TMP300
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SBOS335C - 2005年6月 - 修订2011年1月
1.8V ，电阻可编程
温度开关和
在SC70模拟输出温度传感器
检查样品：
TMP300
1
特点
精度：± 1 ° C（典型值在+ 25 ° C）
可编程触发点
可编程迟滞： 5 ℃/ 10℃
漏极开路输出
低功耗： 110毫安（最大值）
宽电压范围： + 1.8V至+ 18V
操作： -40°C至+ 150°C
ANALOG OUT ：为10mV / ℃，
SC70-6和SOT23-6套餐
描述
的TMP300是一个低功率，电阻可编程，
数字输出温度开关。它允许一个阈
点为通过将一个外部电阻器来设定。两
可用滞后水平。该TMP300有
V
温度
可以用来作为测试模拟输出
点或在温度补偿环路。
随着电源电压可低至1.8V ，低电流
消费方面， TMP300非常适合对功耗敏感的
系统。
有两种micropackages已被证明
热特性，该部分给出了一个完整的和
谁需要简单的用户简单的解决方案，并
可靠的热管理。
2
应用
供电系统
直流 - 直流模块
热监测
电子防护系统
V+
3mA
TMP300
V+
V
温度
HYST
SET
R
SET
V
温度
T
SET
PROPORTIONAL
给T
A
R
引体向上
T
SET
GND
OUT
1
2
3
SC70-6 ， SOT23-6
6
5
4
OUT
210kW
(1)
TMP300
HYST
SET
注： （ 1 ）薄膜太阳能电池设备的电阻大约有10 ％的准确率;
然而，这种精度误差修剪出在工厂。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2005-2011 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TMP300
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TMP300
TMP300B
(1)
PACKAGE -LEAD
SC70-6
SOT23-6
SC70-6
SOT23-6
封装标识
DCK
的dBV
DCK
的dBV
包装标志
BPN
T300
QWL
DUDC
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
价值
电源电压
信号输入端子，电压
输出短路
漏极开路输出
工作温度
储存温度
结温
ESD额定值
(1)
(2)
(3)
人体模型（ HBM ）
带电器件模型（ CDM）
T
A
T
A
T
J
(3)
(2)
单位
V
V
mA
V+
+18
-0.5至（V +） + 0.5
±10
信号输入端，电流
(2)
I
SC
连续
(V+) + 0.5
-40到+150
-55到+150
+150
4000
1000
V
°C
°C
°C
V
V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定的不支持。
输入端子的二极管钳位到电源轨。输入信号可以比0.5V摆动更超出电源轨应
有电流限制在10mA或更小。
短路到地。
2
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电气特性
在V
S
= 3.3V和T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。
TMP300
参数
温度测量
V
S
= 2.35V至18V
测量范围
TRIP POINT
总精度
R
SET
方程
滞后设置INPUT
低门槛
高门槛
阈值迟滞
数字输出
逻辑系列
漏极开路漏电流
逻辑电平
V
OL
模拟输出
准确性
温度灵敏度
输出电压
V
温度
引脚输出电阻
电源
静态电流
(3)
温度范围
V
S
= 2.35V至18V
指定范围
T
A
V
S
= 1.8V至2.35V
V
S
= 2.35V至18V
工作范围
热阻
SC70
SOT23-6
T
A
q
JA
250
180
250
180
° C / W
° C / W
V
S
= 1.8V至2.35V
–40
–40
–40
–50
+125
100 ×
(V
S
– 0.95)
+150
100 ×
(V
S
– 0.95)
–40
–40
–40
–50
+125
100 ×
(V
S
– 0.95)
+150
100 ×
(V
S
– 0.95)
°C
°C
°C
°C
I
Q
V
S
= 1.8V至18V ，
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
110
110
mA
T
A
= +25°C
720
±2
10
750
210
780
720
±3
±2
10
750
210
780
±5
°C
毫伏/°C的
mV
k
V
S
= 1.8V至18V ，我
SINK
=
5mA
0.3
0.3
V
OUT = V
S
CMOS
10
CMOS
10
mA
HYST
SET
= GND
HYST
SET
= V
S
V
S
– 0.4
5
10
0.4
V
S
– 0.4
5
10
0.4
V
V
°C
°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
C
在℃，
±2
R
SET
= 10 (50 + T
C
)/3
±4
(2)
±2
R
SET
= 10 (50 + T
C
)/3
±6
°C
k
V
S
= 1.8V至2.35V
–40
–40
+125
100 ×
(V
S
– 0.95)
–40
–40
+125
100 ×
(V
S
– 0.95)
°C
°C
测试条件
民
(1)
TMP300B
最大
(1)
典型值
(1)
民
典型值
最大
单位
(1)
(2)
(3)
生产的100％是在T测试
A
= + 85°C 。都确保了设计规范整个温度范围内。
阴影部分表示特征性表现的差异。
SEE
图1
典型静态电流。
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3
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典型特征
在V
S
= 5V ，除非另有说明。
静态电流随温度和
供应
95
R
SET
变化产生于R
SET
公差
2.0
1.5
T
错误
+ 1%
85
V
S
= 18V
1.0
ERROR （
°
C)
I
Q
(
m
A)
75
V
S
= 3.3V
65
V
S
= 1.8V
55
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
T
错误
+ 0.1%
T
错误
-
0.1%
T
错误
-
1%
0
25
50
75
100
125
45
-40 -25
0
25
50
75
100
125
-2.0
-40 -25
温度（
°
C)
温度（
°
C)
图1 。
R
SET
与温度
700
600
500
4.0
3.0
2.0
图2中。
典型误跳
R
SET
(k
W
)
400
300
200
100
0
-40 -25
ERROR （
°
C)
1.0
0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-40 -25
0
25
50
75
100
125
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
温度（
°
C)
网络连接gure 3 。
典型的模拟输出误差
3.0
2.5
2.0
1.5
图4中。
模拟PSR温度过高
0.10
0.08
0.06
0.04
T
最大
为+85
°
下V
S
= 1.8V至3.3V
ERROR （
°
C / V ）
ERROR （
°
C)
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-40 -25
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
3.3V至18V
0
25
50
75
100
125
-0.10
-40 -25
0
25
50
75
100
125
温度（
°
C)
温度（℃）
图5中。
图6 。
4
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典型特性（续）
在V
S
= 5V ，除非另有说明。
TRIP PSR温度过高
0.10
0.08
0.06
0.04
ERROR （
°
C / V ）
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
-0.10
-40 -25
0
25
50
3.3V至18V
T
最大
为+85
°
下V
S
= 1.8V至3.3V
75
100
125
温度（℃）
图7 。
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5
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