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TRIAC
（通孔/隔离）
TMG8D80F
TRIAC
TMG8D80F
被设计用于全波AC控制应用。
它可以用作一个开/关功能或用于相位控制操作。
10.5±0.3
3.2±0.3
（敏感栅）
TO-220F
4.7±0.2
2.7±0.2
典型应用
家电：洗衣机，吸尘器，电饭煲，微
波烤箱，吹风机等控制应用
●
工业用
：开关电源，复印机，电机控制，调光器，固态继电器，
加热器控制，自动售货机，其他控制
应用
●
1
16.0±0.3
φ3.2
±0
.2
3
9.7±0.3
2.6±0.2
0.60±0.15
13.0±0.5
1.1±0.2
3.0±0.3
1.4±0.2
2
1 T1
2 T2
3门
特点
0.6±0.15
I
T（ RMS ）
=8A
●
高浪涌电流
●
低的电压降
●
无铅封装
●
1
2
3
2.54±0.25
5.08±0.5
验证码： T8D8F
单位：
mm
=最大
评级
符号
V
DRM
（
I
牛逼RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
I
GM
V
GM
V
ISO
Tj
TSTG
项
重复峰值断态电压
均方根通态电流
浪涌通态电流
I
2
T（用于热熔）
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
绝缘击穿电压（ R.M.S 。 ）
工作结温
储存温度
块
参考
（Tj=25℃
除非另有规定编）
Tc＝89℃
一个周期，50赫兹/ 60赫兹，峰值不重复
交流1分钟
评级
800
8
80/88
32
5
0.5
2
10
1500
40＋125
40＋150
2
单位
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
℃
℃
g
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
I
GT1
＋
I
GT3
I
GT3
＋
V
GT1
V
GT1
＋
V
GT3
V
GT3
V
GD
DV =
/
DT ？
c
I
H
RTH
项
重复峰值断态电流
峰值通态电压
1
2
门极触发电流
3
4
1
2
门极触发电压
3
4
非触发栅极电压
崛起的断态临界速率
电压整流
参考
V
D
=V
DRM
，单相半波， TJ = 125 ℃
I
T
＝12A,
研究所。测量
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，
/
DT ？
-dI
c＝4A
/
毫秒，V
D
＝400V
结到外壳
评级
分钟。典型值。马克斯。
2
1.4
10
10
―
10
1.5
1.5
―
1.5
0.2
10
15
3.7
单位
mA
V
mA
V
V
V
/
μs
mA
℃
/
W
保持电流
热阻
双向可控硅的触发模式
模式
1
I
（
＋
）
模式
2
I
）
（
模式
3 III
（
＋
）
模式
4 III ）
（
TMG8D80F
100
GATE特性
２０
０
对国家特性MAX ）
（
通态峰值电流A）
（
１０
０
５
０
２
０
１
０
５
２
１
０５
．
０２
．
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ= ２ ℃
½１ ５
栅极电压
（V）
１
０
V
GM
（10V）
P
GM
（5W）
P
G
（0.5W）
（AV）
１
25℃
I+
GT1
I-
GT1
I-
GT3
０１
．
１
V
GD
0.2V）
（
I
GM
（2A）
１
０
100
1000
10000
３０
．
３５
．
栅电流mA ）
（
通态电压
（V）
９
功耗
（W）
８
７
６
５
４
３
２
1
０
０
１
０
θ
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝２゜
π
θ
2π
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
３０
６゜
允许外壳温度
（℃）
1
０
RMS通态VS
最大功率耗散
１５
２
１０
２
RMS通态VS
允许外壳温度
１５
１
１０
１
１５
０
１０
０
９
５
９
０
８
５
８
０
０
０
θ
３０
６゜
π
θ
2π
=导通角
：
θ
＝30゜
θ
＝60゜
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
θ３ ゜
＝０
=导通角
：
２
３
４
５
６
７
８
９
１
２
３
４
５
６
７
８
RMS通态电流A ）
（
RMS通态电流
（A）
瞬态热阻抗
（℃/W）
１０
０
浪涌通态电流额定值
（不重复）
１
０
瞬态热阻抗
浪涌通态电流A ）
（
８
０
６
０
６ H
Z
０
５ H
Z
０
１
４
０
２
０
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
０１
.
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
时间
（周期）
时间
（秒）。
１０
００
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
I
GT
-Tj
（典型值）
１０
００
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
２
０
V
GT
-Tj
（典型值）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
V
＋
GT1
1
＋
）
（
V
GT1
1
）
（
V
GT1
3
）
（
I
＋
GT1
1
＋
）
（
I
GT1
1
）
（
I
GT1
3
）
（
２
０
１
０
０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
１
０
０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
结温。 TJ
（℃）
结温。 TJ
（℃）
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