TMP86CS49UG
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。 021023 _丁
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，
在一般的半导体器件可能发生故障或由于其固有的电灵敏度失败和
漏洞的物理应力。
它是利用东芝产品时买家的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并且避免出现在其中一个发生故障
或如东芝的产品故障可能导致的生命损失，人身伤害或损坏
财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的操作使用
范围作为在最近的东芝产品规格阐述。
另外，请记住所列的注意事项和条件
“处理
指南
半导体器件“或
“东芝
半导体可靠性手册“等021023_A
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，国内
电器等） 。
这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的质量和/或可靠性或者故障或失灵而可能引起的损失
人的生命或身体伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制
仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器，
燃烧控制仪器，医疗仪器，各类安全装置等意外
本文档中列出的东芝产品的使用应在客户自己的风险进行。 021023_B
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品
其中，制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
060106_Q
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或第三的其他权利的任何侵犯
当事人可能导致其使用。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
东芝或他人的专利或专利的权利。 021023_C
本文档中介绍的产品可能包括产品受外汇和
外贸法律。 021023_F
对于如何微控制器的可靠性可以预见的讨论，请参见第1.3节
的一章题为质量和可靠性保证/注意事项。 030619_S
2007 TOSHIBA CORPORATION
版权所有
TMP86CS49UG
产品差异
在功能差异
86CH49
只读存储器
内存
DBR(note1)
I / O
大电流端口
打断
定时器/计数器
UART
SIO
I
2
C
键唤醒时
10位AD转换器
(note2)
闪存安全
不适用
16字节
（ MASK）
512个字节
86CM49
32字节
（ MASK）
1字节
86PM49
32字节
（ OTP）的
1字节
86CS49
60字节
（ MASK）
2字节
86FS49
86FS49A
60字节
（ FLASH ）
2字节
128字节
（ Flash控制寄存器包含）
56针
13引脚（沉开漏）
外部： 5中断，内部： 19中断
16位：2通道
8位： 4通道
2通道
2通道
1路
4个通道
16个通道
读保护
读/写
保护
VDD
无保护二极管
在VDD端
R
不拉
下电阻
86FS49B
128字节
（ Flash控制寄存器不包含）
VDD
的Structurer
TEST引脚
R
R
IN
无保护二极管
在VDD端
R
不拉
下电阻
VDD
R
R
IN
无保护二极管
在VDD端
R
不拉
下电阻
R
不拉
下电阻
仿真芯片
QFP64-
P-1414-
0.80A
QFP64-P-1414-0.80A
LQFP64-P-1010-0.50D
SDIP64-P-750-1.78
TMP86C949XB
QFP64-P-1414-0.80A
LQFP64-P-1010-0.50D
包
–
注1 ：使用闪存（ 86FS49 ， 86FS49A ， 86FS49B ）包含在Flash控制寄存器（ FLSCR ）在0FFFH产品
该DBR区。与掩膜ROM或OTP及仿真芯片的产品所不具备的FLSCR寄存器。在这些
设备，因此，对访问FLSCR寄存器不能正常运行的程序（执行不同的如
情况下，闪存产品） 。
注2 ：本数据手册，以下引脚名称和注册名称已被更改，从旧版本的数据表。
尽管名称已被更改，它们的功能是相同的。
TMP86CS49UG
在电气特性的差异
86CH49
86CM49
86PM49
[V]
5.5
4.5
3.6
[V]
5.5
4.5
3.6
(a)
3.0
2.7
2.0
1.8
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
0.030
0.034
1
4.2
8
(b)
（注1 ）
16 [兆赫]
(a)
86CS49
[V]
5.5
86FS49
[V]
5.5
(a)
4.5
3.6
3.0
2.7
1.8
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
（注2 ）
(b)
4.5
3.6
3.0
2.7
1.8
0.030
0.034
86FS49A
[V]
5.5
(a)
4.5
3.6
(b)
（注3）
1.8
1
4.2
8
16 [兆赫]
0.030
0.034
3.0
2.7
86FS49B
(a)
读/取
3.0
2.7
1.8
操作条件（ MCU模式）
1
4.2
8
16 [兆赫]
（一） 1.8V至5.5V （ -40至85°C ）
（一） 2.0V至5.5V （ -40至85°C ）
（二）在1.8V至2.0V （-20到85℃ ）
（一） 4.5V至5.5V （ -40至85°C ）
（二） 3.0V至3.6V （ -40至85°C ）
（一） 3.0V至5.5V （ -40至85°C ）
（二） 2.7V至3.0V （ -20至85°C ）
[V]
5.5
4.5
(a)
（一） 2.7V至5.5V （ -40至85°C ）
擦除/编程
3.6
-
-
3.0
2.7
1.8
0.030
0.034
1
4.2
8
16 [兆赫]
-
-
（一） 4.5V至5.5V （ -10至40°C）
[V]
5.5
4.5
(a)
工作条件
（串行PROM模式）
3.6
-
-
3.0
2.7
1.8
0.030
0.034
2
4.2
8
16 [兆赫]
-
操作
当前
-
（一） 4.5V至5.5V （ -10至40°C）
工作电流随每个产品。有关详细信息，请参阅各产品的数据表（电气特性） 。
（注4 ）
注1：随着86CS49 ，工作温度（范围Topr ）为-20
°C
85
°C
当电源电压VDD低于
2.0 V.
注2 ：用86FS49 ，电源电压VDD被指定为两个单独的范围。当MCU处于工作状态，不
改变从范围的电源电压（ a）至范围（b）或从范围（b）至的范围（ a）中。
注3 ：用86FS49A ，工作温度（范围Topr ）为-20
°C
85
°C
当电源电压VDD低于
3.0 V.
注4 ：随着86FS49A / B ，当一个程序正在执行中的闪存或者当数据从闪存读取
内存，闪存工作在间歇性地引起峰值电流的闪存
瞬间，如图。在这种情况下，供给电流I DD （在正常1 ，正常2和SLOW1
模式）被定义为平均峰值电流和MCU的电流的总和。
1个机器周期（ 4 / FC或4 / FS ）
程序计数器（PC）的
I
DDP -P
[马]
n
n+1
n+2
n+3
瞬间闪光电流
马克斯。平均瞬时电流总和
典型值。当前Flash电流和MCU电流
目前MCU
闪存的间歇运行
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