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TH58100FT
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
2
1千兆位（ 128M
8位）的CMOS NAND PROM
描述
该TH58100是采用3.3 V单1千兆位（ 1107296256 ） NAND位电可擦除和可编程
只读存储器（ NAND
2
PROM ）组织为528个字节
32页
8192块。该装置具有一个528个字节的
静态寄存器，它允许程序和数据读取到寄存器和存储器单元阵列之间传送
在528个字节为单位。擦除操作是在一个单一的块为单位实施（ 16千字节
+
512字节： 528字节
32页） 。
该TH58100是，它利用了I / O管脚对作为地址和数据输入/输出的串行式存储装置
以及对命令的输入。在擦除和编程操作自动执行使得该器件最
适合的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储于照相机和
其他系统需要高密度的非易失性存储器中的数据存储。
特点
·
组织
存储单元释528
128K
8
2
注册
528
8
PAGE SIZE
528字节
BLOCK SIZE
(16K
+
512 ）字节
模式
阅读，复位，自动页面编程
自动块擦除，状态读
多座计划，多块擦除
模式控制
串行输入/输出
指挥控制
·
·
·
·
电源
V
CC
=
2.7 V至3.6 V
编程/擦除周期1E5周期（带ECC ）
存取时间
注册25单元阵列
ms
最大
串行读周期
50 ns（最小值）
工作电流
阅读（ 50 ns的周期）
10毫安典型。
计划（平均）
10毫安典型。
擦除（平均）
10毫安典型。
待机
100
mA
包
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量： 0.53克典型值）
·
·
·
引脚分配
（ TOP VIEW ）
NC
NC
NC
NC
NC
GND
RY / BY
引脚名称
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
NC
NC
NC
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
NC
NC
NC
V
CC
V
SS
NC
NC
NC
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
NC
NC
NC
NC
I / O1到I / O8
CE
RE
CE
NC
NC
V
CC
V
SS
NC
NC
CLE
ALE
WE
WP
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
I / O端口
芯片使能
写使能
读使能
命令锁存使能
地址锁存使能
写保护
就绪/忙
输入地
电源
地
000707EBA1
WE
RE
CLE
ALE
WP
RY / BY
GND
V
CC
V
SS
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。这是买方的责任，
利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并避免
情况，其中东芝等产品的故障或失效可能导致生命损失，人身伤害或损坏
财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围作为最陈述
最近东芝的产品规格。另外，请记住提出的注意事项和条件“处理指南
半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能控制
仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
·
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2001-03-05 1/43
TH58100FT
框图
V
CC
V
SS
状态寄存器
I/O1
to
I/O8
I / O控制电路
地址寄存器
柱缓冲液
列解码器
命令寄存器
数据寄存器
SENSE AMP
行地址译码器
CE
CLE
ALE
逻辑控制
WE
RE
WP
RY / BY
RY / BY
控制
行地址缓冲器
解码器
存储单元阵列
高压发生器
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
OPR
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
储存温度
工作温度
等级
价值
-0.6
4.6
-0.6
4.6
-0.6
V到V
CC
+
0.3 V ( 4.6 V)
0.3
260
-55
150
0到70
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
电容
* （大
=
25 ° C，F
=
1兆赫）
SYMB0L
C
IN
C
OUT
*
输入
产量
参数
条件
V
IN
=
0 V
V
OUT
=
0 V
民
最大
20
20
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是对每个设备进行测试。
2001-03-05 2/43
TH58100FT
有效块
(1)
符号
N
VB
参数
有效块数
民
8032
典型值。
最大
8192
单位
块
（1） TH58100偶尔包含不可用的块。参阅应用说明（14）朝向该文件的结束。
建议的直流工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
*
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
-2
V（脉冲宽度小于20纳秒）
民
2.7
2.0
-0.3*
典型值。
3.3
最大
3.6
V
CC
+
0.3
0.8
单位
V
V
V
DC特性
（大
=
0 °至70° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
I
IL
I
LO
I
CCO1
I
CCO3
I
CCO4
I
CCO5
I
CCO7
I
CCO8
I
CCS1
I
CCS2
V
OH
V
OL
I
OL
(
RY / BY
)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流（串行读）
工作电流
（命令输入）
工作电流（数据输入）
工作电流
（地址输入）
编程电流
写电流
待机电流
待机电流
高电平输出电压
低电平输出电压
输出电流
RY / BY
针
CE
=
V
IH
CE
=
V
CC
-
0.2 V
条件
V
IN
=
0 V至V
CC
V
OUT
=
0.4 V到V
CC
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0毫安，T
周期
=
50纳秒
民
典型值。
10
10
10
10
10
10
8
最大
±10
±10
30
30
30
30
30
30
1
100
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
mA
t
周期
=
50纳秒
t
周期
=
50纳秒
t
周期
=
50纳秒
2.4
I
OH
= -400毫安
I
OL
=
2.1毫安
V
OL
=
0.4 V
2001-03-05 3/43
TH58100FT
交流特性和推荐工作条件
（大
=
0 °至70° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
CLE建立时间
CLE保持时间
参数
民
0
10
最大
单位
ns
ns
笔记
CE建立时间
CE保持时间
把脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
0
10
25
0
10
20
10
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
WE高保持时间
WP高到WE低
准备重新下降沿
阅读脉宽
读周期时间
RE存取时间（串行数据访问）
CE的时候了最后一个地址的串行读周期
RE存取时间（ ID读）
数据输出保持时间
RE高到输出高阻抗
CE高到输出高阻抗
稀土高保持时间
输出高阻抗，用于─ RE上升沿
RE存取时间（状态读）
CE访问时间（状态读）
RE高到WE低
WE高到CE低
WE高到RE低
ALE低到RE低（ ID读）
CE低到低RE （ID读）
存储单元阵列，以起始地址
WE高到忙
ALE低到RE低（读周期）
RE最后一个时钟上升沿忙（在连续读）
CE高到准备（当行政长官在读模式下打断）
器件复位时间（读取/编程/擦除）
15
100
20
35
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
m
s
t
WW
t
RR
t
RP
t
RC
t
REA
t
CEH
t
REAID
t
OH
t
RHZ
t
CHZ
t
REH
t
IR
t
RSTO
t
集体安全条约组织
t
RHW
t
世界遗产
t
WHR
t
AR1
t
CR
t
R
t
WB
t
AR2
t
RB
t
CRY
t
RST
35
100
(2)
35
10
30
20
15
0
35
45
0
30
30
100
100
25
200
ns
ns
ns
m
s
m
s
50
200
1
+
t
r
（ RY / BY ）
6/10/500
(1) (2)
AC测试条件
参数
输入电平
输入脉冲上升时间和下降时间
输入电平比较
输出数据比较级
输出负载
条件
2.4 V, 0.4 V
3纳秒
1.5 V, 1.5 V
1.5 V, 1.5 V
C
L
（ 100 pF的）
+
1 TTL
2001-03-05 4/43
TH58100FT
注： （ 1 ）
CE
高到就绪时间取决于上拉电阻连接到
RY / BY
引脚。
（请参考应用笔记（9）朝向此文档的末尾）。
（ 2 ）连续读取终止当T
CEH
大于或等于100纳秒。如果
RE
to
CE
延迟
小于30纳秒，
RY / BY
信号保持就绪。
t
CEH
100纳秒
*
CE
*:
V
IH
或V
IL
RE
525
526
527
A
A：0 30纳秒
忙信号不输出。
RY / BY
忙
t
CRY
编程和擦除特性
（大
=
0 °至70° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
t
PROG
t
DBSY
t
MBPBSY
N
t
BERASE
参数
编程时间
假忙的时间多座
程序设计
多座节目时间忙
在相同的编程周期数
页面
块擦除时间
民
典型值。
200
2
200
2
最大
1000
10
1000
3
10
ms
单位
ms
ms
ms
(1)
笔记
（ 1 ） ：请参考应用笔记（ 12 ）对本文档的末尾。
2001-03-05 5/43
TH58100FT
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
2
1千兆位（ 128M
8位）的CMOS NAND PROM
描述
该TH58100是采用3.3 V单1千兆位（ 1107296256 ） NAND位电可擦除和可编程
只读存储器（ NAND
2
PROM ）组织为528个字节
32页
8192块。该装置具有一个528个字节的
静态寄存器，它允许程序和数据读取到寄存器和存储器单元阵列之间传送
在528个字节为单位。擦除操作是在一个单一的块为单位实施（ 16千字节
+
512字节： 528字节
32页） 。
该TH58100是，它利用了I / O管脚对作为地址和数据输入/输出的串行式存储装置
以及对命令的输入。在擦除和编程操作自动执行使得该器件最
适合的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储于照相机和
其他系统需要高密度的非易失性存储器中的数据存储。
特点
·
组织
存储单元释528
128K
8
2
注册
528
8
PAGE SIZE
528字节
BLOCK SIZE
(16K
+
512 ）字节
模式
阅读，复位，自动页面编程
自动块擦除，状态读
多座计划，多块擦除
模式控制
串行输入/输出
指挥控制
·
·
·
·
电源
V
CC
=
2.7 V至3.6 V
编程/擦除周期1E5周期（带ECC ）
存取时间
注册25单元阵列
ms
最大
串行读周期
50 ns（最小值）
工作电流
阅读（ 50 ns的周期）
10毫安典型。
计划（平均）
10毫安典型。
擦除（平均）
10毫安典型。
待机
100
mA
包
TSOPI48 -P - 1220-0.50 （重量： 0.53克典型值）
·
·
·
引脚分配
（ TOP VIEW ）
NC
NC
NC
NC
NC
GND
RY / BY
引脚名称
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
NC
NC
NC
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
NC
NC
NC
V
CC
V
SS
NC
NC
NC
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
NC
NC
NC
NC
I / O1到I / O8
CE
RE
CE
NC
NC
V
CC
V
SS
NC
NC
CLE
ALE
WE
WP
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
I / O端口
芯片使能
写使能
读使能
命令锁存使能
地址锁存使能
写保护
就绪/忙
输入地
电源
地
000707EBA1
WE
RE
CLE
ALE
WP
RY / BY
GND
V
CC
V
SS
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。这是买方的责任，
利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并避免
情况，其中东芝等产品的故障或失效可能导致生命损失，人身伤害或损坏
财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围作为最陈述
最近东芝的产品规格。另外，请记住提出的注意事项和条件“处理指南
半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能控制
仪器仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
·
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2001-03-05 1/43
TH58100FT
框图
V
CC
V
SS
状态寄存器
I/O1
to
I/O8
I / O控制电路
地址寄存器
柱缓冲液
列解码器
命令寄存器
数据寄存器
SENSE AMP
行地址译码器
CE
CLE
ALE
逻辑控制
WE
RE
WP
RY / BY
RY / BY
控制
行地址缓冲器
解码器
存储单元阵列
高压发生器
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
OPR
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
储存温度
工作温度
等级
价值
-0.6
4.6
-0.6
4.6
-0.6
V到V
CC
+
0.3 V ( 4.6 V)
0.3
260
-55
150
0到70
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
电容
* （大
=
25 ° C，F
=
1兆赫）
SYMB0L
C
IN
C
OUT
*
输入
产量
参数
条件
V
IN
=
0 V
V
OUT
=
0 V
民
最大
20
20
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是对每个设备进行测试。
2001-03-05 2/43
TH58100FT
有效块
(1)
符号
N
VB
参数
有效块数
民
8032
典型值。
最大
8192
单位
块
（1） TH58100偶尔包含不可用的块。参阅应用说明（14）朝向该文件的结束。
建议的直流工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
*
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
-2
V（脉冲宽度小于20纳秒）
民
2.7
2.0
-0.3*
典型值。
3.3
最大
3.6
V
CC
+
0.3
0.8
单位
V
V
V
DC特性
（大
=
0 °至70° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
I
IL
I
LO
I
CCO1
I
CCO3
I
CCO4
I
CCO5
I
CCO7
I
CCO8
I
CCS1
I
CCS2
V
OH
V
OL
I
OL
(
RY / BY
)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流（串行读）
工作电流
（命令输入）
工作电流（数据输入）
工作电流
（地址输入）
编程电流
写电流
待机电流
待机电流
高电平输出电压
低电平输出电压
输出电流
RY / BY
针
CE
=
V
IH
CE
=
V
CC
-
0.2 V
条件
V
IN
=
0 V至V
CC
V
OUT
=
0.4 V到V
CC
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0毫安，T
周期
=
50纳秒
民
典型值。
10
10
10
10
10
10
8
最大
±10
±10
30
30
30
30
30
30
1
100
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
mA
t
周期
=
50纳秒
t
周期
=
50纳秒
t
周期
=
50纳秒
2.4
I
OH
= -400毫安
I
OL
=
2.1毫安
V
OL
=
0.4 V
2001-03-05 3/43
TH58100FT
交流特性和推荐工作条件
（大
=
0 °至70° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
CLE建立时间
CLE保持时间
参数
民
0
10
最大
单位
ns
ns
笔记
CE建立时间
CE保持时间
把脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
0
10
25
0
10
20
10
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
WE高保持时间
WP高到WE低
准备重新下降沿
阅读脉宽
读周期时间
RE存取时间（串行数据访问）
CE的时候了最后一个地址的串行读周期
RE存取时间（ ID读）
数据输出保持时间
RE高到输出高阻抗
CE高到输出高阻抗
稀土高保持时间
输出高阻抗，用于─ RE上升沿
RE存取时间（状态读）
CE访问时间（状态读）
RE高到WE低
WE高到CE低
WE高到RE低
ALE低到RE低（ ID读）
CE低到低RE （ID读）
存储单元阵列，以起始地址
WE高到忙
ALE低到RE低（读周期）
RE最后一个时钟上升沿忙（在连续读）
CE高到准备（当行政长官在读模式下打断）
器件复位时间（读取/编程/擦除）
15
100
20
35
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
m
s
t
WW
t
RR
t
RP
t
RC
t
REA
t
CEH
t
REAID
t
OH
t
RHZ
t
CHZ
t
REH
t
IR
t
RSTO
t
集体安全条约组织
t
RHW
t
世界遗产
t
WHR
t
AR1
t
CR
t
R
t
WB
t
AR2
t
RB
t
CRY
t
RST
35
100
(2)
35
10
30
20
15
0
35
45
0
30
30
100
100
25
200
ns
ns
ns
m
s
m
s
50
200
1
+
t
r
（ RY / BY ）
6/10/500
(1) (2)
AC测试条件
参数
输入电平
输入脉冲上升时间和下降时间
输入电平比较
输出数据比较级
输出负载
条件
2.4 V, 0.4 V
3纳秒
1.5 V, 1.5 V
1.5 V, 1.5 V
C
L
（ 100 pF的）
+
1 TTL
2001-03-05 4/43
TH58100FT
注： （ 1 ）
CE
高到就绪时间取决于上拉电阻连接到
RY / BY
引脚。
（请参考应用笔记（9）朝向此文档的末尾）。
（ 2 ）连续读取终止当T
CEH
大于或等于100纳秒。如果
RE
to
CE
延迟
小于30纳秒，
RY / BY
信号保持就绪。
t
CEH
100纳秒
*
CE
*:
V
IH
或V
IL
RE
525
526
527
A
A：0 30纳秒
忙信号不输出。
RY / BY
忙
t
CRY
编程和擦除特性
（大
=
0 °至70° C，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
t
PROG
t
DBSY
t
MBPBSY
N
t
BERASE
参数
编程时间
假忙的时间多座
程序设计
多座节目时间忙
在相同的编程周期数
页面
块擦除时间
民
典型值。
200
2
200
2
最大
1000
10
1000
3
10
ms
单位
ms
ms
ms
(1)
笔记
（ 1 ） ：请参考应用笔记（ 12 ）对本文档的末尾。
2001-03-05 5/43
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