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TLV2442 , TLV2442A , TLV2444 , TLV2444A
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压运算放大器
SLOS169H - 1996年11月 - 修订2001年3月
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
扩展共模输入电压
范围内。 。 。 0 V至4.25 V(最小值) 5 V单
供应
无相转化
低噪声。 。 。 16纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏移电压
950
V
马克斯在T
A
= 25 ° C( TLV244xA )
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
D
D
D
D
D
600 Ω输出驱动
高增益带宽。 。 。 1.8 MHz的典型值
低电源电流。 。 。 750
A
每通道
典型值
包括宏
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
高电平输出电压
vs
高电平输出电流
3
VDD = 3V
描述
该TLV244x和TLV244xA是低电压
运算放大器德州仪器(TI) 。
这些共模输入电压范围
设备一直延续了典型的标准
CMOS放大器,这使得它们适用于广泛
的应用范围。此外,这些设备
不相转化时的共模输入
被驱动到供电轨。这满足最
无需支付溢价的设计要求
为轨到轨输入性能。它们也显示出
轨到轨输出性能提高
在单或分离电源的动态范围
应用程序。该系列产品的特点完全在
3 -V和5 V电源供电,并优化
低电压操作。这两款器件提供
同时具有较低媲美的AC性能
噪声,输入失调电压和功耗
比现有的CMOS运算放大器。该
TLV244x已超过产量增加的驱动器
以前的轨至轨运算放大器和能
驱动600 Ω负载为电信
应用程序。
VOH - 高电平输出电压 - V
2.5
2
TA = - 40°C
1.5
1
TA = 125°C
0.5
TA = 85 ℃, TA = 25°C
0
0
2
4
6
8
10
12
IOH - 高电平输出电流 - 毫安
图1
在TLV244x家族的其他成员是低功率, TLV243x和微功率, TLV2422 ,版本。
该TLV244x ,表现出高输入阻抗和低噪声,是极好的用于小信号调理
高阻抗源,例如压电换能器。因为微耗散水平和
低电压操作,这些器件中的手持式监测和遥感应用中表现良好。在
此外,与单或分割用品轨到轨输出特性使得这个家庭一个伟大的选择,当
与模拟 - 数字转换器(ADC )的接口。对于高精度应用, TLV244xA可与
950的最大输入偏置电压
V.
如果设计需要一个运算放大器,请参阅TI的TLV2211 / 21/ 31这是一个家庭的轨至轨输出的
运算放大器在SOT- 23封装。其小尺寸和低功耗使其成为理想
为高密度,电池供电的设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年,德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLV2442 , TLV2442A , TLV2444 , TLV2444A
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压运算放大器
SLOS169H - 1996年11月 - 修订2001年3月
TLV2442可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
概要
(D)
TLV2442CD
TLV2442AID
TLV2442ID
TLV2442AQD
TLV2442QD
芯片载体
( FK )
TLV2442AMFK
TLV2442MFK
陶瓷DIP
( JG )
TLV2442AMJG
TLV2442MJG
TSSOP
( PW )
TLV2442CPW
TLV2442AIPW
TLV2442AQPW
TLV2442QPW
陶瓷FLAT
PACK
(U)
TLV2442AMU
TLV2442MU
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 40 ° C至125°C
- 55 ° C至125°C
在D和PW包提供卷带封装。加上R后缀设备类型(例如, TLV2442CDR ) 。
TLV2444可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
概要
(D)
TLV2444CD
TLV2444AID
TLV2444ID
TSSOP
( PW )
TLV2444CPW
TLV2444AIPW
TLV2444IPW
0 ° C至70℃
- 40 ° C至125°C
在D和PW包提供卷带封装。加上R后缀设备类型(例如, TLV2444CDR ) 。
TLV2442
D组或JG包装
( TOP VIEW )
TLV2442
PW包
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN–
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2442
FK包装
( TOP VIEW )
TLV2442
ü套餐
( TOP VIEW )
TLV2444
D组或PW包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
8
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
DD
+
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN+
V
DD
+
2IN+
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN+
V
DD–
/ GND
3IN+
3英寸 -
3OUT
NC
VDD- / GND
NC - 无内部连接
NC
2IN+
NC
2
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等效电路图(每个放大器)
部件
Q22
Q29
Q31
VB3
Q26
Q24
VB1
Q25
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Q34
Q36
晶体管
二极管
电阻器
电容器
69
5
26
6
Q32
VB2
VDD +
Q27
Q33
Q35
VB4
Q23
R9
Q30
Q37
D1
R10
TLV2442 , TLV2442A , TLV2444 , TLV2444A
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压运算放大器
Q3
R3
R4
Q13
Q15
Q18
R7
Q10
IN-
Q1
Q4
Q6
Q8
IN +
Q7
Q9
C1
VB3
VB2
Q2
Q5
Q14
Q11
Q16
R6
C3
R5
C2
Q20
SLOS169H - 1996年11月 - 修订2001年3月
VDD- / GND
OUT
Q21
Q17
Q12
R1
R2
Q19
R8
VB4
3
TLV2442 , TLV2442A , TLV2444 , TLV2444A
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压运算放大器
SLOS169H - 1996年11月 - 修订2001年3月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
DD
输入电流I
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD –
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀(双) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
我的后缀(四) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流会流,如果输入被带到低于VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
D (8)
D (14)
FK
JG
PW ( 8 )
PW ( 14 )
U
TA
25°C
额定功率
725毫瓦
1022毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
525毫瓦
720毫瓦
675毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
5.4毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
900毫瓦
880毫瓦
672毫瓦
336毫瓦
634毫瓦
432毫瓦
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
777毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
273毫瓦
547毫瓦
350毫瓦
TA = 125°C
额定功率
145毫瓦
450毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
105毫瓦
317毫瓦
135毫瓦
推荐工作条件
后缀
电源电压(VDD)
输入电压范围, VI
共模输入电压,
维克
工作自由空气的温度,
TA
2.7
VDD }
VDD }
0
最大
10
VDD + - 1
VDD + - 1
70
我的后缀
2.7
VDD }
VDD }
– 40
最大
10
VDD + - 1
VDD + - 1
125
2.7
VDD }
VDD - + 2
– 40
Q后缀
最大
10
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
2.7
VDD }
VDD - + 2
– 55
M后缀
最大
10
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
单位
V
V
V
°C
4
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TLV2442 , TLV2442A , TLV2444 , TLV2444A
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压运算放大器
SLOS169H - 1996年11月 - 修订2001年3月
在指定的自由空气的温度,V电气特性
DD
= 3V(除非另有说明)
参数
测试条件
TLV244xC
TLV244xI
VIO
输入失调电压
TLV244xAI
TLV2442AQ
TLV2442AM
α
VIO
输入的温度系数
失调电压
输入偏移电压长期漂移
(见注4 )
IIO
输入失调电流
TA
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
至85℃
25°C
25°C
全系列
25°C
-40 ° C至
85°C
125°C
TLV2442Q/AQ
TLV2442M/AM
全系列
0
to
2.25
0
to
2
0
to
2.25
0
to
2
2.98
2.5
2.25
0.02
0.63
1
0.7
0.4
750
1000
1000
8
G
G
pF
1
V / MV
V
V
–0.25
to
2.5
–0.25
to
2.5
1
2
0.002
0.5
60
150
60
150
350
260
pA
300
300
TLV2442
典型值
300
最大
2000
2500
950
1500
950
1600
μV/°C
μV /月
pA
V
单位
VIC = 1 5 V
1.5 V,
VO = 1.5 V,
RS = 50
IIB
输入偏置电流
25°C
全系列
VICR
共模输入电压
g
范围
|比奥|
5毫伏
毫伏,
RS = 50
25℃
–55°C
V
125°C
IO = - 100
A
VOH
高电平输出电压
IO = - 3毫安
VIC = 1.5 V,
VOL
低电平输出电压
VIC = 1 5 V
1.5 V,
IO = 100
A
IO = 3
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
F = 10千赫
25°C
m
A
AVD
RID
ri
ci
大信号差异
L
i
升差
TI升
电压时lification
放大器阳离子
差分输入电阻
共模输入电阻
共模输入电容
VO = 1 V 2 V
RL = 600
RL = 1 MΩ
zo
闭环输出阻抗
F = 1MHz时,
AV = 10
25°C
130
全系列为C后缀为0℃至70℃ 。全系列的双I后缀为 - 40 ° C至85°C 。全系列为四I后缀 - 40 ° C至125°C 。满
范围为Q后缀为 - 40 ° C至125°C 。全系列的M后缀为 - 55 ° C至125°C 。
注4 :典型值是基于通过168小时的工作寿命试验在TA = 150℃下观察到的所述输入偏移电压偏移推断
以使用Arrhenius方程,并假设为0.96电子伏特的激活能,TA = 25 ℃。
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
    -
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联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
TLV2442QDRG4
TI/德州仪器
24+
85000
SOP-8
假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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电话:13510131896
联系人:欧阳
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TLV2442QDRG4
TI
20+
8090
SOP8
原装进口可样品可出
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TI
2018+
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SOP-8
全新原装15818663367
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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原厂一级代理,原装现货
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Texas Instruments
24+
10000
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TLV2442QDRG4
Texas Instruments
24+
27890
8-SOIC
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
TLV2442QDRG4
TI
2025+
3587
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TI
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联系人:朱经理、张小姐
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2019+
3355
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TI/德州仪器
24+
21000
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