先期产品信息
2003年8月27日
33-36 GHz的2W功率放大器
主要特点
TGA1141-EPU
0.25微米pHEMT技术
17分贝标称增益
31 dBm的噘@的P1dB ，
PSAT 33dBm的@ 6V ， 34dBm @ 7V
偏置6 - 7V @ Iq的= 880毫安，ID = 1.3 A
在PSAT
芯片尺寸4.13 X 3.30 X 0.1毫米
主要应用
偏置条件： VD = 6 V ，ID = 880毫安
22
军用雷达系统
Ka波段卫星信号COM
点至点收音机
20
小信号增益（dB ）
18
16
14
12
10
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
35
34
33
32
的Pout （ dBm的）
31
30
29
28
27
26
25
32
33
34
35
频率（GHz ）
36
37
P1dB_ave
Psat_ave
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
1
TriQuint半导体公司德州电话： (972)994-8465传真： （ 972 ） 994 8504电邮： info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
先期产品信息
2003年8月27日
TGA1141-EPU
表一
最大额定值
符号
V
V
+
-
参数1 /
正电源电压
负电源电压范围
价值
8V
-5V至0V
笔记
2/
2/
2/, 3/
2/
4/, 5/
I
+
正电源电流
门电源电流
1.76 A
70毫安
| I
G
|
P
D
P
IN
T
CH
T
M
T
英镑
功耗
输入连续波功率
工作通道温度
安装温度（ 30秒）
储存温度
9.4 W
27 dBm的
150
°C
320
°C
-65
°C
150
°C
1/
2/
3/
4/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
电流在任何RF驱动条件来定义。电源电压的组合，供
电流，输入功率和输出功率不得超过P
D
.
当在此的功耗为70的基板温度下操作
°C,
中位数
生活是1 E + 6小时。
结工作温度将直接影响到设备中位数故障时间（T
M
） 。为
最大寿命，所以建议的结温保持在最低
可能的水平。
这些等级适用于每一个人FET 。
5/
表二
DC探头试验
(T
A
= 25
°C,
标称）
符号
IDSS
Gm
V
P
B
VGS
B
VGD
参数
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
击穿电压栅极
来源
击穿电压栅极
漏
最低
40
88
-1.5
-30
-30
最大
188
212
-0.5
-8
-8
价值
mA
mS
V
V
V
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
2
TriQuint半导体公司德州电话： (972)994-8465传真： （ 972 ） 994 8504电邮： info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
先期产品信息
2003年8月27日
TGA1141-EPU
表三
晶圆RF传感器特性
(T
A
= 25
°C,
标称）
V
d
= 6 V，I
d
= 880毫安
符号
收益
参数
小信号
收益
输入反射
损失
输出反射
损失
输出功率@
P
in
= +21 dBm的
LS峰值漏极
目前@
P
in
= 21 dBm的
测试条件
F = 33 - 36 GHz的
F = 34 - 35.2 GHz的
F = 33 - 36 GHz的
F = 33 - 36 GHz的
F = 34 - 34.6赫兹
F = 35.2 GHz的
F = 34 - 35.2 GHz的
极限
最小典型最大
17
---
16
---
---
---
32
31.5
---
-8
-6.5
---
---
---
---
1.6
单位
dB
IRL
ORL
PWR
I
pk
dB
dB
DBM
A
表四
热信息
参数
测试条件
T
CH
o
( C)
115
R
θJC
（ ° C / W）
8.5
T
M
（小时）
2.6 E+7
VD = 6 V
R
θJC
热
ID = 880毫安
阻力
（通道PDISS的背面= 5.3 W
运营商）
注：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万粗磨
o
运营商在70℃基板温度。最坏的情况没有RF应用， 100 ％
直流电源耗散。
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
3
TriQuint半导体公司德州电话： (972)994-8465传真： （ 972 ） 994 8504电邮： info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
先期产品信息
2003年8月27日
TGA1141-EPU
测量夹具固定数据
偏置条件： VD = 6V ，ID = 880毫安
22
20
小信号增益（dB ）
18
16
14
12
10
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
0
-2
&输入输出回波损耗（分贝）
-4
-6
S11
-8
S22
-10
-12
-14
30
32
34
36
38
40
频率（GHz ）
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
4
TriQuint半导体公司德州电话： (972)994-8465传真： （ 972 ） 994 8504电邮： info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
先期产品信息
2003年8月27日
测量夹具固定数据
偏置条件： VD = 6V ，ID = 880毫安
35
34
33
32
的Pout （ dBm的）
31
30
29
28
27
26
25
32
33
P1dB_ave
Psat_ave
TGA1141-EPU
噘
(
30
28
26
24
PAE （％）
22
20
18
16
14
12
10
32
35
34.5
34
33.5
P
OUT
（ dBm的）
33
32.5
32
31.5
31
30.5
30
32
33
34
35
频率
)
（千兆赫）
36
37
PAE
PAE@P1dB
PAE @ PSAT
33
34
35
36
37
频率（GHz ）
+6V
+7V
PSAT VS Vd的
34
35
36
37
频率（GHz ）
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
5
TriQuint半导体公司德州电话： (972)994-8465传真： （ 972 ） 994 8504电邮： info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
QQ：2880707522 复制
