TM124MBK36B ， TM124MBK36R 1048576 36位
TM248NBK36B ， TM248NBK36R 2097152 36位
动态RAM模块
SMMS137E - 1991年1月 - 1995 REVISEDJUNE
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织
TM124MBK36B 。 。 。 1 048 576
×
36
TM248NBK36B 。 。 。 2 097 152
×
36
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
72引脚无引线单列直插式内存
模块（ SIMM ）为使用套接字
TM124MBK36B ，开发前景8个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包和1个4兆位
四CAS DRAM的塑料小外形
J形引线（ SOJ ）封装
TM248NBK36B ，采用16个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包和两个4兆位
四CAS DRAM的塑料小外形
J形引线（ SOJ ）包
龙刷新周期
16毫秒（ 1024个周期）
所有输入，输出，时钟完全TTL
兼容
三态输出
常见的CAS控制九种
数据输入和数据输出线，四大板块
增强的页面模式操作使用
CAS先于RAS （ CBR ） ， RAS -而已，
隐藏刷新
D
D
设备检测
性能范围：
ACCESS
时间
TRAC
（最大）
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
ACCESS READ ACCESS
时间
时间
OR
TAA
大隘社写
周期
（最大）
（最大）
（分钟）
30纳秒
15纳秒
110纳秒
35纳秒
18纳秒
130纳秒
40纳秒
20纳秒
150纳秒
30纳秒
15纳秒
110纳秒
35纳秒
18纳秒
130纳秒
40纳秒
20纳秒
150纳秒
D
D
D
D
’124MBK36B-60
’124MBK36B-70
’124MBK36B-80
’248NBK36B-60
’248NBK36B-70
’248NBK36B-80
低功耗
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
金标签式的版本可供选择：
- TM124MBK36B
- TM248NBK36B
锡铅（焊接）选项卡式版本
可用：
- TM124MBK36R
- TM248NBK36R
描述
TM124MBK36B
该TM124MBK36B是有组织的四倍动态随机存取存储器（ DRAM） 1 048 576
×
9
（第9位通常用于奇偶校验）的72引脚无引线单列直插存储器模块（ SIMM ） 。在SIMM是
由八个TMS44400DJ ， 1 048 576
×
4位的DRAM ，每26分之20引脚塑料小外形J形引脚
包（ SOJs ） ，和1 TMS44460DJ ， 1 048 576
×
4位四CAS DRAM的26分之24引脚塑料
小外形J引线封装（ SOJ ） ，安装有去耦电容的基板上。每个TMS44400DJ
和TMS44460DJ是在TMS44400或TMS44460数据表，分别描述。
该TM124MBK36B是与插座采用单面BK无铅模块中使用。
该TM124MBK36B特点是60纳秒， 70纳秒，和80 ns的RAS访问时间。该器件的额定工作
从0℃至70℃。
TM248NBK36B
该TM248NBK36B是组织为四次DRAM 2 097 152
×
9 （第9位通常用于奇偶校验）在一
72引脚无引线SIMM 。在SIMM是由16 TMS44400DJ ， 1 048 576
×
4位的DRAM中，每个在
二十六分之二十零引脚塑料小外形J形引脚封装（ SOJs ） ，以及两个TMS44460DJ ， 1 048 576
×
4位四CAS
DRAM的每一个均处于26分之24引线塑料小外形J引线封装（ SOJ ） ，安装有一个基片上
去耦电容。每个TMS44400DJ和TMS44460DJ的TMS44400和TMS44460描述
数据表，分别。
本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
TM124MBK36B ， TM124MBK36R 1048576 36位
TM248NBK36B ， TM248NBK36R 2097152 36位
动态RAM模块
SMMS137E - 1991年1月 - 1995 REVISEDJUNE
TM248NBK36B （续）
该TM124NBK36B是用于与插座使用双面BK无引线模块中提供。
该TM124NBK36B特点是60纳秒， 70纳秒，和80 ns的RAS访问时间。该器件的额定工作
在0°C至70℃
手术
TM124MBK36B
该TM124MBK36B操作为8 TMS44400DJs和1 TMS44460DJ所示连接在
功能框图和表1中的奇偶校验位由TMS44460DJ提供和控制
RAS2 。为了确保正确的校验位操作的所有内存访问应包括RAS2脉冲。参阅
TMS44400和TMS44460数据表的操作细节。常见的I / O功能要求使用的
早期的写周期，以防止争D和Q.
TM248NBK36B
该TM248NBK36B操作为16 TMS44400DJs和2 TMS44460DJs所示连接在
功能框图和表1中的奇偶校验位由TMS44460DJ提供和控制
RAS2侧面1和RAS3侧面2.为了确保正常的奇偶校验位的操作，所有的内存访问应包括
一个RAS2或RAS3脉冲。请参阅TMS44400和TMS44460数据表的操作细节。该
通用I / O功能要求使用的早期的写周期，以防止争D和Q.
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TM124MBK36B ， TM124MBK36R 1048576 36位
TM248NBK36B ， TM248NBK36R 2097152 36位
动态RAM模块
SMMS137E - 1991年1月 - 1995 REVISEDJUNE
BK单列直插式内存模块
（ TOP VIEW ）
TM124MBK36B
（ SIDE VIEW ）
TM248NBK36B
（ SIDE VIEW ）
VSS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
NC
VCC
A8
A9
RAS3
RAS2
DQ26
DQ8
DQ17
DQ35
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
VCC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
PIN NOMENCLATURE
A0 – A9
CAS0 - CAS3
DQ0 - DQ35
NC
PD1 PD4
RAS0 - RAS3
VCC
VSS
W
地址输入
列地址选通
数据输入/输出
无连接
存在检测
行地址选通
5 V电源
地
写使能
设备检测
信号
（ PIN）
80纳秒
TM124MBK36B
70纳秒
60纳秒
80纳秒
TM248NBK36B
70纳秒
60纳秒
PD1
(67)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD2
(68)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD3
(69)
NC
VSS
NC
NC
VSS
NC
PD4
(70)
VSS
NC
NC
VSS
NC
NC
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
TM124MBK36B ， TM124MBK36R 1048576 36位
TM248NBK36B ， TM248NBK36R 2097152 36位
动态RAM模块
SMMS137E - 1991年1月 - 1995 REVISEDJUNE
表1.连接表
数据块
DQ0 - DQ7
DQ8
DQ9 - DQ16
DQ17
DQ18 - DQ25
DQ26
DQ27 - DQ34
DQ35
RASx
方1
RAS0
RAS2
RAS0
RAS2
RAS2
RAS2
RAS2
RAS2
SIDE 2
RAS1
RAS3
RAS1
RAS3
RAS3
RAS3
RAS3
RAS3
CASx
CAS0
CAS0
CAS1
CAS1
CAS2
CAS2
CAS3
CAS3
2面仅适用于TM248NBK36B 。
单列直插存储器模块和组件
PC基材： 1,27
±
0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲
旁路电容：多层陶瓷
接触面积TM124MBK36B和TM248NBK36B ：镍板和黄金板块在铜
接触面积TM124MBK36R和TM248NBK36R ：镍板和锡铅在铜
4
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功能框图（ TM124MBK36B和TM248NBK36B ，一边1 ）
A0 – A9
RAS0
W
CAS0
10
RAS2
CAS1
10
1M
×
4
A0–A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1–
DQ4
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ0
DQ3
10
DQ9 -
DQ12
10
DQ18 -
DQ21
10
DQ27 -
DQ30
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4 -
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ13 -
DQ16
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ22 -
DQ25
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
TM124MBK36B ， TM124MBK36R 1048576 36位
TM248NBK36B ， TM248NBK36R 2097152 36位
动态RAM模块
DQ31 -
DQ34
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS4
DQ4
CAS3
DQ3
CAS2
DQ2
DQ1
CAS1
OE
SMMS137E - 1991年1月 - 修订1995年6月
DQ35
DQ26
DQ17
DQ8
5
QQ：2880707522 复制
