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TLV225x Q1 , TLV225xA Q1
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SGLS192B - 2003年10月 - 修订2008年4月
D
通过汽车应用认证
D
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过150 V
( TLV2252 / 52A )和100 V( TLV2254 / 54A )
使用机型号( C = 200 pF的, R = 0 )
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
D
非常低的功耗。 。 。 34
A
每通道典型值
D
共模输入电压范围
包括负轨
D
低输入偏移电压
850
V
马克斯在T
A
= 25°C
D
宽电源电压范围
2.7 V至16 V
D
包括宏
D
D
D
D
描述
该TLV2252和TLV2254是双和
从四联低电压运算放大器
德州仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
只有34 TLV225x家庭消费
A
供应
目前每通道。该微操作
使他们很好的选择对于电池供电
应用程序。该系列产品的特点完全在
3 V和5 V ,并针对低电压优化
应用程序。噪声性能已
比上一代显着提高
的CMOS放大器。该TLV225x有噪音
19内华达州/ √Hz的水平在1kHz ,低于四倍
有竞争力的微解决方案。
3
高电平输出电压
vs
高电平输出电流
VDD = 3V
VOH - 高电平输出电压 - V
2.5
TA = - 40°C
2
TA = 25°C
1.5
TA = 85°C
1
TA = 125°C
0.5
该TLV225x ,具有高输入阻抗
和低噪声,非常适合小信号
0
600
800
0
200
400
调节为高阻抗源,如
| IOH | - 高电平输出电流 -
A
压电换能器。由于微的
功率耗散水平结合3 -V的
图1
操作中,这些装置中的手持式很好地工作
监测和遥感应用。此外,单个或分离电源轨到轨输出功能
当模拟 - 数字转换器(ADC )接口,使这个家庭的绝佳选择。精密
应用中, TLV225xA家庭可用,并且具有850的最大输入偏置电压
V.
该TLV2252 / 4也很适合升级到TLV2322 / 4的标准设计。他们提供了增加产量
动态范围,低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集使他们能够
在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用
范围,请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器,请参阅
TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其
小尺寸和低功耗,使它们非常适用于高密度,电池供电设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2008年德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SGLS192B - 2003年10月 - 修订2008年4月
TLV225x Q1 , TLV225xA Q1
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
订购信息
TA
VIOMAX
在25℃下
850
V
V
-40_C到125_C
1500
V
V
850
V
V
-40_C到125_C
1500
V
V
SOIC ( D)
TSSOP ( PW )
SOIC ( D)
TSSOP ( PW )
SOIC ( D)
TSSOP ( PW )
SOIC ( D)
TSSOP ( PW )
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
TLV2252AQDRQ1
TLV2252AQPWRQ1
§
TLV2252QDRQ1
TLV2252QPWRQ1
§
TLV2254AQDRQ1
TLV2254AQPWRQ1
§
TLV2254QDRQ1
TLV2254QPWRQ1
§
TLV2254Q1
TLV2254AQ1
2252Q1
TOP- SIDE
记号
2252AQ
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,
或者看到TI网站http://www.ti.com 。
包装图纸,热数据和符号可在http://www.ti.com/packaging 。
产品预览
TLV2252 , TLV2252A
D组或PW包装
( TOP VIEW )
TLV2254 , TLV2254A
( TOP VIEW )
TLV2254 , TLV2254A
PW包
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD+
2IN +
2IN -
2OUT
1
14
7
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
2
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达拉斯,德克萨斯州75265
等效电路图(每个放大器)
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
R6
C1
R5
Q4
Q13
Q15
OUT
IN =
Q1
Q17
D1
Q2
R3
R4
Q5
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
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VDD - / GND
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLV2252
38
30
9
3
TLV2254
76
56
18
6
包括两个放大器和所有ESD ,偏置和修剪电路
TLV225x Q1 , TLV225xA Q1
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SGLS192A - 2003年10月 - 修订2004年3月
3
SGLS192A - 2003年10月 - 修订2004年3月
TLV225x Q1 , TLV225xA Q1
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±V
DD
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
0.3 V到V
DD+
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5
mA
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
总电流输出的V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±50
mA
短路电流的持续时间(或低于)25 ℃(见注3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒: D和PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时,输入带
下面VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
D8
D14
PW8
PW14
TA
25°C
25 C
额定功率
725毫瓦
950毫瓦
525毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
TA = 85°C
85 C
额定功率
377毫瓦
494毫瓦
273毫瓦
364毫瓦
TA = 125°C
125 C
额定功率
145毫瓦
190毫瓦
105毫瓦
140毫瓦
推荐工作条件
电源电压(VDD)
(见注1 )
输入电压范围, VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
注1 :所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
2.7
VDD }
VDD }
40
最大
16
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
125
单位
V
V
V
°C
4
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TLV225x Q1 , TLV225xA Q1
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SGLS192A - 2003年10月 - 修订2004年3月
在指定的自由空气的温度,V TLV2252 -Q1的电气特性
DD
= 3V(除非另有
说明)
参数
VIO
α
VIO
输入失调电压
温度COEF网络cient
输入偏移电压的
输入失调电压
长期漂移
(见注4 )
IIO
IIB
输入失调电流
输入偏置电流
VDD
±
=
±
1.5 V,
VO = 0,
VIC = 0,
RS = 50
测试条件
TA
25°C
全系列
25 C
25°C
至85℃
25°C
25°C
125°C
25°C
125°C
25 C
25°C
VICR
共模输入
电压范围
RS = 50
,
|V
IO
| ≤
5毫伏
全系列
IOH = - 20
A
VOH
高电平的输出
电压
IOH = - 75
A
IOH = - 150
A
VIC = 1.5 V,
VOL
低电平输出
电压
VIC = 1.5 V,
VIC = 1.5 V,
大信号差
电压放大
差分输入
阻力
共模输入
阻力
共模输入
电容
闭环输出
阻抗
共模抑制
电源电压抑制
比( VDD / VIO )
(V
/V
电源电流
F = 10千赫
F = 25 kHz时,
VIC = 0 1.7 V ,
RS = 50
AV = 10
VO = 1.5 V,
VIC = 1.5 V,
VO = 1 V 2 V
IOL = 50
A
IOL = 500
A
IOL = 1
mA
RL = 100 kΩ的
RL = 1 MΩ
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
65
60
80
80
68
125
150
95
100
10
800
1012
1012
8
220
75
65
60
80
80
68
125
150
100
250
200
2.9
2.8
2.8
10
100
150
165
300
300
100
10
800
1012
1012
8
220
77
pF
dB
dB
A
250
V / MV
200
0
to
2
0
to
1.7
0.3
to
2.2
1
0.5
0.003
0.5
60
1000
60
1000
0
to
2
0
to
1.7
2.9
2.8
2.8
10
100
150
165
300
300
mV
0.3
to
2.2
1
TLV2252-Q1
典型值
200
最大
1500
1750
0.5
0.003
0.5
60
1000
60
1000
TLV2252A-Q1
典型值
200
最大
850
1000
单位
V
μV/°C
μV /月
pA
pA
V
2.98
2.98
V
AVD
RI (四)
RI (三)
CI ( C)
zo
CMRR
kSVR
国际直拨电话
VDD = 2.7 V至8 V ,
VIC = VDD / 2 ,
空载
VO = 1.5 V,
空载
全范围为-40° C至125°C的Q级部分。
参考1.5 V
注4 :典型值是基于通过500小时的工作寿命试验在TA = 150℃下观察到的所述输入偏移电压偏移推断
以使用Arrhenius方程,并假设为0.96电子伏特的激活能,TA = 25 ℃。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TLV2254QDRQ1
TI
24+
13510
SOP14
只做全新原装正品现货
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联系人:李小姐
地址:广东省深圳市华强北赛格科技园6C18
TLV2254QDRQ1
TI
新年份
35600
SOP-14
只做原装正品
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TLV2254QDRQ1
Texas Instruments
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14-SOIC
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TLV2254QDRQ1
Texas Instruments
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10000
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TLV2254QDRQ1
Texas Instruments
24+
27890
14-SOIC
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
TLV2254QDRQ1
14145
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联系人:李
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TLV2254QDRQ1
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21+
16800
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