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TMBYV 10-40
小信号肖特基二极管
描述
金属硅整流二极管在玻璃柜featur-
荷兰国际集团非常低的正向压降和快速恢复
时,适用于低电压的切换模式
电源极性保护和高频
昆西电路。
绝对最大额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( AV)
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
T
i
= 60
°C
T
i
= 25
°C
t
p
= 10ms的
T
i
= 25
°C
t
p
= 300s
T
英镑
T
j
T
L
储存和结温
范围
在15秒的最大无铅焊接温度的
MELF
(玻璃)
价值
40
1
25
正弦脉冲
50
矩形脉冲
- 65 150
- 65 125
260
单位
V
A
A
°C
°C
°C
热阻
符号
R
日(J - 1 )
结引线
参数
价值
110
单位
° C / W
*脉冲测试:吨
p
300s
φ <
2%.
1999年8月版: 1A
1/4
TMBYV10-40
电气特性
静态特性
Synbol
I
R
*
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
V
F
*
I
F
= 1A
I
F
= 3A
* *脉冲测试:吨
p
300s
φ <
2%.
测试条件
V
R
= V
RRM
分钟。
典型值。
马克斯。
0.5
单位
mA
10
T
j
= 25°C
0.55
0.85
V
动态特性
符号
C
T
j
= 25°C
测试条件
V
R
= 0
分钟。
典型值。
220
马克斯。
单位
pF
正向电流流动的肖特基整流器是由于
以多数载流子传导。因此,反向恢复
不会受存储电荷如在传统
PN结二极管。
然而,当从换设备开关
病房偏置条件,反向阻断状态,
当前需要耗尽充电电容
tance二极管。
图。 1 :
正向电流与正向电压
在低级别(典型值)。
该电流仅依赖二极管电容和
外部电路的阻抗。令人满意的电路BE-
haviour分析可以假设进行
肖特基整流器包括在标准杆的理想二极管
等位基因与一个可变电容等于至接线
化电容(见图5页4/4 ) 。
图。 2 :
正向电流与正向电压
在高级别(典型值)。
2/4
TMBYV10-40
图。 3 :
反向电流与结
温度。
图。 4 :
反向电流与VRRM每
二。
图。 5 :
电容C与反向应用
电压V
R
(典型值)
图。 6 :
浪涌不重复正向电流
矩形脉冲,提供T A 10毫秒。
3/4
TMBYV10-40
图。 7 :
浪涌不重复正向电流
对周期数。
包装机械数据
MELF玻璃
A
REF 。
尺寸
MILLIMETERS
分钟。
典型值。
马克斯。
分钟。
英寸
典型值。
马克斯。
0.205
0.104
0.024
0.098
/
O
B
O
D
/
C
C
A
B
C
D
4.80
2.50
0.45
2.50
5.20 0.189
2.65 0.098
0.60 0.018
FOOT PRINT尺寸(毫米)
冷却方法:通过对流和传导
打标:在环阴极端。
重量: 0.139克
订货代码: TMBYV10-40电影
3
4
6.5
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体不承担任何责任
使用这些信息,也不造成的后果对于任何侵犯第三方专利或其他权利的任何可能
导致其使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。
本出版物中提到的规格如有变更,恕不另行通知。本出版物取代并替换
以前提供的所有信息。
意法半导体的产品不授权没有生命支持设备或系统中的关键组件
意法半导体发表的书面批准。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
4/4
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小信号肖特基二极管
描述
金属硅整流二极管在玻璃柜featur-
荷兰国际集团非常低的正向压降和快速恢复
时,适用于低电压的切换模式
电源极性保护和高频
昆西电路。
绝对最大额定值
(限制值)
符号
V
RRM
I
F( AV)
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
T
i
= 60
°C
T
i
= 25
°C
t
p
= 10ms的
T
i
= 25
°C
t
p
= 300s
T
英镑
T
j
T
L
储存和结温
范围
在15秒的最大无铅焊接温度的
MELF
(玻璃)
价值
40
1
25
正弦脉冲
50
矩形脉冲
- 65 150
- 65 125
260
单位
V
A
A
°C
°C
°C
热阻
符号
R
日(J - 1 )
结引线
参数
价值
110
单位
° C / W
*脉冲测试:吨
p
300s
φ <
2%.
1999年8月版: 1A
1/4
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电气特性
静态特性
Synbol
I
R
*
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
V
F
*
I
F
= 1A
I
F
= 3A
* *脉冲测试:吨
p
300s
φ <
2%.
测试条件
V
R
= V
RRM
分钟。
典型值。
马克斯。
0.5
单位
mA
10
T
j
= 25°C
0.55
0.85
V
动态特性
符号
C
T
j
= 25°C
测试条件
V
R
= 0
分钟。
典型值。
220
马克斯。
单位
pF
正向电流流动的肖特基整流器是由于
以多数载流子传导。因此,反向恢复
不会受存储电荷如在传统
PN结二极管。
然而,当从换设备开关
病房偏置条件,反向阻断状态,
当前需要耗尽充电电容
tance二极管。
图。 1 :
正向电流与正向电压
在低级别(典型值)。
该电流仅依赖二极管电容和
外部电路的阻抗。令人满意的电路BE-
haviour分析可以假设进行
肖特基整流器包括在标准杆的理想二极管
等位基因与一个可变电容等于至接线
化电容(见图5页4/4 ) 。
图。 2 :
正向电流与正向电压
在高级别(典型值)。
2/4
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图。 3 :
反向电流与结
温度。
图。 4 :
反向电流与VRRM每
二。
图。 5 :
电容C与反向应用
电压V
R
(典型值)
图。 6 :
浪涌不重复正向电流
矩形脉冲,提供T A 10毫秒。
3/4
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图。 7 :
浪涌不重复正向电流
对周期数。
包装机械数据
MELF玻璃
A
REF 。
尺寸
MILLIMETERS
分钟。
典型值。
马克斯。
分钟。
英寸
典型值。
马克斯。
0.205
0.104
0.024
0.098
/
O
B
O
D
/
C
C
A
B
C
D
4.80
2.50
0.45
2.50
5.20 0.189
2.65 0.098
0.60 0.018
FOOT PRINT尺寸(毫米)
冷却方法:通过对流和传导
打标:在环阴极端。
重量: 0.139克
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3
4
6.5
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使用这些信息,也不造成的后果对于任何侵犯第三方专利或其他权利的任何可能
导致其使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。
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意法半导体发表的书面批准。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TMBYV10-40FILM
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联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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原装原厂公司现货
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代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
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柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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