TLP831(F)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
正向电流降额
（钽> 25 ° C）
反向电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
探测器
集电极耗散功率
集电极耗散功率
降额（钽> 25 ° C）
集电极电流
工作温度
储存温度
焊接温度（ 5秒） （注1 ）
LED
符号
I
F
ΔI
F
/ °C
V
R
V
首席执行官
V
ECO
P
C
ΔP
C
/ °C
I
C
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
50
0.33
5
35
5
75
1
50
30~85
40~100
260
单位
mA
毫安/°C的
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
mA
°C
°C
°C
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1：在1.5mm的从树脂封装底部的位置
产品适应症
每月生产批号
生产月
（ 1月-12月，通过了A-L字母来表示）
生产年份（公元的最后一位数字表示）
工作范围
特征
电源电压
正向电流
工作温度
符号
V
CC
I
F
T
OPR
分钟。
―
―
10
典型值。
5
―
―
马克斯。
24
25
75
单位
V
mA
°C
2
2007-10-01
TLP831(F)
OPTO电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
正向电压
LED
反向电流
峰值发射波长
探测器
暗电流
峰值灵敏度
波长
电流传输比
再加
集电极 - 发射极
饱和电压
上升时间
下降时间
符号
V
F
I
R
λ
P
I
D
(I
首席执行官
)
λ
P
I
C
/ I
F
V
CE （SAT）
t
r
t
f
V
CE
= 2V ，我
F
= 10毫安
I
F
= 20mA时，我
C
- 0.5毫安
V
CC
= 5V ，我
C
= 1毫安
R
L
= 1KΩ （注2）
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
I
F
= 10毫安
V
CE
= 24V ，我
F
= 0
测试条件
分钟。
1.00
―
―
―
―
5
―
―
―
典型值。
1.15
―
940
―
870
―
0.1
15
15
马克斯。
1.30
10
―
0.1
―
100
0.35
50
50
单位
V
μA
nm
μA
nm
%
V
μs
注2 ：开关时间测量电路和波形
I
F
V
CC
V
OUT
R
L
I
F
90%
V
OUT
10%
t
d
t
r
t
s
t
f
注意事项
当焊接后的化学物质去除助焊剂，清洁只在焊接侧的引线;不沾
整套清洗。
上残留的发光二极管或光电晶体管的表面的化学物质，如果有的话，将有不良影响的光
特性和它可能会严重降低了转换效率。
安装该设备的环境应仔细确定。油或化学品会引起包
被溶解或破裂。
该设备应安装在地面展开。
安装此设备为避免干扰光越好。可见光截止型光电晶体管
该阻挡光与700nm之间的频率或以上使用。然而，该装置不能阻止红外光
用700毫微米或更多的波长，并且可以做误动作。
转换效率随时间下降，由于在红外LED中流动的电流。
当设计一个电路，考虑到这种变化的转换效率随时间的。
在转换效率波动的红外LED的光输出的波动的比例是1： 1 。
IC / IF （t）的PO （t）的
=
集成电路/中频（0 ）PO （0）
3
2007-10-01
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