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TC74HC03AP/AF/AFN
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC74HC03AP,TC74HC03AF,TC74HC03AFN
四2输入与非门(漏极开路)
该TC74HC03A是一个高速CMOS 2输入与非门
GATE制造与硅栅
2
MOS技术。
它实现了类似于等效的高速操作
输入通道,同时保持CMOS低功耗。
销结构和功能是相同的
TC74HC00A 。但TC74HC03A具有作为它的输出,高
性能的MOS N沟道晶体管。 (漏极开路输出)
此装置可thefore ,用适当的上拉电阻器,可以使用
在线与, LED驱动器和其它应用程序。
所有的输入都配备了防静电保护电路
解除或瞬态过电压。
注意: xxxFN (JEDEC SOP)不在可用
日本。
TC74HC03AP
TC74HC03AF
特点
高速:吨
pz
=
5纳秒(典型值)在V
CC
=
5 V
低功耗:我
CC
=
1
μA
(最大值)在Ta
=
25°C
高抗干扰性: V
美国国立卫生研究院
=
V
NIL
=
28% V
CC
(分钟)
输出驱动能力: 10输入通道负载
宽工作电压范围: V
CC
( OPR )
=
2~6 V
开漏结构
引脚和功能与74LS03兼容
TC74HC03AFN
引脚分配
重量
DIP14-P-300-2.54
SOP14-P-300-1.27A
SOL14-P-150-1.27
:0.96克(典型值)。
0.18克(典型值)。
0.12克(典型值)。
IEC逻辑符号
1
2007-10-01
TC74HC03AP/AF/AFN
真值表
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
Y
Z
Z
Z
L
Z:高阻
系统框图
(每门)
绝对最大额定值(注1 )
特征
电源电压范围
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流
DC V
CC
/接地电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5~7
0.5~V
CC
+
0.5
0.5~V
CC
+
0.5
±20
±20
+25
±50
500 ( DIP ) (注2 ) / 180 ( SOP )
65~150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
注1 :任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下(即工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注2: 500毫瓦Ta的范围
= 40°C~65°C.
从TA
=
65 ° C至85°C的降额因子
10
毫瓦/°C的应
应用到300毫瓦。
工作范围(注)
特征
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
OPR
等级
2~6
0~V
CC
0~V
CC
40~85
0~1000 (V
CC
=
2.0 V)
输入上升和下降时间
t
r
, t
f
0~500 (V
CC
=
4.5 V)
0~400 (V
CC
=
6.0 V)
ns
单位
V
V
V
°C
注意:
必须保持在工作范围,以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
2
2007-10-01
TC74HC03AP/AF/AFN
电气特性
DC特性
测试条件
特征
符号
V
CC
(V)
2.0
高级别输入
电压
V
IH
4.5
6.0
2.0
低电平输入
电压
V
IL
4.5
6.0
2.0
低电平输出
电压
V
IN
=
V
IH
or
V
IL
I
OL
=
20
μA
I
OL
=
4毫安
I
OL
=
5.2毫安
输出关断状态
当前
输入漏
当前
静态电源
当前
I
OZ
I
IN
I
CC
V
IN
=
V
IH
或V
IL
V
OUT
=
V
CC
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
1.50
3.15
4.20
Ta
=
25°C
典型值。
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
最大
0.50
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.5
±0.1
1.0
Ta
= 40~85°C
1.50
3.15
4.20
最大
0.50
1.35
1.80
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±5.0
±1.0
10.0
μA
μA
μA
V
V
V
单位
V
OL
AC特性
(C
L
=
15 pF的,V
CC
=
5 V ,TA
=
25 ° C,输入:吨
r
=
t
f
=
6 NS )
特征
输出转换时间
传播延迟时间
传播延迟时间
符号
t
THL
t
PLZ
t
PZL
R
L
=
1 kΩ
R
L
=
1 kΩ
测试条件
典型值。
4
5
5
最大
8
12
12
单位
ns
ns
ns
3
2007-10-01
TC74HC03AP/AF/AFN
AC特性
(C
L
=
50 pF的输入:吨
r
=
t
f
=
6 NS )
测试条件
特征
符号
V
CC
(V)
2.0
输出转换时间
t
THL
4.5
6.0
2.0
传播延迟
时间
t
PLZ
R
L
=
1 kΩ
4.5
6.0
2.0
传播延迟
时间
输入电容
输出电容
功耗
电容
t
PZL
R
L
=
1 kΩ
4.5
6.0
C
IN
C
OUT
C
PD
(注)
Ta
=
25°C
典型值。
30
8
7
20
10
9
24
8
7
5
3
5
最大
75
15
13
75
15
13
75
15
13
10
Ta
= 40~85°C
最大
95
19
16
95
19
16
95
19
16
10
pF
pF
pF
ns
ns
ns
单位
注意:
C
PD
被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值
电流消耗无负载。
平均工作电流可以由下式得到:
I
CC
( OPR )
=
C
PD
½V
CC
½f
IN
+
I
CC
/ 4 (每门)
4
2007-10-01
TC74HC03AP/AF/AFN
包装尺寸
重量:0.96克(典型值)。
5
2007-10-01
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    TC74HC03AP
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    -
    -
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TOSHIBA/东芝
24+
12800
DIP
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TC74HC03AP
Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba
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