 - A8 = VIL ， A9 = VID ， A10 - A17 = VIL ， VPP = VPPL 。
编程和擦除
在擦除状态中，所有位都处于逻辑1.在擦除装置中，所有的存储器的位必须被编程为
逻辑0。然后，将整个芯片被擦除。在这点上，比特，现在逻辑1 ，可以相应地被编程
（参考Fastwrite和Fasterase算法进一步细节） 。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
5
QQ：2881677436 复制
