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TLV3011
TLV3012
SBOS300B - 2004年2月 - 修订2004年6月
纳安级功耗, 1.8V , SOT23
比较器参考电压
特点
q
低静态电流: 5
A(最大值)
q
集成基准电压源: 1.242V
q
输入共模范围:
200mV的超越导轨
q
参考电压初始准确度: 1 %
q
开漏逻辑兼容输出:
TLV3011
q
推挽输出: TLV3012
q
低电源电压: 1.8V至5.5V
q
响应时间快: 6
s传输延迟
具有100mV的过载( TLV3011 ,R
引体向上
= 10k)
q
MicroSIZE封装: SOT23-6和SC70-6
描述
该TLV3011是一款低功耗,漏极开路输出比较器;
的TLV3012是一个推挽输出比较器。这两种功能
未提交的片上电压参考。两者都有5μA
(最大值)的静态电流,输入共模范围为200mV
超越电源轨,并从单电源工作
1.8V至5.5V 。集成1.242V系列电压基准
提供100ppm的低/° C(最大值)漂移,稳定与达至10nF
容性负载,并能提供高达输出0.5毫安(典型值)
电流。
该TLV3011和TLV3012是在微小的SOT23-6可用
封装为空间的保守设计。它也可用于
在SC70封装的更大的电路板面积节省。两
版本为-40°C的温度范围
+125°C.
应用
q
q
q
q
q
电池供电的电平检测
数据采集
系统监控
振荡器
传感器系统:
烟雾探测器,光传感器,报警
TLV3011和TLV3012相关产品
产品
TLV349x
TLV370x
TLV340x
特点
1.2μA , 1.8V至5.5V推挽比较
560nA , 2.5V至16V推挽输出的CMOS比较器
550nA , 2.5V至16V漏极开路比较
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3011
TLV3012
6
5
4
V+
REF
IN-
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 2004年,德州仪器
www.ti.com
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ .................................... + 7V
信号输入端子,电压
(2)
........................... -0.5V至(V + ) + 0.5V
当前
(2)
..................................................
±10mA
输出短路
(3)
..................................................连续............
工作温度................................................ .. -55 ° C至+ 150°C
存储温度................................................ ..... -55 ° C至+ 150°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
ESD额定值(人体模型) ........................................... 2000V .......
注: ( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只,
该器件在这些或任何其他与功能操作
超出规定的条件是不是暗示。
(2)输入端子的二极管钳位到电源轨。在
把能比0.5V摆动更超出电源信号
轨道应该是电流限制在10mA或更小。
( 3 )短路接地。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
封装/订购信息
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录位于本月底
数据表。
销刀豆网络gurations
顶视图
TLV3011AIDBV
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3012AIDBV
6
5
4
V+
REF
IN-
SOT23-6
TLV3011AIDCK
ALR
AJX
SC70-6
1
2
3
6
5
4
SOT23-6
TLV3012AIDCK
ALS
ALT
OUT
V
IN +
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
SC70-6
注:1脚是由定向的封装标识如图所示确定。
2
TLV3011 , TLV3012
www.ti.com
SBOS300B
电气特性: V
S
= + 1.8V至+ 5.5V
粗体
限额适用于特定的温度范围内,
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C.
在T
A
= + 25 ° C,V
OUT
= V
S
中,除非另有说明;为TLV3011 ,R
引体向上
= 10kΩ的连接到V
S
.
TLV3011 , TLV3012
参数
失调电压
输入失调电压
与温度
VS电源
输入偏置电流
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模电压范围
共模抑制比
V
OS
dV
OS
/ DT
PSRR
条件
V
CM
= 0V时,我
O
= 0V
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C
V
S
= 1.8V至5.5V
V
CM
= V
S
/2
V
CM
= V
S
/2
(V–) – 0.2V
60
54
典型值
0.5
最大
12
1000
±10
±10
(V+) + 0.2V
74
62
10
13
2
10
13
4
t
( PLH )
t
( PHL )
t
R
t
F
V
OL
C
L
= 10pF的
C
L
= 10pF的
V
S
= 5V
I
OUT
= -5mA
I
OUT
= 5毫安
V
IN
= 5V
V
OUT
dV
OUT
/ DT
dV
OUT
/ DI
负载
I
负载
dV
OUT
/ DV
IN
–40°C
T
A
125°C
0毫安& LT ;我
来源
0.5mA
0毫安& LT ;我
SINK
0.5mA
1.8V
V
IN
5.5V
F = 0.1Hz至10Hz的
1.230
1.242
40
0.36
6.6
0.5
10
1.254
±1
100
1
V
%
PPM /°C的
毫伏/毫安
毫伏/毫安
mA
V/V
mV
PP
5.5
5.5
5
V
V
A
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
F = 10kHz时,V
= 1V
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
12
6
13.5
6.5
见注1
100
100
单位
mV
V/
°
C
V/V
pA
pA
±
12
100
±1
±1
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
V
CM
= -0.2V至(V + ) - 1.5V
V
CM
= -0.2V至(V +) + 0.2V
V
dB
dB
pF
pF
s
s
s
s
ns
ns
输入阻抗
共模
迪FF erential
开关特性
传播延迟时间,从低到高
传播延迟时间,高到低
上升时间, TLV3011
上升时间, TLV3012
下降时间
产量
输出电压从低轨道
电压输出,高轨, TLV3012
短路电流, TLV3012
参考电压
初始精度
温度漂移
负载调整率
采购
下沉
输出电流
线路调整
噪音
参考电压噪声
电源
额定电压
工作电压范围
静态电流
温度范围
指定范围
工作范围
存储范围
热阻,
θ
JA
SOT23-6
SC70-6
注: ( 1 )T
R
依赖R上
引体向上
和C
负载
.
160
90
见典型特征
200
200
mV
mV
100
0.2
V
S
I
Q
V
S
= 5V, V
O
=高
1.8
1.8
2.8
–40
–55
–55
200
250
+125
+150
+150
TLV3011 , TLV3012
SBOS300B
www.ti.com
3
典型特征
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
静态电流与温度
3.8
3.6
静态电流( μA )
静态电流( μA )
静态电流
与输出开关频率
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
S
= 1.8V
TLV3011
R
引体向上
= 1M
V
S
= 3V
V
S
= 5V
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
1
10
100
1k
10k
输出跳变频率(Hz )
静态电流
与输出开关频率
14
TLV3012
12
V
S
= 5V
输入偏置电流与温度
45
40
静态电流( μA )
10
V
S
= 3V
8
6
4
2
0
1
10
100
1k
10k
100k
输出跳变频率(Hz )
V
S
= 1.8V
输入偏置电流( PA)
35
30
25
20
15
10
5
0
–5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
输出低电平VS输出电流
0.25
0.25
高输出与输出电流
TLV3012
V
DD
= 3V
0.20
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
V
S
– V
OH
(V)
0.20
V
DD
= 1.8V
0.15
V
OL
(V)
0.15
V
S
= 5V
0.10
0.10
V
DD
= 5V
0.05
0.05
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
4
TLV3011 , TLV3012
www.ti.com
SBOS300B
典型特征
(续)
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
80
70
60
t
PLH
(s)
传播延迟(T
PLH
)对容性负载
TLV3012
80
70
60
50
传播延迟(T
PHL
)对容性负载
V
S
= 5V
40
V
S
= 3V
30
20
10
0
0.01
V
S
= 1.8V
t
PHL
(s)
50
V
S
= 3V
40
30
20
10
0
0.01
V
S
= 5V
V
S
= 1.8V
0.1
1
10
100
1k
0.1
1
10
100
1k
容性负载( NF)
容性负载( NF)
20
18
16
14
t
PLH
(s)
12
10
8
6
4
0
传播延迟(T
PLH
) VS输入OVERDRIVE
20
18
16
传播延迟(T
PHL
) VS输入OVERDRIVE
V
S
= 5V
t
PHL
(s)
14
12
V
S
= 1.8V
10
8
6
4
V
S
= 5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
S
= 3V
V
S
= 3V
V
S
= 1.8V
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
输入过驱(MV )
输入过驱(MV )
8.0
7.5
7.0
传播延迟(T
PLH
)与温度
8.0
7.5
V
S
= 1.8V
传播延迟(T
PHL
)与温度
7.0
6.5
t
PHL
(s)
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
6.5
t
PLH
(s)
V
S
= 3V
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
V
S
= 5V
6.0
5.5
V
S
= 5V
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
TLV3011 , TLV3012
SBOS300B
www.ti.com
5
TLV3011
TLV3012
SBOS300B - 2004年2月 - 修订2004年6月
纳安级功耗, 1.8V , SOT23
比较器参考电压
特点
q
低静态电流: 5
A(最大值)
q
集成基准电压源: 1.242V
q
输入共模范围:
200mV的超越导轨
q
参考电压初始准确度: 1 %
q
开漏逻辑兼容输出:
TLV3011
q
推挽输出: TLV3012
q
低电源电压: 1.8V至5.5V
q
响应时间快: 6
s传输延迟
具有100mV的过载( TLV3011 ,R
引体向上
= 10k)
q
MicroSIZE封装: SOT23-6和SC70-6
描述
该TLV3011是一款低功耗,漏极开路输出比较器;
的TLV3012是一个推挽输出比较器。这两种功能
未提交的片上电压参考。两者都有5μA
(最大值)的静态电流,输入共模范围为200mV
超越电源轨,并从单电源工作
1.8V至5.5V 。集成1.242V系列电压基准
提供100ppm的低/° C(最大值)漂移,稳定与达至10nF
容性负载,并能提供高达输出0.5毫安(典型值)
电流。
该TLV3011和TLV3012是在微小的SOT23-6可用
封装为空间的保守设计。它也可用于
在SC70封装的更大的电路板面积节省。两
版本为-40°C的温度范围
+125°C.
应用
q
q
q
q
q
电池供电的电平检测
数据采集
系统监控
振荡器
传感器系统:
烟雾探测器,光传感器,报警
TLV3011和TLV3012相关产品
产品
TLV349x
TLV370x
TLV340x
特点
1.2μA , 1.8V至5.5V推挽比较
560nA , 2.5V至16V推挽输出的CMOS比较器
550nA , 2.5V至16V漏极开路比较
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3011
TLV3012
6
5
4
V+
REF
IN-
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 2004年,德州仪器
www.ti.com
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ .................................... + 7V
信号输入端子,电压
(2)
........................... -0.5V至(V + ) + 0.5V
当前
(2)
..................................................
±10mA
输出短路
(3)
..................................................连续............
工作温度................................................ .. -55 ° C至+ 150°C
存储温度................................................ ..... -55 ° C至+ 150°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
ESD额定值(人体模型) ........................................... 2000V .......
注: ( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只,
该器件在这些或任何其他与功能操作
超出规定的条件是不是暗示。
(2)输入端子的二极管钳位到电源轨。在
把能比0.5V摆动更超出电源信号
轨道应该是电流限制在10mA或更小。
( 3 )短路接地。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
封装/订购信息
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录位于本月底
数据表。
销刀豆网络gurations
顶视图
TLV3011AIDBV
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3012AIDBV
6
5
4
V+
REF
IN-
SOT23-6
TLV3011AIDCK
ALR
AJX
SC70-6
1
2
3
6
5
4
SOT23-6
TLV3012AIDCK
ALS
ALT
OUT
V
IN +
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
SC70-6
注:1脚是由定向的封装标识如图所示确定。
2
TLV3011 , TLV3012
www.ti.com
SBOS300B
电气特性: V
S
= + 1.8V至+ 5.5V
粗体
限额适用于特定的温度范围内,
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C.
在T
A
= + 25 ° C,V
OUT
= V
S
中,除非另有说明;为TLV3011 ,R
引体向上
= 10kΩ的连接到V
S
.
TLV3011 , TLV3012
参数
失调电压
输入失调电压
与温度
VS电源
输入偏置电流
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模电压范围
共模抑制比
V
OS
dV
OS
/ DT
PSRR
条件
V
CM
= 0V时,我
O
= 0V
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C
V
S
= 1.8V至5.5V
V
CM
= V
S
/2
V
CM
= V
S
/2
(V–) – 0.2V
60
54
典型值
0.5
最大
12
1000
±10
±10
(V+) + 0.2V
74
62
10
13
2
10
13
4
t
( PLH )
t
( PHL )
t
R
t
F
V
OL
C
L
= 10pF的
C
L
= 10pF的
V
S
= 5V
I
OUT
= -5mA
I
OUT
= 5毫安
V
IN
= 5V
V
OUT
dV
OUT
/ DT
dV
OUT
/ DI
负载
I
负载
dV
OUT
/ DV
IN
–40°C
T
A
125°C
0毫安& LT ;我
来源
0.5mA
0毫安& LT ;我
SINK
0.5mA
1.8V
V
IN
5.5V
F = 0.1Hz至10Hz的
1.230
1.242
40
0.36
6.6
0.5
10
1.254
±1
100
1
V
%
PPM /°C的
毫伏/毫安
毫伏/毫安
mA
V/V
mV
PP
5.5
5.5
5
V
V
A
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
F = 10kHz时,V
= 1V
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
12
6
13.5
6.5
见注1
100
100
单位
mV
V/
°
C
V/V
pA
pA
±
12
100
±1
±1
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
V
CM
= -0.2V至(V + ) - 1.5V
V
CM
= -0.2V至(V +) + 0.2V
V
dB
dB
pF
pF
s
s
s
s
ns
ns
输入阻抗
共模
迪FF erential
开关特性
传播延迟时间,从低到高
传播延迟时间,高到低
上升时间, TLV3011
上升时间, TLV3012
下降时间
产量
输出电压从低轨道
电压输出,高轨, TLV3012
短路电流, TLV3012
参考电压
初始精度
温度漂移
负载调整率
采购
下沉
输出电流
线路调整
噪音
参考电压噪声
电源
额定电压
工作电压范围
静态电流
温度范围
指定范围
工作范围
存储范围
热阻,
θ
JA
SOT23-6
SC70-6
注: ( 1 )T
R
依赖R上
引体向上
和C
负载
.
160
90
见典型特征
200
200
mV
mV
100
0.2
V
S
I
Q
V
S
= 5V, V
O
=高
1.8
1.8
2.8
–40
–55
–55
200
250
+125
+150
+150
TLV3011 , TLV3012
SBOS300B
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3
典型特征
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
静态电流与温度
3.8
3.6
静态电流( μA )
静态电流( μA )
静态电流
与输出开关频率
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
S
= 1.8V
TLV3011
R
引体向上
= 1M
V
S
= 3V
V
S
= 5V
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
1
10
100
1k
10k
输出跳变频率(Hz )
静态电流
与输出开关频率
14
TLV3012
12
V
S
= 5V
输入偏置电流与温度
45
40
静态电流( μA )
10
V
S
= 3V
8
6
4
2
0
1
10
100
1k
10k
100k
输出跳变频率(Hz )
V
S
= 1.8V
输入偏置电流( PA)
35
30
25
20
15
10
5
0
–5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
输出低电平VS输出电流
0.25
0.25
高输出与输出电流
TLV3012
V
DD
= 3V
0.20
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
V
S
– V
OH
(V)
0.20
V
DD
= 1.8V
0.15
V
OL
(V)
0.15
V
S
= 5V
0.10
0.10
V
DD
= 5V
0.05
0.05
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
4
TLV3011 , TLV3012
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SBOS300B
典型特征
(续)
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
80
70
60
t
PLH
(s)
传播延迟(T
PLH
)对容性负载
TLV3012
80
70
60
50
传播延迟(T
PHL
)对容性负载
V
S
= 5V
40
V
S
= 3V
30
20
10
0
0.01
V
S
= 1.8V
t
PHL
(s)
50
V
S
= 3V
40
30
20
10
0
0.01
V
S
= 5V
V
S
= 1.8V
0.1
1
10
100
1k
0.1
1
10
100
1k
容性负载( NF)
容性负载( NF)
20
18
16
14
t
PLH
(s)
12
10
8
6
4
0
传播延迟(T
PLH
) VS输入OVERDRIVE
20
18
16
传播延迟(T
PHL
) VS输入OVERDRIVE
V
S
= 5V
t
PHL
(s)
14
12
V
S
= 1.8V
10
8
6
4
V
S
= 5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
S
= 3V
V
S
= 3V
V
S
= 1.8V
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
输入过驱(MV )
输入过驱(MV )
8.0
7.5
7.0
传播延迟(T
PLH
)与温度
8.0
7.5
V
S
= 1.8V
传播延迟(T
PHL
)与温度
7.0
6.5
t
PHL
(s)
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
6.5
t
PLH
(s)
V
S
= 3V
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
V
S
= 5V
6.0
5.5
V
S
= 5V
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
TLV3011 , TLV3012
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5
TLV3011
TLV3012
SBOS300B - 2004年2月 - 修订2004年6月
纳安级功耗, 1.8V , SOT23
比较器参考电压
特点
q
低静态电流: 5
A(最大值)
q
集成基准电压源: 1.242V
q
输入共模范围:
200mV的超越导轨
q
参考电压初始准确度: 1 %
q
开漏逻辑兼容输出:
TLV3011
q
推挽输出: TLV3012
q
低电源电压: 1.8V至5.5V
q
响应时间快: 6
s传输延迟
具有100mV的过载( TLV3011 ,R
引体向上
= 10k)
q
MicroSIZE封装: SOT23-6和SC70-6
描述
该TLV3011是一款低功耗,漏极开路输出比较器;
的TLV3012是一个推挽输出比较器。这两种功能
未提交的片上电压参考。两者都有5μA
(最大值)的静态电流,输入共模范围为200mV
超越电源轨,并从单电源工作
1.8V至5.5V 。集成1.242V系列电压基准
提供100ppm的低/° C(最大值)漂移,稳定与达至10nF
容性负载,并能提供高达输出0.5毫安(典型值)
电流。
该TLV3011和TLV3012是在微小的SOT23-6可用
封装为空间的保守设计。它也可用于
在SC70封装的更大的电路板面积节省。两
版本为-40°C的温度范围
+125°C.
应用
q
q
q
q
q
电池供电的电平检测
数据采集
系统监控
振荡器
传感器系统:
烟雾探测器,光传感器,报警
TLV3011和TLV3012相关产品
产品
TLV349x
TLV370x
TLV340x
特点
1.2μA , 1.8V至5.5V推挽比较
560nA , 2.5V至16V推挽输出的CMOS比较器
550nA , 2.5V至16V漏极开路比较
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3011
TLV3012
6
5
4
V+
REF
IN-
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 2004年,德州仪器
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绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ .................................... + 7V
信号输入端子,电压
(2)
........................... -0.5V至(V + ) + 0.5V
当前
(2)
..................................................
±10mA
输出短路
(3)
..................................................连续............
工作温度................................................ .. -55 ° C至+ 150°C
存储温度................................................ ..... -55 ° C至+ 150°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
ESD额定值(人体模型) ........................................... 2000V .......
注: ( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只,
该器件在这些或任何其他与功能操作
超出规定的条件是不是暗示。
(2)输入端子的二极管钳位到电源轨。在
把能比0.5V摆动更超出电源信号
轨道应该是电流限制在10mA或更小。
( 3 )短路接地。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
封装/订购信息
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录位于本月底
数据表。
销刀豆网络gurations
顶视图
TLV3011AIDBV
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3012AIDBV
6
5
4
V+
REF
IN-
SOT23-6
TLV3011AIDCK
ALR
AJX
SC70-6
1
2
3
6
5
4
SOT23-6
TLV3012AIDCK
ALS
ALT
OUT
V
IN +
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
SC70-6
注:1脚是由定向的封装标识如图所示确定。
2
TLV3011 , TLV3012
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SBOS300B
电气特性: V
S
= + 1.8V至+ 5.5V
粗体
限额适用于特定的温度范围内,
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C.
在T
A
= + 25 ° C,V
OUT
= V
S
中,除非另有说明;为TLV3011 ,R
引体向上
= 10kΩ的连接到V
S
.
TLV3011 , TLV3012
参数
失调电压
输入失调电压
与温度
VS电源
输入偏置电流
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模电压范围
共模抑制比
V
OS
dV
OS
/ DT
PSRR
条件
V
CM
= 0V时,我
O
= 0V
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C
V
S
= 1.8V至5.5V
V
CM
= V
S
/2
V
CM
= V
S
/2
(V–) – 0.2V
60
54
典型值
0.5
最大
12
1000
±10
±10
(V+) + 0.2V
74
62
10
13
2
10
13
4
t
( PLH )
t
( PHL )
t
R
t
F
V
OL
C
L
= 10pF的
C
L
= 10pF的
V
S
= 5V
I
OUT
= -5mA
I
OUT
= 5毫安
V
IN
= 5V
V
OUT
dV
OUT
/ DT
dV
OUT
/ DI
负载
I
负载
dV
OUT
/ DV
IN
–40°C
T
A
125°C
0毫安& LT ;我
来源
0.5mA
0毫安& LT ;我
SINK
0.5mA
1.8V
V
IN
5.5V
F = 0.1Hz至10Hz的
1.230
1.242
40
0.36
6.6
0.5
10
1.254
±1
100
1
V
%
PPM /°C的
毫伏/毫安
毫伏/毫安
mA
V/V
mV
PP
5.5
5.5
5
V
V
A
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
F = 10kHz时,V
= 1V
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
12
6
13.5
6.5
见注1
100
100
单位
mV
V/
°
C
V/V
pA
pA
±
12
100
±1
±1
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
V
CM
= -0.2V至(V + ) - 1.5V
V
CM
= -0.2V至(V +) + 0.2V
V
dB
dB
pF
pF
s
s
s
s
ns
ns
输入阻抗
共模
迪FF erential
开关特性
传播延迟时间,从低到高
传播延迟时间,高到低
上升时间, TLV3011
上升时间, TLV3012
下降时间
产量
输出电压从低轨道
电压输出,高轨, TLV3012
短路电流, TLV3012
参考电压
初始精度
温度漂移
负载调整率
采购
下沉
输出电流
线路调整
噪音
参考电压噪声
电源
额定电压
工作电压范围
静态电流
温度范围
指定范围
工作范围
存储范围
热阻,
θ
JA
SOT23-6
SC70-6
注: ( 1 )T
R
依赖R上
引体向上
和C
负载
.
160
90
见典型特征
200
200
mV
mV
100
0.2
V
S
I
Q
V
S
= 5V, V
O
=高
1.8
1.8
2.8
–40
–55
–55
200
250
+125
+150
+150
TLV3011 , TLV3012
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3
典型特征
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
静态电流与温度
3.8
3.6
静态电流( μA )
静态电流( μA )
静态电流
与输出开关频率
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
S
= 1.8V
TLV3011
R
引体向上
= 1M
V
S
= 3V
V
S
= 5V
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
1
10
100
1k
10k
输出跳变频率(Hz )
静态电流
与输出开关频率
14
TLV3012
12
V
S
= 5V
输入偏置电流与温度
45
40
静态电流( μA )
10
V
S
= 3V
8
6
4
2
0
1
10
100
1k
10k
100k
输出跳变频率(Hz )
V
S
= 1.8V
输入偏置电流( PA)
35
30
25
20
15
10
5
0
–5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
输出低电平VS输出电流
0.25
0.25
高输出与输出电流
TLV3012
V
DD
= 3V
0.20
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
V
S
– V
OH
(V)
0.20
V
DD
= 1.8V
0.15
V
OL
(V)
0.15
V
S
= 5V
0.10
0.10
V
DD
= 5V
0.05
0.05
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
4
TLV3011 , TLV3012
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典型特征
(续)
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
80
70
60
t
PLH
(s)
传播延迟(T
PLH
)对容性负载
TLV3012
80
70
60
50
传播延迟(T
PHL
)对容性负载
V
S
= 5V
40
V
S
= 3V
30
20
10
0
0.01
V
S
= 1.8V
t
PHL
(s)
50
V
S
= 3V
40
30
20
10
0
0.01
V
S
= 5V
V
S
= 1.8V
0.1
1
10
100
1k
0.1
1
10
100
1k
容性负载( NF)
容性负载( NF)
20
18
16
14
t
PLH
(s)
12
10
8
6
4
0
传播延迟(T
PLH
) VS输入OVERDRIVE
20
18
16
传播延迟(T
PHL
) VS输入OVERDRIVE
V
S
= 5V
t
PHL
(s)
14
12
V
S
= 1.8V
10
8
6
4
V
S
= 5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
S
= 3V
V
S
= 3V
V
S
= 1.8V
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
输入过驱(MV )
输入过驱(MV )
8.0
7.5
7.0
传播延迟(T
PLH
)与温度
8.0
7.5
V
S
= 1.8V
传播延迟(T
PHL
)与温度
7.0
6.5
t
PHL
(s)
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
6.5
t
PLH
(s)
V
S
= 3V
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
V
S
= 5V
6.0
5.5
V
S
= 5V
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TLV3011AIDCKR
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
TLV3011AIDCKR
TI
21+
3185
SC70-6
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地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
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TI
24+
68500
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