TLV2630 , TLV2631
TLV2632 , TLV2633
TLV2634 , TLV2635
SLOS362A - 2001年6月 - 修订2005年1月
系列低功率宽带宽单电源
运算放大器,具有和不停车
特点
D
轨到轨输出
D
V
ICR
包括地面
D
增益带宽积
. . .
9兆赫
D
电源电流
. . .
730
μA /通道
D
单,对偶,和四版本
D
超低功耗关断模式
D
D
D
D
描述
该TLV263x单电源运算放大器
提供的输入范围,轨到轨输出
包括地上。该TLV263x取最小值
工作电源电压降至2.7 V在
扩展工业级温度范围(-40 ° C至
125°C ),同时加入了轨至轨输出摆幅特性。
该TLV263x还提供了一种9MHz的增益带宽
从730只产品
A
电源电流。该
建议的最大电源电压为5.5 V ,其中,
再加上一个2.7 -V最低时,允许器件
从锂离子电池进行操作。
宽带宽,低噪声,低相结合
失真使得它非常适合高速高
高分辨率数据转换器应用。地面
输入范围允许它直接连接到地面轨道
提到系统。
所有成员都在PDIP和SOIC与可用
单曲在小型SOT -23封装,在偶
MSOP ,并在TSSOP封装四边形。
2.7 V工作电压使得它与锂离子电池兼容
供电系统和工作电源电压
可用范围很多微功耗微控制器
今天,包括TI的MSP430 。
放大器选型表
设备
OPAx343
OPAx743
TLV278x
TLV263x
TLV262x
OPAx353
VDD
[V]
2.55.5
3.512
1.83.6
2.75.5
2.75.5
2.75.5
国际/ CH
[A]
850
1100
650
730
750
8000
VICR
[V]
-0.3 VDD + 0.3
-0.1 VDD + 0.1
-0.2 VDD + 0.2
GND到VDD - 1
1 V至VDD + 0.2
-0.1 VDD + 0.1
GBW
[兆赫]
5.5
7
8
9
11
44
压摆率
[V / μs的]
6
10
5
9.5
10
22
VN , 1千赫
[纳伏/ √Hz的]
25
30
9
50
27
7
IO
[马]
40
20
10
28
28
40
I
DD ( SHDN
) = 4
μA /通道
特定网络版温度范围
-40_C到125_C
. . .
工业级
电源电压范围
. . .
2.7 V至5.5 V
超小型封装
5或6引脚SOT -23 ( TLV2630 / 1 )
8或10引脚MSOP ( TLV2632 / 3 )
通用运算放大器EVM (见SLOU060
了解更多信息)
运算放大器连接器
+
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001-2005年,德州仪器
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1
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TLV2630 , TLV2631
TLV2632 , TLV2633
TLV2634 , TLV2635
封装/订购信息( 1 )
产品
包
包
CODE
符号
特定网络版
温度范围
订单号
传输介质
单带有关断
TLV2630ID
TLV2630IDBV
TLV2630IP
SOIC8
SOT236
DIP8
D
的dBV
P
—
VAYI
—
-40_C到125_C
TLV2630ID
TLV2630IDR
TLV2630IDBVR
TLV2630IDBVT
TLV2630IP
TLV2631ID
TLV2631IDR
-40_C到125_C
TLV2631IDBVR
TLV2631IDBVT
TLV2631IP
TLV2632ID
TLV2632IDR
-40_C到125_C
TLV2632IDGK
TLV2632IDGKR
TLV2632IP
TLV2633ID
TLV2633IDR
-40_C到125_C
TLV2633IDGS
TLV2633IDGSR
TLV2633IN
TLV2634ID
TLV2634IDR
-40 ° C至125°C
40 C 125°C
TLV2634IN
TLV2634IPW
TLV2634IPWR
TLV2635ID
TLV2635IDR
40 C 125°C
-40 ° C至125°C
TLV2635IN
TLV2635IPW
TLV2635IPWR
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
管
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
管
管
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
管
管
磁带和卷轴
管
管
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
管
管
磁带和卷轴
单不关闭
TLV2631ID
TLV2631IDBV
TLV2631IP
SOIC8
SOT235
DIP8
D
的dBV
P
—
VAZI
—
双不关机
TLV2632ID
TLV2632IDGK
TLV2632IP
SOIC8
MSOP8
DIP8
D
DGK
P
—
AKG
—
双带有关断
TLV2633ID
TLV2633IDGS
TLV2633IN
SOIC14
MSOP10
DIP14
D
DGS
N
—
AKK
—
四不关机
TLV2634ID
TLV2634IN
TLV2634IPW
SOIC14
DIP14
TSSOP14
D
N
PW
—
—
—
四,带有关断
TLV2635ID
TLV2635IN
TLV2635IPW
SOIC16
DIP16
TSSOP16
D
N
PW
—
—
—
的SOT23封装器件仅提供卷带封装。该
R
后缀表示的数量(每卷3000件) 。
该
T
后缀表示小批量(每小卷250件) 。
1.对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站: www.ti.com 。
2
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TLV2630 , TLV2631
TLV2632 , TLV2633
TLV2634 , TLV2635
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
差分输入电压,V
ID
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±V
DD
输入电压范围,V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND到V
DD
1 V
输入电流I
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
10毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
40毫安
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
: I-后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
最高结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注2 :所有的电压值,除了差分电压,是相对于GND 。
推荐工作条件
民
单电源
电源电压(VDD)
共模输入电压范围内, VICR
经营自由的空气温度, TA
关闭的开/关的电压电平
相对于GND 。
I-后缀
VIL
VIH
分离电源
2.7
±1.35
GND
40
最大
5.5
±2.75
VDD1
125
0.4
2
V
V
°C
V
单位
在指定的自由空气的温度,V电气特性
DD
= 2.7伏, 5伏(除非另有说明)
直流性能
参数
测试条件
TA
25°C
全系列
VIO
输入失调电压
VIC = VDD / 2 ,
VO = VDD / 2
25°C
TLV2634/5
全系列
25°C
VDD = 2.7 V
CMRR共模抑制比
VIC = GND到VDD - 1 V
VDD = 5 V
AVD
大信号差分电压
放大器阳离子
RL = 2 kΩ的, VO ( PP ) = VDD - 1 V
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
76
67
77
74
90
82
100
dB
100
dB
3
100
250
民
典型值
250
最大
3500
4500
4200
5200
单位
V
V
V
V
μV/°C
α
VIO
输入的温度系数补偿
电压
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TLV2630 , TLV2631
TLV2632 , TLV2633
TLV2634 , TLV2635
在指定的自由空气的温度,V电气特性
DD
= 2.7伏, 5伏(除非另有说明)
(续)
输入特性
参数
IIO
IIB
RI (四)
输入失调电流
输入偏置电流
差分输入电阻
F = 1千赫
VIC = VDD / 2 ,
VO = VDD / 2
测试条件
TA
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
1000
12
1
民
典型值
1
最大
50
100
50
200
G
pF
pA
单位
CI ( C)
共模输入电容
全范围为-40° C至125°C的I-后缀。
输出特性
参数
测试条件
VDD = 2.7 V
VIC = VDD / 2 , IOH = - 1毫安
VDD = 5 V
VOH
高电平输出电压
VDD = 2.7 V
VIC = VDD / 2 , IOH = - 10毫安
VDD = 5 V
VDD = 2.7 V
VIC = VDD / 2 , IOL = 1毫安
VDD = 5 V
VOL
低电平输出电压
VDD = 2.7 V
VIC = VDD / 2 , IOL = 10毫安
VDD = 5 V
VDD = 2.7 V ,
VO = 0.5 V轨
VDD = 5V ,
VO = 0.5 V轨
采购
IOS
输出短路电流
下沉
全范围为-40° C至125°C的I-后缀。
采购
下沉
采购
下沉
VDD = 2.7 V
VDD = 5 V
VDD = 2.7 V
VDD = 5 V
25°C
TA
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
14
19
28
28
50
95
25°C
50
95
mA
mA
0.2
0.26
0.025
民
2.6
2.55
4.92
4.9
2.25
2.15
4.7
4.65
0.03
0.1
0.15
0.08
0.1
0.45
0.47
0.3
0.35
mV
4.8
2.43
V
4.98
典型值
2.67
最大
单位
IO
输出电流
电源
参数
国际直拨电话
PSRR
电源电流(每通道)
电源电压抑制比
( ΔVDD / ΔVIO )
测试条件
VO = VDD / 2 ,
VDD = 2.7 V至5.5 V ,
VIC = VDD / 2
SHDN = VDD
空载
TA
25°C
全系列
25°C
全系列
70
65
90
dB
民
典型值
730
最大
1000
1350
单位
A
A
全范围为-40° C至125°C的I-后缀。
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TLV2630 , TLV2631
TLV2632 , TLV2633
TLV2634 , TLV2635
在指定的自由空气的温度,V电气特性
DD
= 2.7伏, 5伏(除非另有说明)
(续)
动态性能
参数
增益带宽积
增益带宽积
RL = 2 kΩ的,
测试条件
CL = 10 pF的,
F = 10千赫
VDD = 2.7 V ,
VO ( PP )= 1.7 V
VDD = 5V ,
VO ( PP )= 3.5 V
VDD = 2.7 V ,
VO ( PP )= 1.7 V
VDD = 5V ,
VO ( PP )= 3.5 V
CL = 10 pF的
25°C
TA
民
典型值
9
6
V / μs的
V / S
6
10
9.5
50
RL = 2 kΩ的,
20
V / μs的
V / μs的
°
dB
最大
单位
兆赫
SR +
积极的压摆率在单位增益
RL = 2 kΩ的CL = 50 pF的
k,
SR-
消极的压摆率在单位增益
RL = 2 kΩ的CL = 50 pF的
k,
φ
m
相位裕度
增益裕度
全范围为-40° C至125°C的I-后缀。
噪声/失真性能
参数
测试条件
VO ( PP ) = VDD / 2 ,
RL = 2 kΩ的, F = 10千赫
F = 1千赫
Vn
In
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
F = 10千赫
F = 1千赫
AV = 1
AV = 10
AV = 100
25°C
TA
民
典型值
0.003%
0.02%
0.095%
50
30
0.9
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
最大
单位
THD + N
总谐波失真加噪声
关闭特性
参数
IDD ( SHDN )
吨(ON)的
电源电流,每个通道在关闭
模式( TLV2630 , TLV2633 , TLV2635 )
放大器turnon时间
测试条件
SHDN = 0.4 V
VDD = 2.7 V
VDD = 5 V
TA
25°C
全系列
4.5
25 C
25°C
1.5
民
典型值
4
最大
17
19
单位
A
A
s
s
T(关)
功放关断时间
200
ns
全范围为-40° C至125°C的I-后缀。
禁用时间和启动时间被定义为应用程序中的逻辑信号到SHDN的与点之间的时间间隔,以将电源电流
已经达到其一半的最终值。
RL = 2 kΩ的
k,
CL = 10 pF的
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