TRANSCOM
TC1102
2002年1月
超低噪声砷化镓场效应管
特点
低噪声系数：
NF = 0.5 dB（典型） ，在12 GHz的
关联度高增益：
GA = 13 dB的典型，在12 GHz的
LG = 0.25
m,
WG = 160
m
全镀金的高可靠性
100％的直流测试
PHOTO扩建
描述
该TC1102是GaAs假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）的芯片，里面有很
低噪声指数和高增益有关。该装置可用于在电路高达40GHz的和合适的
对于低噪声的应用，包括广泛的商业和军事应用。所有器件都
100％的直流测试，以保证稳定的质量。所有的键合焊盘镀金的或者热压
或热声波引线接合。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
,
,
f
= 12GHz的
在V相关的增益
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
= 12GHz的
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 0.32毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.08毫安
热阻
民
11
典型值
0.5
13
40
55
-1.0
8
90
最大
0.7
单位
dB
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
5
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
路，台南科学工业园区，善化仁，台南县，台湾， ROC
网站： www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
9
TC1102
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
5V
-3.0 V
I
DSS
160
A
14 dBm的
150毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
典型噪声参数（T
A
=25
°
C)
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
频率
NF
选择
（千兆赫）
（ dB）的
2
0.30
4
0.32
6
0.34
8
0.37
10
0.42
12
0.47
14
0.56
16
0.70
18
0.87
G
A
（ dB）的
19.0
17.4
15.7
14.3
12.9
11.9
11.4
11.2
10.9
Γ
选择
MAG
0.98
0.84
0.68
0.51
0.38
0.28
0.25
0.32
0.49
昂
15
30
50
76
107
146
193
250
317
Rn/50
0.40
0.35
0.26
0.19
0.12
0.08
0.07
0.11
0.23
芯片尺寸
280 ± 12
D
S
G
S
250 ± 12
单位：千分尺
切屑厚度： 100
门垫： 55 ×60
漏极焊盘： 55 ×60
来源垫： 55 ×14
TRANSCOM ，INC。
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th
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10
TRANSCOM
TC1102
典型的散射参数（T
A
=25°C)
°
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
1.0
6
0.
2.
0
SWP最大
18GHz
0
3.
0
4.
0
5.
10.0
60
MAG最大
0.15
5
13
SWP最大
18 GHz的
45
0.8
90
S11
75
105
0
12
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.6
.0
-2
-1
35
.4
-0
-0.8
-1
20
-1.0
-105
6
0.
60
MAG最大
5
5
13
15
0
SWP最大
18 GHz的
45
1.0
90
0.8
75
2.
0
30
15
165
0
-180
-165
50
-1
S21
-3
0
-1
35
-1
20
-105
-0
.6
-1.0
1
每格
SWP敏
2 GHz的
-0.8
.0
-2
.4
-0
频率
（千兆赫）
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
S11
MAG
0.9909
0.9805
0.9673
0.9524
0.9367
0.9209
0.9057
0.8913
0.8780
0.8659
0.8551
0.8453
0.8366
0.8290
0.8222
0.8163
0.8111
昂
-20.88
-30.94
-40.57
-49.69
-58.26
-66.26
-73.69
-80.57
-86.92
-92.79
-98.22
-103.24
-107.89
-112.20
-116.22
-119.96
-123.45
MAG
4.1640
4.0654
3.9385
3.7916
3.6326
3.4682
3.3038
3.1430
2.9885
2.8417
2.7033
2.5737
2.4526
2.3399
2.2349
2.1373
2.0464
S21
昂
163.83
156.02
148.51
141.35
134.56
128.16
122.13
116.45
111.09
106.02
101.22
96.66
92.32
88.16
84.17
80.33
76.64
MAG
0.0305
0.0447
0.0577
0.0694
0.0798
0.0888
0.0966
0.1033
0.1090
0.1139
0.1181
0.1216
0.1247
0.1272
0.1295
0.1313
0.1329
S12
昂
77.18
71.04
65.20
59.71
54.59
49.85
45.48
41.45
37.74
34.32
31.16
28.24
25.52
22.98
20.61
18.38
16.28
MAG
0.7466
0.7346
0.7193
0.7019
0.6835
0.6650
0.6471
0.6302
0.6146
0.6005
0.5880
0.5770
0.5674
0.5593
0.5525
0.5468
0.5423
该数据不包括栅极，漏极和源极连接线。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
路，台南科学工业园区，善化仁，台南县，台湾， ROC
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电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
11
-3
.0
-4
.
-5.
0
0
2
-0.
SWP敏
2GHz
-10.0
-15
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0.
4
0.2
-3
.0
-4
.
-5.
0
0
2
-0.
SWP敏
2GHz
-10.0
0.
4
15
0
165
30
15
0
0.2
105
0
12
10.0
-180
-15
-165
S12
5
-4
50
-1
0
-6
-3
0
-75
0.075
每格
SWP敏
2 GHz的
-90
SWP最大
18GHz
0
3.
0
4.
0
5.
S22
10.0
5
-4
0
-6
-75
-90
S22
昂
-11.01
-16.27
-21.26
-25.95
-30.31
-34.35
-38.08
-41.53
-44.73
-47.70
-50.49
-53.11
-55.59
-57.95
-60.21
-62.39
-64.49
TC1102
小信号模型，
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
概要
Lg
Rg
CGS
Ri
T
CGD
Gm
CDS
RDS
Rd
Ld
参数
参数
Lg
Rg
CGS
Ri
0.0384 nH的
0.97欧姆
0.222 pF的
1.78欧姆
0.0273 pF的
53.3毫秒
1.49微秒
参数
Rs
Ls
CDS
RDS
Rd
Ld
1.72欧姆
0.001 nH的
0.061 pF的
328欧姆
1.698欧姆
0.0286 nH的
Rs
Ls
CGD
Gm
T
切片处理
芯片连接：
导电环氧或共晶芯片附着建议。共晶芯片附着能
在舞台下完成与金锡（ 80 ％的Au- 20 ％ Sn）的执行： 290℃
±
5 ℃;搬运工具：
镊子;时间：小于1分钟。
引线键合：
推荐的金属丝键合方法是热压粘合与0.7至1.0密耳
（ 0.018 0.025 MM）的金线。阶段的温度：220℃ 250℃ ;焊头温度： 150 ℃;债券
力：根据电线焊接头温度的大小为20 30克。
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。应当慎重
操作过程中避免对设备造成损坏。静电放电（ ESD）预防措施应遵守
各个阶段的仓储，装卸，组装和测试。静电放电必须小于300V 。
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12
TRANSCOM
TC1102
2002年1月
超低噪声砷化镓场效应管
特点
低噪声系数：
NF = 0.5 dB（典型） ，在12 GHz的
关联度高增益：
GA = 13 dB的典型，在12 GHz的
LG = 0.25
m,
WG = 160
m
全镀金的高可靠性
100％的直流测试
PHOTO扩建
描述
该TC1102是GaAs假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）的芯片，里面有很
低噪声指数和高增益有关。该装置可用于在电路高达40GHz的和合适的
对于低噪声的应用，包括广泛的商业和军事应用。所有器件都
100％的直流测试，以保证稳定的质量。所有的键合焊盘镀金的或者热压
或热声波引线接合。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
NF
G
a
I
DSS
g
m
V
P
BV
DGO
R
th
条件
噪声系数在V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
,
,
f
= 12GHz的
在V相关的增益
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安，
f
= 12GHz的
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 0.32毫安
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 0.08毫安
热阻
民
11
典型值
0.5
13
40
55
-1.0
8
90
最大
0.7
单位
dB
dB
mA
mS
伏
伏
° C / W
5
TRANSCOM ，INC。
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th
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9
TC1102
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
栅电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
5V
-3.0 V
I
DSS
160
A
14 dBm的
150毫瓦
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
典型噪声参数（T
A
=25
°
C)
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
频率
NF
选择
（千兆赫）
（ dB）的
2
0.30
4
0.32
6
0.34
8
0.37
10
0.42
12
0.47
14
0.56
16
0.70
18
0.87
G
A
（ dB）的
19.0
17.4
15.7
14.3
12.9
11.9
11.4
11.2
10.9
Γ
选择
MAG
0.98
0.84
0.68
0.51
0.38
0.28
0.25
0.32
0.49
昂
15
30
50
76
107
146
193
250
317
Rn/50
0.40
0.35
0.26
0.19
0.12
0.08
0.07
0.11
0.23
芯片尺寸
280 ± 12
D
S
G
S
250 ± 12
单位：千分尺
切屑厚度： 100
门垫： 55 ×60
漏极焊盘： 55 ×60
来源垫： 55 ×14
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10
TRANSCOM
TC1102
典型的散射参数（T
A
=25°C)
°
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
1.0
6
0.
2.
0
SWP最大
18GHz
0
3.
0
4.
0
5.
10.0
60
MAG最大
0.15
5
13
SWP最大
18 GHz的
45
0.8
90
S11
75
105
0
12
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.6
.0
-2
-1
35
.4
-0
-0.8
-1
20
-1.0
-105
6
0.
60
MAG最大
5
5
13
15
0
SWP最大
18 GHz的
45
1.0
90
0.8
75
2.
0
30
15
165
0
-180
-165
50
-1
S21
-3
0
-1
35
-1
20
-105
-0
.6
-1.0
1
每格
SWP敏
2 GHz的
-0.8
.0
-2
.4
-0
频率
（千兆赫）
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
S11
MAG
0.9909
0.9805
0.9673
0.9524
0.9367
0.9209
0.9057
0.8913
0.8780
0.8659
0.8551
0.8453
0.8366
0.8290
0.8222
0.8163
0.8111
昂
-20.88
-30.94
-40.57
-49.69
-58.26
-66.26
-73.69
-80.57
-86.92
-92.79
-98.22
-103.24
-107.89
-112.20
-116.22
-119.96
-123.45
MAG
4.1640
4.0654
3.9385
3.7916
3.6326
3.4682
3.3038
3.1430
2.9885
2.8417
2.7033
2.5737
2.4526
2.3399
2.2349
2.1373
2.0464
S21
昂
163.83
156.02
148.51
141.35
134.56
128.16
122.13
116.45
111.09
106.02
101.22
96.66
92.32
88.16
84.17
80.33
76.64
MAG
0.0305
0.0447
0.0577
0.0694
0.0798
0.0888
0.0966
0.1033
0.1090
0.1139
0.1181
0.1216
0.1247
0.1272
0.1295
0.1313
0.1329
S12
昂
77.18
71.04
65.20
59.71
54.59
49.85
45.48
41.45
37.74
34.32
31.16
28.24
25.52
22.98
20.61
18.38
16.28
MAG
0.7466
0.7346
0.7193
0.7019
0.6835
0.6650
0.6471
0.6302
0.6146
0.6005
0.5880
0.5770
0.5674
0.5593
0.5525
0.5468
0.5423
该数据不包括栅极，漏极和源极连接线。
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11
-3
.0
-4
.
-5.
0
0
2
-0.
SWP敏
2GHz
-10.0
-15
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0.
4
0.2
-3
.0
-4
.
-5.
0
0
2
-0.
SWP敏
2GHz
-10.0
0.
4
15
0
165
30
15
0
0.2
105
0
12
10.0
-180
-15
-165
S12
5
-4
50
-1
0
-6
-3
0
-75
0.075
每格
SWP敏
2 GHz的
-90
SWP最大
18GHz
0
3.
0
4.
0
5.
S22
10.0
5
-4
0
-6
-75
-90
S22
昂
-11.01
-16.27
-21.26
-25.95
-30.31
-34.35
-38.08
-41.53
-44.73
-47.70
-50.49
-53.11
-55.59
-57.95
-60.21
-62.39
-64.49
TC1102
小信号模型，
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
概要
Lg
Rg
CGS
Ri
T
CGD
Gm
CDS
RDS
Rd
Ld
参数
参数
Lg
Rg
CGS
Ri
0.0384 nH的
0.97欧姆
0.222 pF的
1.78欧姆
0.0273 pF的
53.3毫秒
1.49微秒
参数
Rs
Ls
CDS
RDS
Rd
Ld
1.72欧姆
0.001 nH的
0.061 pF的
328欧姆
1.698欧姆
0.0286 nH的
Rs
Ls
CGD
Gm
T
切片处理
芯片连接：
导电环氧或共晶芯片附着建议。共晶芯片附着能
在舞台下完成与金锡（ 80 ％的Au- 20 ％ Sn）的执行： 290℃
±
5 ℃;搬运工具：
镊子;时间：小于1分钟。
引线键合：
推荐的金属丝键合方法是热压粘合与0.7至1.0密耳
（ 0.018 0.025 MM）的金线。阶段的温度：220℃ 250℃ ;焊头温度： 150 ℃;债券
力：根据电线焊接头温度的大小为20 30克。
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。应当慎重
操作过程中避免对设备造成损坏。静电放电（ ESD）预防措施应遵守
各个阶段的仓储，装卸，组装和测试。静电放电必须小于300V 。
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th
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