TM4SK64KPU 4194304 64位
TM8SK64KPU 8388608 64位
同步动态RAM模块的SODIMM
SMMS691A - 1997年8月 - 修订1997年11月
D
组织：
D
D
D
D
- TM4SK64KPU 。 。 。 4 194 304 ×64位
- TM8SK64KPU 。 。 。 8 388 608 ×64位
采用3.3 V单电源
（±10％容限）
专为66 MHz的4时钟系统。
JEDEC 144引脚小外形双列直插式
内存模块（ SODIMM ）无缓冲
对于使用带插座
TM4SK64KPU - 采用4个64M位
同步动态RAM （ SDRAM芯片）
(4M
×
16位）的塑料薄型小尺寸
包（ TSOPs ）
TM8SK64KPU - 使用八个64M位
的SDRAM （ 4M
×
16位）的塑料TSOPs
字节读/写功能
性能范围：
同步
时钟周期
时间
tCK3
tCK2
“ xSK64KPU - 10
“ xSK64KPU - 12
10纳秒
12纳秒
10纳秒
12纳秒
存取时间
时钟
产量
tAC3
tAC2
7.5纳秒
8纳秒
9 NS
9.5纳秒
64毫秒
刷新
间隔
TREF
D
高速，低噪声低压TTL
D
D
D
D
D
D
D
D
（ LVTTL ）接口
读取延迟2和3支持
支持连拍交织和
突发中断操作
突发长度可编程为1， 2 ， 4 ，
8和全页
四家银行提供的片上交错
（无缝连接）
环境温度范围
0 ° C至70℃
镀金触点
流水线架构
串行存在检测（ SPD ）使用
EEPROM
D
D
D
描述
该TM4SK64KPU是一个32M字节， 144引脚小外形双列直插式内存模块（ SODIMM ） 。该SODIMM
由四个TMS664164DGE ， 4 194 304 ×16位的SDRAM ，每一个400万， 54引脚塑料薄
小外形封装（ TSOP ），安装与去耦电容的衬底上。看到TMS664164数据
表（文献编号SMOS690 ） 。
该TM8SK64KPU是一个64M字节， 144针SODIMM 。该SODIMM由八个TMS664164DGE ，
4 194 304 ×16位的SDRAM ，每一个400万， 54引脚塑料TSOP安装与去耦在衬底上
电容器。看到TMS664164数据表（文献编号SMOS690 ） 。
手术
该TM4SK64KPU操作为被连接如图所示的4 TMS664164DGE设备
TM4SK64KPU功能框图。该TM8SK64KPU工作八个TMS664164DGE设备
所示连接在TM8SK64KPU功能方框图。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
产品预览资料涉及产品的形成或
开发设计阶段。特征数据和其他
规格是设计目标。德州仪器公司保留权利，以
变更通知或不通知终止这些产品。
版权
1997年，德州仪器
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
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产品预览
SMMS691A - 1997年8月 - 修订1997年11月
TM4SK64KPU 4194304 64位
TM8SK64KPU 8388608 64位
同步动态RAM模块
双列直插式内存模块
（顶视图）
SODIMM
PIN NOMENCLATURE
A[0:11]
A[0:7]
A13/BA0
A12/BA0
CAS
CKE [0：1 ]
CK [0：3 ]
DQ [ 0:63 ]
DQMB [0：7 ]
NC
RAS
S[0:1]
SCL
SDA
VDD
VSS
WE
行地址输入
列地址输入
银行选择零
银行选择一
列地址
频闪
时钟使能
系统时钟
数据输入/数据输出
数据输入/数据输出
让面膜
无连接
行地址选通
片选
SPD时钟
SPD地址/数据
3.3 V电源
地
写使能
TM4SK64KPU TM8SK64KPU
（ SIDE VIEW ） （侧视图）
1
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产品预览
61
143
2
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TM4SK64KPU 4194304 64位
TM8SK64KPU 8388608 64位
同步动态RAM模块的SODIMM
SMMS691A - 1997年8月 - 修订1997年11月
引脚分配
针
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
名字
VSS
VSS
DQ0
DQ32
DQ1
DQ33
DQ2
DQ34
DQ3
DQ35
VDD
VDD
DQ4
DQ36
DQ5
DQ37
DQ6
DQ38
DQ7
DQ39
VSS
VSS
DQMB0
DQMB4
DQMB1
DQMB5
VDD
VDD
A0
A3
A1
A4
A2
A5
VSS
VSS
号
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
针
名字
DQ8
DQ40
DQ9
DQ41
DQ10
DQ42
DQ11
DQ43
VDD
VDD
DQ12
DQ44
DQ13
DQ45
DQ14
DQ46
DQ15
DQ47
VSS
VSS
NC
NC
NC
NC
CK0
CKE0
VDD
VDD
RAS
CAS
WE
CKE1
S0
NC
S1
NC
号
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
针
名字
NC
CK1
VSS
VSS
NC
NC
NC
NC
VDD
VDD
DQ16
DQ48
DQ17
DQ49
DQ18
DQ50
DQ19
DQ51
VSS
VSS
DQ20
DQ52
DQ21
DQ53
DQ22
DQ54
DQ23
DQ55
VDD
VDD
A6
A7
A8
A13/BA0
VSS
VSS
号
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
针
名字
A9
A12/BA1
A10
A11
VDD
VDD
DQMB2
DQMB6
DQMB3
DQMB7
VSS
VSS
DQ24
DQ25
DQ57
DQ26
DQ58
DQ27
DQ59
VDD
VDD
DQ28
DQ60
DQ29
DQ61
DQ30
DQ62
DQ31
DQ63
VSS
VSS
SDA
SCL
VDD
VDD
DQ56
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产品预览
SMMS691A - 1997年8月 - 修订1997年11月
TM4SK64KPU 4194304 64位
TM8SK64KPU 8388608 64位
同步动态RAM模块
SODIMM
小外形双列直插存储器模块和组件
在小外形双列直插存储器模块和组件包括：
D
PC基材： 1,10
±
0.1毫米（ 0.04英寸）公称厚度
D
旁路电容：多层陶瓷
D
接触面积：镀镍和镀金铜线
为TM4SK64KPU功能框图
S0
RC
CS
DQMB0
R
DQ [0：7 ]
DQMB4
R
DQ [ 32:39 ]
8
8
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
U0
DQMB2
R
DQ [ 16:23 ]
DQMB6
R
DQ [ 48:55 ]
8
8
CS
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
CK2
U2
CK1
CK ： U0
CK0
RC
CK ： U1
RC
CK ： U2
RC
CK ： U3
RC
C
RC
CK3
S1
CS
DQMB1
R
DQ [ 8:15 ]
DQMB5
R
DQ [ 40:47 ]
8
8
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
U1
DQMB3
R
DQ [ 24:31 ]
DQMB7
R
DQ [ 56:63 ]
8
8
CS
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
U3
R = 10
RC = 10
C = 10 pF的
VDD
U[0:3]
两个0.1
F
（最小）元
SDRAM
U[0:3]
C
产品预览
VSS
RAS
CAS
WE
CKE0
A[0:11]
RAS ： SDRAM U [ 0 ： 3 ]
CAS ： SDRAM U [ 0 ： 3 ]
WE： SDRAM U [ 0 ： 3 ]
CKE ： SDRAM U [ 0 ： 3 ]
A [ 0:11 ] ： SDRAM U [ 0 ： 3 ]
SPD EEPROM
SCL
A0
A1
VSS
A2
SDA
注： CS =
SPD =
芯片选择
串行存在检测
4
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TM4SK64KPU 4194304 64位
TM8SK64KPU 8388608 64位
同步动态RAM模块的SODIMM
SMMS691A - 1997年8月 - 修订1997年11月
为TM8SK64KPU功能框图
S0
CS
DQMB0
R
DQ [0：7 ]
DQMB4
R
DQ [ 32:39 ]
8
8
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
U0
DQMB4
R
DQ [ 32:39 ]
DQMB0
R
DQ [0：7 ]
8
8
S1
CS
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
UB0
VSS
VDD
U [ 0 ： 3 ] ， UB [ 0 ： 3 ]
两个0.1
F
（最小）
每SDRAM
U [ 0 ： 3 ] ， UB [ 0 ： 3 ]
R = 10
RC = 10
VDD
10 K
CS
DQMB1
R
DQ [ 8:15 ]
DQMB5
R
DQ [ 40:47 ]
8
8
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
U1
DQMB5
R
DQ [ 40:47 ]
DQMB1
R
DQ [ 8:15 ]
8
8
CS
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
UB1
CKE1
CKE0
RAS
CAS
WE
A[0:13]
CKE ： UB [ 0 ： 3 ]
CKE ： U [ 0 ： 3 ]
RAS ： U [ 0 ： 3 ] ， UB [ 0 ： 3 ]
CAS ： U [ 0 ： 3 ] ， UB [ 0 ： 3 ]
WE： U [ 0 ： 3 ] ， UB [ 0 ： 3 ]
CS
DQMB2
R
DQ [ 16:23 ]
DQMB6
R
DQ [ 48:55 ]
8
8
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
U2
DQMB6
R
DQ [ 48:55 ]
DQMB2
R
DQ [ 16:23 ]
8
8
CS
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
CK2
UB2
CK1
CK0
RC
RC
RC
RC
RC
C
CK ： U0 ， UB0
CK ： U1 ， UB1
CK ： U2 ， UB2
CK ： U3 ， UB3
CS
DQMB3
R
DQ [ 24:31 ]
DQMB7
R
DQ [ 56:63 ]
8
8
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
U3
DQMB7
R
DQ [ 56:63 ]
DQMB3
R
DQ [ 24:31 ]
8
8
CS
DQM
DQ [0：7 ]
DQM
DQ [0：7 ]
SPD EEPROM
SCL
A0
A1
VSS
A2
SDA
UB3
RC
CK3
C
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
5
产品预览
A [ 0:13 ] ： U [ 0 ： 3 ] ， UB [ 0 ： 3 ]
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