INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
TIP42/42A/42B/42C
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入TIP41 / 41A / 41B / 41C
应用
For
中功率线性开关
应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
参数
条件
TIP42
TIP42A
TIP42B
集电极 - 基极电压
发射极开路
TIP42C
TIP42
TIP42A
TIP42B
TIP42C
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流脉冲
基极电流
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
单位
V
V
首席执行官
V
-80
-100
-5
-6
-10
-2
65
W
2
150
-65~150
℃
℃
V
A
A
A
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
结温
储存温度
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
TIP42/42A/42B/42C
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
TIP42/42A/42B/42C
中功率线性开关应用
- 补到TIP41 / 41A / 41B / 41C
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
： TIP42
： TIP42A
： TIP42B
： TIP42C
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
等级
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-6
-10
-2
2
65
150
-65~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
PNP外延
硅达林顿
晶体管
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极 - 发射极电压： TIP42
： TIP42A
： TIP42B
： TIP42C
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
集电极耗散（ TC = 25 ℃ ）
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
12
3
电气特性
特征
集电极 - 发射极电压维持
： TIP42
： TIP42A
： TIP42B
： TIP42C
集电极截止电流
： TIP42 / 42A
： TIP42B / 42C
集电极截止电流
： TIP42
： TIP42A
： TIP42B
： TIP42C
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压上
输出电容
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
C
= -30mA ，我
B
=0
-40
-60
-80
-100
-0.7
-0.7
-400
-400
-400
-400
-1
30
15
75
-1.5
-2.0
3.0
V
V
V
V
V
V
测试条件
民
最大
单位
I
首席执行官
I
CES
V
CE
=-30V,I
B
=0
V
CE
=-60V,I
B
=0
V
CE
=-40V,V
EB
=0
V
CE
=-60V,V
EB
=0
V
CE
=-80V,V
EB
=0
V
CE
=-100V,V
EB
=0
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-4V,I
C
=-0.3A
V
CE
=-4V,I
C
=-3A
I
C
=-6A,I
B
=-600mA
V
CE
=-4V,I
C
=-6A
V
CE
=-10V,I
C
=-500mA
f=1
*脉冲测试： PW≤300us ，职务Cycle≤2 ％
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
典型特征
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
包装尺寸为
TO- 220 （ A）
9.90
±0.20
0
.6
φ3
±0
.2
0
4.50
±0.20
1.30
±0.20
15.70
±0.20
2.80
±0.20
9.19
±0.20
6.50
±0.20
13.08
±0.20
0.80
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.50
±0.20
3.02
±0.20
1.27
±0.20
1.52
±0.20
2.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP 42系列（ TIP42 / 42A // 42B / 42C ）
包装尺寸为
的TO-220 （B）中
±0.20
φ
4
.8
3
±0
0
.2
4.57
±0.20
1.27
±0.20
15.44
±0.20
2.74
±0.20
9.14
±0.20
6.30
±0.20
2.67
±0.20
13.28
±0.20
1.27
±0.20
2.67
±0.20
0.81
±0.20
2.54typ
2.54typ
0.40
±0.20
单位：毫米
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1970年12月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP41系列
65瓦，在25 ° C的温度
6的连续集电极电流
10 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP42
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP42A
TIP42B
TIP42C
TIP42
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP42A
TIP42B
TIP42C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-40
-60
-80
-100
-5
-6
-10
-3
65
2
62.5
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度保持在0.52的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP42
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -100 V
V
CE
= -120 V
V
CE
= -140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-0.6 A
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -0.3 A
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-3 A
-6 A
-6 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
30
15
75
-1.5
-2
V
V
I
B
= 0
TIP42A
TIP42B
TIP42C
TIP42
TIP42A
TIP42B
TIP42C
TIP42/42A
TIP42B/42C
民
-40
-60
-80
-100
-0.4
-0.4
-0.4
-0.4
-0.7
-0.7
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.92
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -6 A
V
BE （OFF）的
= 4 V
I
B（上）
= -0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= 0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.4
0.7
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
1000
TCS634AD
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
-10
TCS634AE
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -6 A
-1·0
h
FE
- 直流电流增益
100
10
-0·1
1·0
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-0·01
-0·001
-0·01
-0·1
I
B
- 基极电流 - 一个
-1·0
-10
I
C
- 集电极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·2
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·1
TCS634AF
-1·0
-0·9
-0·8
-0·7
-0·6
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS634AB
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
TIP42
TIP42A
TIP42B
TIP42C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
25
C
TIS633AB
50
100
125
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
PNP硅功率晶体管
1970年12月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
TO- 220塑料包装
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
博卡半导体公司
提示41 ， 41A，41B， 41C
提示42 ， 42A，42B ，42C
通用放大器和开关应用
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
（ BSC）的
塑料NPN功率晶体管
PNP塑料功率晶体管
4
1
2
3
B
H
F
C
E
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
分钟。
14.42
9.63
3.56
马克斯。
N
L
O
1 2
3
D
G
J
M
16.51
10.67
4.83
0.90
1.15
1.40
3.75
3.88
2.29
2.79
2.54
3.43
0.56
12.70 14.73
2.80
4.07
2.03
2.92
31.24
DEG 7
A
O
绝对最大额定值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
结温
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6 A;我
B
= 0.6 A
直流电流增益
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
T
j
V
CESAT
h
FE
41
42
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
41
42
马克斯。 40
马克斯。 40
马克斯。
马克斯。
41A 41B
42A 42B
60
80
60
80
6.0
65
150
1.5
15
75
41A 41B
42A 42B
60
80
60
80
5.0
6.0
41C
42C
100
100
41C
42C
100
100
V
V
A
W
°C
V
评级
（在T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
极限值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
所有迪民所起到的毫米。
K
V
V
V
A
http://www.bocasemi.com
页： 1
TIP41 ， TIP41A ， TIP41B ， TIP41C
TIP42 ， TIP42A ， TIP42B ， TIP42C
集电极电流（峰值）
基极电流
总功率耗散高达至T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散高达至T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
储存温度
热阻
从结点到环境
从结点到外壳
特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
收藏家Cuto FF电流
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 60 V
V
BE
= 0; V
CE
= V
首席执行官
发射极截止电流
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
击穿电压
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
饱和电压
I
C
= 6 A;我
B
= 0.6 A
基射极电压上
I
C
= 6 A; V
CE
= 4 V
直流电流增益
I
C
= 0.3 A; V
CE
= 4 V
I
C
= 3 A; V
CE
= 4 V
小信号电流增益
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 10 V ; F = 1千赫
跃迁频率
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
j
T
英镑
R
日J-一
R
第j个-C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
10
2.0
65
0.52
2.0
0.016
150
-65到+150
62.5
1.92
A
A
W
W
/°C
W
W
/°C
°C
C
° C / W
° C / W
41
42
I
首席执行官
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
最大。 0.7
最大。 -
马克斯。
马克斯。
41A 41B 41C
42A 42B 42C
0.7
–
–
0.7
0.4
1.0
60
60
5.0
1.5
2.0
30
15
75
20
3
兆赫
80
80
100
100
–
0.7
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
CEO （ SUS ）
*分钟。 40
V
CBO
分钟。 40
V
EBO
分钟。
V
CESAT
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
h
FE *
|h
fe
|
f
T
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
马克斯。
分钟。
分钟。 （1）
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2%.
(1) f
T
= |h
fe
| f
TEST
http://www.bocasemi.com
第2页
TIP42 SERIRES
(TIP42/42A/42B/42C)
中等功率的线性
切换应用程序
为了配合TIP41 / 41A / 41B / 41C
TO-220
PNP
外延硅晶体管
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
集电极 - EmitterVoltage ： TIP41
： TIP41A
： TIP41B
： TIP41C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
集电极耗散（ TC = 25
°C
)
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
符号
V
CBO
等级
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-6
-10
-2
65
150
-50~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
I
B
P
C
T
j
TSTG
°C
°C
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 1.5伏（最大） @ IC = 6.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP41A ， TIP42A
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - TIP41B ， TIP42B
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - TIP41C ， TIP42C
高电流增益 - 带宽积
FT = 3.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
（ 1 ） IC = 2.5 A，L = 20毫亨， P.R.F. = 10赫兹， VCC = 10 V ， RBE = 100
.
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
*最大额定值
REV 1
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
工作和存储结
温度范围
非钳位感性负载能源（ 1 ）
总功耗
@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
E
符号
R
θJC
R
θJA
TIP41A
TIP42A
60
60
- 65至+ 150
TIP41B
TIP42B
2.0
0.016
62.5
65
0.52
2.0
5.0
80
80
6
10
1.92
62.5
最大
TIP41C
TIP42C
100
100
_
C / W
_
C / W
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
mJ
_
C
6安培
功率晶体管
补充
硅
60 - 80 - 100伏
65 WATTS
*摩托罗拉的首选设备
TIP41A
TIP41B*
TIP41C*
PNP
TIP42A
TIP42B*
TIP42C*
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过TIP41A / D
NPN
1
TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
直流电流增益（ IC = 0.3 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
小信号电流增益（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压上（ IC = 6.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 6.0 ADC ， IB = 600 MADC ）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
2
+11 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
25
s
PD ，功耗（瓦）
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
1.0
2.0
3.0
TA
4.0
0
RB
特征
TC
80
20
40
60
0
0
20
VCC
+ 30 V
RC
40
图1.功率降额
范围
T， TIME （
s)
0
– 9.0 V
图2.开关时间测试电路
–4 V
D1
60
100
80
T，温度（ ° C）
TA
TC
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP41C
TIP42B ， TIP42C
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.06
0.3
0.2
0.7
0.5
2.0
1.0
120
0.1
140
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
0.4 0.6
1.0
0.2
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
ICEO
IEBO
冰
的hFE
fT
的hFE
160
tr
民
60
80
100
3.0
20
30
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TD @ VBE （关闭）
≈
5.0 V
最大
400
400
400
2.0
1.5
1.0
0.7
0.7
0.7
—
75
—
—
—
—
—
图3.开启时间
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
MADC
MADC
μAdc
4.0
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
6.0
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
0.5毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
1.0毫秒
TJ = 150℃
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
（单脉冲）
曲线适用于低于额定VCEO
5.0毫秒
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
40
10
20
60
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
80 100
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. T J （ pk）的可从数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.06
tf
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
300
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
兴业银行
100
70
50
COB
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
VR ，反向电压（伏）
30
50
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
VCE = 2.0 V
TJ = 150℃
25°C
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2
IC = 1.0
2.5 A
5.0 A
0.8
– 55°C
0.4
0
10
20
30
50
100
200 300
IB ，基极电流（毫安）
500
1000
0.1
0.2 0.3 0.4 0.6
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
2.0
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
TJ = 25°C
1.6
V，电压（V ）
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.06
0.1
0.2 0.3
0.5
θ
VB的VBE
- 55 °C至+ 25°C
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
*
θ
VC的VCE （SAT）
+ 25 ° C至+ 150°C
- 55 °C至+ 25°C
+ 25 ° C至+ 150°C
*适用于IC / IB
≤
hFE/4
1.2
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 4.0 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.06
0.1
0.2 0.3 0.4
0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
0.8
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
103
IC ，集电极电流（
A)
102
101
100
10–1
10–2
反向
IC = ICES
前锋
VCE = 30 V
TJ = 150℃
100°C
25°C
10 M
VCE = 30 V
1.0 M
IC
≈
冰
IC = 10× ICES
100 k
10 k
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
20
40
60
80
100
120
140
160
1.0 k
10–3
– 0.3 – 0.2 – 0.1
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
+ 0.7
0.1 k
VBE ，基极发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 1.5伏（最大） @ IC = 6.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - TIP41A ， TIP42A
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - TIP41B ， TIP42B
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - TIP41C ， TIP42C
高电流增益 - 带宽积
FT = 3.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
（ 1 ） IC = 2.5 A，L = 20毫亨， P.R.F. = 10赫兹， VCC = 10 V ， RBE = 100
.
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
*最大额定值
REV 1
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
工作和存储结
温度范围
非钳位感性负载能源（ 1 ）
总功耗
@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
E
符号
R
θJC
R
θJA
TIP41A
TIP42A
60
60
- 65至+ 150
TIP41B
TIP42B
2.0
0.016
62.5
65
0.52
2.0
5.0
80
80
6
10
1.92
62.5
最大
TIP41C
TIP42C
100
100
_
C / W
_
C / W
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
mJ
_
C
6安培
功率晶体管
补充
硅
60 - 80 - 100伏
65 WATTS
*摩托罗拉的首选设备
TIP41A
TIP41B*
TIP41C*
PNP
TIP42A
TIP42B*
TIP42C*
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过TIP41A / D
NPN
1
TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
直流电流增益（ IC = 0.3 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
小信号电流增益（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压上（ IC = 6.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 6.0 ADC ， IB = 600 MADC ）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VEB = 0 ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
2
+11 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
25
s
PD ，功耗（瓦）
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
1.0
2.0
3.0
TA
4.0
0
RB
特征
TC
80
20
40
60
0
0
20
VCC
+ 30 V
RC
40
图1.功率降额
范围
T， TIME （
s)
0
– 9.0 V
图2.开关时间测试电路
–4 V
D1
60
100
80
T，温度（ ° C）
TA
TC
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP41C
TIP42B ， TIP42C
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.06
0.3
0.2
0.7
0.5
2.0
1.0
120
0.1
140
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
0.4 0.6
1.0
0.2
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
ICEO
IEBO
冰
的hFE
fT
的hFE
160
tr
民
60
80
100
3.0
20
30
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TD @ VBE （关闭）
≈
5.0 V
最大
400
400
400
2.0
1.5
1.0
0.7
0.7
0.7
—
75
—
—
—
—
—
图3.开启时间
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
MADC
MADC
μAdc
4.0
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
6.0
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
0.5毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
1.0毫秒
TJ = 150℃
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
（单脉冲）
曲线适用于低于额定VCEO
5.0毫秒
TIP41A ， TIP42A
TIP41B ， TIP42B
TIP41C ， TIP42C
40
10
20
60
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
80 100
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. T J （ pk）的可从数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.06
tf
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
300
TJ = 25°C
200
C，电容（pF ）
兴业银行
100
70
50
COB
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
VR ，反向电压（伏）
30
50
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
VCE = 2.0 V
TJ = 150℃
25°C
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2
IC = 1.0
2.5 A
5.0 A
0.8
– 55°C
0.4
0
10
20
30
50
100
200 300
IB ，基极电流（毫安）
500
1000
0.1
0.2 0.3 0.4 0.6
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
2.0
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
TJ = 25°C
1.6
V，电压（V ）
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.06
0.1
0.2 0.3
0.5
θ
VB的VBE
- 55 °C至+ 25°C
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
*
θ
VC的VCE （SAT）
+ 25 ° C至+ 150°C
- 55 °C至+ 25°C
+ 25 ° C至+ 150°C
*适用于IC / IB
≤
hFE/4
1.2
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 4.0 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.06
0.1
0.2 0.3 0.4
0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
0.8
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
103
IC ，集电极电流（
A)
102
101
100
10–1
10–2
反向
IC = ICES
前锋
VCE = 30 V
TJ = 150℃
100°C
25°C
10 M
VCE = 30 V
1.0 M
IC
≈
冰
IC = 10× ICES
100 k
10 k
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
20
40
60
80
100
120
140
160
1.0 k
10–3
– 0.3 – 0.2 – 0.1
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
+ 0.7
0.1 k
VBE ，基极发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TIP41A TIP41B TIP41C TIP42A TIP42B TIP42C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
TIP41A/41B/41C
TIP42A/42C
互补硅功率
晶体管
s
互补PNP - NPN器件
描述
该TIP41A ， TIP41B和TIP41C为硅
安装在外延基极的NPN功率晶体管
JEDEC TO- 220塑料封装。他们intented
在中等功率线性和开关应用
应用程序。
该TIP41A和TIP41C PNP互补
类型分别为TIP42A和TIP42C 。
TO-220
3
1
2
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
例
≤
25
o
C
T
AMB
≤
25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
TIP41A
TIP42A
60
60
价值
TIP41B
80
80
5
6
10
3
65
2
-65到150
150
单位
TIP41C
TIP42C
100
100
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
1999年10月
1/4
TIP41A/TIP41B/TIP41C/TIP42A/TIP42C
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
1.92
62.5
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
首席执行官
I
CES
参数
集电极截止
电流（I
B
= 0)
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
为
TIP41A/42A
为
TIP41B/41C/42C
为
TIP41A/42A
为
TIP41B
为
TIP41C/42C
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
为
TIP41A/42A
为
TIP41B
为
TIP41C/42C
I
C
= 6 A
I
C
= 6 A
I
C
= 0.3 A
I
C
= 3 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
I
B
= 0.6 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
30
15
20
3
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
V
CE
= 100 V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.7
0.7
0.4
0.4
0.4
1
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
*集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE （ SAT ）
*
V
BE（上）
*
h
FE
*
h
fe
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流增益
小信号电流
收益
60
80
100
1.5
2
75
V
V
V
V
V
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2 %
为PNP型的电压和电流值是负的。
2/4
TIP41A/TIP41B/TIP41C/TIP42A/TIP42C
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
P011C
3/4
TIP41A/TIP41B/TIP41C/TIP42A/TIP42C
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