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半导体
TMF8901F
硅射频LDMOS晶体管
SOT-89
以毫米单位
□
应用
- VHF和UHF宽频带放大器
4
□
特点
- 功率增益
G
P
为12.5分贝V
DS
= 4.5 V，I
DSET
= 200 mA时， F = 470 MHz的
- 输出功率
P
OUT
= 32 dBm的在V
DS
= 4.5 V，I
DSET
= 200 mA时， F = 470 MHz的
- 漏极效率
η
D
= 60 ％ （典型值）。
□
记号
4
引脚配置
1.门
2.源
8901
1
2
3
3.排水
4.源
□
绝对最大额定值
(T
A
= 25
℃)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
合计
总胆固醇
T
英镑
评级
13.0
4.0
1.2
3
150
-65 ~ 150
单位
V
V
A
W
℃
℃
TMF8901F
□
电气特性
(T
A
= 25
℃)
参数
门源漏电流
漏极至源极漏电流
阈值电压
跨
漏源击穿
电压
漏极至源极导通电压
功率增益
输出功率
工作电流
漏EF网络效率
功率增益
输出功率
工作电流
漏EF网络效率
符号
I
GSS
I
DSS
V
th
G
m
BV
DSS
V
DSON
G
P
P
OUT
I
op
η
D
G
P
P
OUT
I
op
η
D
F = 470兆赫，P
IN
= 15 dBm的
V
DS
= 4.5 V，I
DSET
= 50
F = 470兆赫，P
IN
= 15 dBm的
V
DS
= 4.5 V，I
DSET
= 50
测试条件
V
GSS
= 3.0 V
V
DSS
= 8.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 4.8 V，I
D
= 1
V
DS
= 4.8 V，I
D
= 400
I
DSS
= 10
V
GS
= 4 V，I
D
= 600
F = 470兆赫，P
IN
= 20 dBm的
V
DS
= 4.5 V，I
DSET
= 200
F = 470兆赫，P
IN
= 20 dBm的
V
DS
= 4.5 V，I
DSET
= 200
13
0.4
12.5
32
670
60
14
29
400
44
0.8
1.0
700
分钟。
典型值。
马克斯。
1
10
1.4
单位
V
mS
V
V
dB
DBM
mA
%
dB
DBM
mA
%
TMF8901F
□
典型特征（T
A
= 25
℃
除非另有规定编）
输出功率，功率增益，漏极效率
随输入功率
40
35
F = 470 MHz的
I
空闲
= 200毫安
V
DS
= 4.5 V
P
OUT
η
D
80
70
40
35
F = 470 MHz的
I
空闲
= 50毫安
V
DS
= 4.5 V
P
OUT
80
70
60
50
η
D
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益，G
P
（ dB）的
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益，G
P
（ dB）的
排水英法fi效率，
η
D
(%)
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
G
P
60
50
40
30
20
10
0
25
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
G
P
40
30
20
10
0
25
输入功率， P
IN
（ dBm的）
输入功率， P
IN
（ dBm的）
输出功率与输入功率
40
35
F = 470 MHz的
V
DS
= 4.5 V
I
空闲
= 200毫安
漏电流与输入功率
900
800
F = 470 MHz的
V
DS
= 4.5 V
输出功率P
OUT
（ dBm的）
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
I
空闲
= 50毫安
漏电流，我
DS
（MA ）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
I
空闲
= 50毫安
I
空闲
= 200毫安
输入功率， P
IN
（ dBm的）
输入功率， P
IN
（ dBm的）
排水英法fi效率，
η
D
(%)
TMF8901F
功率增益，漏极效率
与漏极电压
18
17
F = 470 MHz的
I
空闲
= 200毫安
P
IN
= 20 dBm的
65
η
D
功率增益，漏极效率
与漏电流
70
18
17
F = 470 MHz的
P
IN
= 20 dBm的
V
DS
= 4.5 V
η
D
70
68
排水英法fi效率，
η
D
(%)
功率增益，G
P
（ dB）的
功率增益，G
P
（ dB）的
16
15
14
13
G
P
12
11
10
2
3
4
5
6
7
8
15
14
13
12
11
10
9
G
P
64
62
60
58
56
54
52
0
50
100
150
200
250
50
300
60
55
50
8
漏极电压，V
DS
(V)
排水空闲电流，我
空闲
（MA ）
输出功率与输入功率
40
35
F = 470 MHz的
I
空闲
= 200毫安
V
DS
= 6 V
漏电流与输入功率
1100
1000
900
F = 470 MHz的
I
空闲
= 200毫安
V
DS
= 6.0 V
V
DS
= 4.5 V
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流，我
DS
（MA ）
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
800
700
600
500
400
300
200
100
V
DS
= 3.6 V
V
DS
= 4.5 V
V
DS
= 3.6 V
20
25
0
0
5
10
15
20
25
输入功率， P
IN
（ dBm的）
输入功率， P
IN
（ dBm的）
排水英法fi效率，
η
D
(%)
16
66
TMF8901F
输出功率，功率增益，漏极效率
随输入功率
40
35
F = 470 MHz的
I
空闲
= 200毫安
V
DS
= 3.6 V
80
70
40
35
F = 470 MHz的
I
空闲
= 50毫安
V
DS
= 6.0 V
P
OUT
80
70
60
50
η
D
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益，G
P
（ dB）的
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益，G
P
（ dB）的
排水英法fi效率，
η
D
(%)
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
G
P
η
D
60
50
40
30
20
10
0
25
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
P
OUT
40
30
20
10
0
25
G
P
输入功率， P
IN
（ dBm的）
输入功率， P
IN
（ dBm的）
□
测试电路原理图
VGG
R1
R = 6.8千欧
C6
C = 100 nF的
C5
C = 10 nF的
L2
L = 100 nH的
R=
牛逼L1
SUBST = "M Sub1"
W = 1.37米米
L = 22米米
L1
M奥德尔= 0.4x2.0x6T
C7
C = 10 nF的
C8
C = 100 nF的
VDD
C4
C = 2.2 nF的
C1
C = 2.2 nF的
Tm值F8901F
P_IN
C2
C = 24 pF的
C9
C = 2.2 nF的
R2
R = 56欧姆
牛逼L2
SUBST = "M Sub1"
W = 1.37米米
L = 15米米
P_OUT
C3
C = 18 pF的
测试板： 0.8毫米FR4玻璃环氧树脂
排水英法fi效率，
η
D
(%)
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