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废弃的设备
TC55
1 μA低压差正电压稳压器
特点
低压差电压: 120毫伏(典型值)在100毫安,
380毫伏(典型值) ,在200毫安
高输出电流:250 MA( V
OUT
= 5.0V)
高精度输出电压: ± 2 % (最大值)
( ± 1 %,半定制版)
低功耗: 1.1 μA (典型值)
低温度漂移: ± 100 PPM / °C(典型值)
卓越的线路调整率: 0.2 % / V(典型值)
封装选择: 3引脚SOT- 23A , 3引脚SOT- 89
和3引脚TO- 92
短路保护
标准输出电压选项: 1.2V , 1.8V ,
2.5V, 3.0V, 3.3V, 5.0V
概述
在TC55系列是CMOS低压差的集合,
正电压稳压器,可提供高达
250毫安的电流,具有极低的输入输出
380毫伏(典型值) ,在200 mA电压差。
在TC55的低压差,再加上低
只有1.1 μA (典型值)电流消耗,使得它非常适合
电池操作。所述低电压差动(滴
出电压)延长了电池的工作寿命。它
还允许高电流小包装时,
以最小的V操作
IN
– V
OUT
差别。
该电路还采用了短路保护
确保最高的可靠性。
功能框图
V
IN
V
OUT
应用
电池供电设备
相机和便携式视频设备
传呼机和手机
太阳能供电的仪表
消费类产品
短路
保护
+
电压
参考
GND
DS21435F第1页
封装类型
3引脚SOT- 23A
V
IN
3
TC55
1
GND
2
V
OUT
TC55
1
2
3
GND V
IN
V
OUT
3引脚TO- 92
123
3引脚SOT- 89
V
IN
底部
意见
GND V
IN
V
OUT
注意:
3引脚SOT- 23A是等效于
EIAJ SC- 59 。
2005年Microchip的科技公司
TC55
1.0
电动
特征
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值?
输入电压................................................ ........ + 12V
输出电流(连续) ......... P
D
/(V
IN
– V
OUT
)毫安
输出电流(峰值) ..................................... 500毫安
输出电压.................. (V
SS
- 0.3V )至(v
IN
+ 0.3V)
连续功率耗散:
3引脚SOT- 23A .......................................... 240毫瓦
3引脚SOT- 89 ............................................ 500毫瓦
3引脚TO- 92 ............................................ ... 440毫瓦
引脚功能表
符号
GND
V
OUT
V
IN
描述
接地端子
稳压输出
未稳压电源输入
TC55RP50 :电气特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有规定ED ,V
OUT
(S ) = 5.0V ,T
A
= + 25 ° C(见
注1 ) 。
参数
输出电压
最大输出电流
负载调整率
I / O电压差
消耗电流
电压调节
输入电压
输出的温度COEF网络cient
电压
长期稳定性
注1 :
符号
V
OUT
(A)
I
OUT
最大
ΔV
OUT
V
DIF
I
SS
V
OUT
(A)100
ΔV
IN
V
OUT
(S)
V
IN
ΔV
OUT
(A)10
6
4.90
250
典型值
5.0
40
120
380
1.1
0.2
±100
0.5
最大
5.10
80
300
600
3.0
0.3
10
单位
V
mA
mV
mV
A
%/V
V
条件
I
OUT
= 40毫安
V
IN
= 6.0V
V
IN
= 6.0V, V
OUT
(A)
4.5V
V
IN
= 6.0V , 1毫安
I
OUT
百毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 200毫安
V
IN
= 6.0V
I
OUT
= 40毫安, 6.0V
V
IN
10.0V
PPM / ° C I
OUT
= 40毫安, -40°C
T
A
≤ +85°C
%
T
A
= + 125°C后,1000小时
V
OUT
(S ) · ΔT
A
V
OUT
(S) :输出电压的预置值; V
OUT
( A):输出电压的实际值; V
DIF
:我定义/ O电压
差= {V
IN
1 – V
OUT
( A) } ; V
OUT
( A):输出电压,当我
OUT
被固定和V
IN
= V
OUT
( s)+ 1.0V ; V
IN
1 :输入电压
当输出电压为98 %的V
OUT
(A).
TC55RP40 :电气特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有规定ED ,V
OUT
(S ) = 4.0V ,T
A
= + 25 ° C(见
注1 ) 。
参数
输出电压
最大输出电流
负载调整率
I / O电压差
消耗电流
电压调节
输入电压
输出的温度COEF网络cient
电压
长期稳定性
注1 :
符号
V
OUT
(A)
I
OUT
最大
ΔV
OUT
V
DIF
I
SS
V
OUT
(A)100
ΔV
IN
V
OUT
(S)
V
IN
ΔV
OUT
(A)10
6
3.92
200
典型值
4.0
45
170
400
1.0
0.2
±100
0.5
最大
4.08
90
330
630
2.9
0.3
10
单位
V
mA
mV
mV
A
%/V
V
条件
I
OUT
= 40毫安
V
IN
= 5.0V
V
IN
= 5.0V, V
OUT
(A)
3.6V
V
IN
= 5.0V , 1毫安
I
OUT
百毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 200毫安
V
IN
= 5.0V
I
OUT
= 40毫安, 5.0V
V
IN
10.0V
PPM / ° C I
OUT
= 40毫安, -40°C
T
A
≤ +85°C
%
T
A
= + 125°C后,1000小时
V
OUT
(S ) · ΔT
A
V
OUT
(S) :输出电压的预置值; V
OUT
( A):输出电压的实际值; V
DIF
:我定义/ O电压
差= {V
IN
1 – V
OUT
( A) } ; V
OUT
( A):输出电压,当我
OUT
被固定和V
IN
= V
OUT
( s)+ 1.0V ; V
IN
1 :输入电压
当输出电压为98 %的V
OUT
(A).
DS21435F第2页
2005年Microchip的科技公司
TC55
TC55RP33 :电气特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有规定ED ,V
OUT
(S ) = 3.3V ,T
A
= + 25 ° C(见
注1 ) 。
参数
输出电压
最大输出电流
负载调整率
I / O电压差
消耗电流
电压调节
输入电压
输出的温度COEF网络cient
电压
长期稳定性
注1 :
符号
V
OUT
(A)
I
OUT
最大
ΔV
OUT
V
DIF
I
SS
V
OUT
(A)100
ΔV
IN
V
OUT
(S)
V
IN
ΔV
OUT
(A)10
6
V
OUT
(S ) · ΔT
A
3.23
150
典型值
3.30
45
180
400
1.0
0.2
±100
0.5
最大
3.37
90
360
700
2.9
0.3
10
单位
V
mA
mV
mV
A
%/V
V
条件
I
OUT
= 40毫安
V
IN
= 4.3V
V
IN
= 4.3V, V
OUT
(A)
3.0V
V
IN
= 4.3V,
1毫安
I
OUT
80毫安
I
OUT
= 80毫安
I
OUT
= 160毫安
V
IN
= 4.3V
I
OUT
= 40毫安,
4.3V
I
OUT
10.0V
PPM / ° C I
OUT
= 40毫安, -40°C
T
A
≤ +85°C
%
T
A
= + 125°C , 1000小时
V
OUT
(S) :输出电压的预置值; V
OUT
( A):输出电压的实际值; V
DIF
:我定义/ O电压
差= {V
IN
1 – V
OUT
( A) } ; V
OUT
( A):输出电压,当我
OUT
被固定和V
IN
= V
OUT
( s)+ 1.0V ; V
IN
1 :输入电压
当输出电压为98 %的V
OUT
(A).
TC55RP30 :电气特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有规定ED ,V
OUT
(S ) = 3.0V ,T
A
= + 25 ° C(见
注1 ) 。
参数
输出电压
最大输出电流
负载调整率
I / O电压差
消耗电流
电压调节
输入电压
输出的温度COEF网络cient
电压
长期稳定性
注1 :
符号
V
OUT
(A)
I
OUT
最大
ΔV
OUT
V
DIF
I
SS
V
OUT
(A)100
ΔV
IN
V
OUT
(S)
V
IN
ΔV
OUT
(A)10
6
2.94
150
典型值
3.0
45
180
400
0.9
0.2
±100
0.5
最大
3.06
90
360
700
2.8
0.3
10
单位
V
mA
mV
mV
A
%/V
V
条件
I
OUT
= 40毫安
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 4.0V, V
OUT
(A)
2.7V
V
IN
= 4.0V , 1毫安
I
OUT
80毫安
I
OUT
= 80毫安
I
OUT
= 160毫安
V
IN
= 4.0V
I
OUT
= 40毫安, 4.0V
V
IN
10.0V
PPM / ° C I
OUT
= 40毫安, -40°C
T
A
≤ +85°C
%
T
A
= + 125°C后,1000小时
V
OUT
(S ) · ΔT
A
V
OUT
(S) :输出电压的预置值; V
OUT
( A):输出电压的实际值; V
DIF
:我定义/ O电压
差= {V
IN
1 – V
OUT
( A) } ; V
OUT
( A):输出电压,当我
OUT
被固定和V
IN
= V
OUT
( s)+ 1.0V ; V
IN
1 :输入电压
当输出电压为98 %的V
OUT
(A).
2005年Microchip的科技公司
DS21435F第3页
TC55
TC55RP25 :电气特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有规定ED ,V
OUT
(S) = 2.5V ,T
A
= + 25 ° C(见
注1 ) 。
参数
输出电压
最大输出电流
负载调整率
I / O电压差
消耗电流
电压调节
输入电压
输出的温度COEF网络cient
电压
长期稳定性
注1 :
符号
V
OUT
(A)
I
OUT
最大
ΔV
OUT
V
DIF
I
SS
V
OUT
(A)100
ΔV
IN
V
OUT
(S)
V
IN
ΔV
OUT
(A)10
6
V
OUT
(S ) · ΔT
A
2.45
125
典型值
2.5
45
180
400
1.0
0.2
±100
0.5
最大
2.55
90
360
700
2.8
0.3
10
单位
V
mA
mV
mV
A
%/V
V
条件
I
OUT
= 40毫安
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 3.5V, V
OUT
(A)
2.25V
V
IN
= 3.5V,
1毫安
I
OUT
60毫安
I
OUT
= 60毫安
I
OUT
= 120毫安
V
IN
= 3.5V
I
OUT
= 40毫安,
3.5V
I
OUT
10.0V
PPM / ° C I
OUT
= 40毫安, -30℃
T
A
≤ +80°C
%
T
A
= + 125°C , 1000小时
V
OUT
(S) :输出电压的预置值; V
OUT
( A):输出电压的实际值; V
DIF
:我定义/ O电压
差= {V
IN
1 – V
OUT
( A) } ; V
OUT
( A):输出电压,当我
OUT
被固定和V
IN
= V
OUT
( s)+ 1.0V ; V
IN
1 :输入电压
当输出电压为98 %的V
OUT
(A).
TC55RP18 :电气特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有规定ED ,V
OUT
(S ) = 1.8V ,T
A
= + 25 ° C(见
注1 ) 。
参数
输出电压
最大输出电流
负载调整率
I / O电压差
消耗电流
电压调节
输入电压
输出的温度COEF网络cient
电压
长期稳定性
注1 :
符号
V
OUT
(A)
I
OUT
最大
ΔV
OUT
V
DIF
I
SS
V
OUT
(A)100
ΔV
IN
V
OUT
(S)
V
IN
ΔV
OUT
(A)10
6
1.764
110
典型值
1.8
±100
0.5
最大
1.836
30
300
3.0
0.25
6.0
单位
V
mA
mV
mV
A
%/V
V
条件
I
OUT
- 0.5毫安
V
IN
= 2.8V
V
IN
= 2.8V, V
OUT
(A)
1.62V
V
IN
= 2.8V,
1毫安
I
OUT
30毫安
I
OUT
- 0.5毫安
V
IN
= 2.8V
I
OUT
= 0.5毫安,
2.8V
I
OUT
10.0V
PPM / ° C I
OUT
= 0.5毫安, -30℃
T
A
≤ +80°C
%
T
A
= + 125°C , 1000小时
V
OUT
(S ) · ΔT
A
V
OUT
(S) :输出电压的预置值; V
OUT
( A):输出电压的实际值; V
DIF
:我定义/ O电压
差= {V
IN
1 – V
OUT
( A) } ; V
OUT
( A):输出电压,当我
OUT
被固定和V
IN
= V
OUT
( s)+ 1.0V ; V
IN
1 :输入电压
当输出电压为98 %的V
OUT
(A).
DS21435F第4页
2005年Microchip的科技公司
TC55
TC55RP12 :电气特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有规定ED ,V
OUT
(S ) = 1.2V ,T
A
= + 25 ° C(见
注1 ) 。
参数
输出电压
最大输出电流
负载调整率
I / O电压差
消耗电流
电压调节
输入电压
输出的温度COEF网络cient
电压
长期稳定性
注1 :
符号
V
OUT
(A)
I
OUT
最大
ΔV
OUT
V
DIF
I
SS
V
OUT
(A)100
ΔV
IN
V
OUT
(S)
V
IN
ΔV
OUT
(A)10
6
1.176
50
典型值
1.200
±100
0.5
最大
1.224
30
300
3.0
0.25
6.0
单位
V
mA
mV
mV
A
%/V
V
条件
I
OUT
- 0.5毫安
V
IN
= 2.2V
V
IN
= 2.2V, V
OUT
(A)
1.08V
V
IN
= 2.2V,
1毫安
I
OUT
30毫安
I
OUT
- 0.5毫安
V
IN
= 2.2V
I
OUT
= 0.5 ,
2.2V
I
OUT
10.0V
PPM / ° C I
OUT
= 0.5毫安, -30℃
T
A
≤ +80°C
%
T
A
= + 125°C , 1000小时
V
OUT
(S ) · ΔT
A
V
OUT
(S) :输出电压的预置值; V
OUT
( A):输出电压的实际值; V
DIF
:我定义/ O电压
差= {V
IN
1 – V
OUT
( A) } ; V
OUT
( A):输出电压,当我
OUT
被固定和V
IN
= V
OUT
( s)+ 1.0V ; V
IN
1 :输入电压
当输出电压为98 %的V
OUT
(A).
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有规定ED ,V
OUT
(S ) = 5.0V ,T
A
= +25°C.
参数
温度范围
规定温度范围( E)
存储温度范围
封装热阻
热阻, 3L- SOT- 23A
热阻, 3L- SOT- 89
热阻, 3L- TO- 92
θ
JA
θ
JA
θ
JA
359
110
131.9
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
当安装在1平方
铜英寸
T
A
T
A
-40
-65
+85
+150
C
C
符号
典型值
最大
单位
条件
2005年Microchip的科技公司
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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