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TCS11NLU
东芝CMOS数字集成电路硅单片
TCS11NLU
数字输出的磁传感器
特点
漏极开路输出,带反向逻辑
北极性检测
UFV
重量: 0.007克(典型值)。
记号
引脚分配
( TOP VIEW )
V
CC
(注1 ) GND2 (注2 )
5
4
功能表
磁通
密度
B
ON
B
关闭
产量
Z(注3)
L
LB2
1
2
3
V
OUT
GND1 NC
(注2 )
注1 :建议添加约0.1电容器
μF
V之间
CC
和GND 。
注2: GND1和GND2引脚应接地。
该GND2引脚用作生产过程中测试引脚。
注3 :在高阻抗状态。
1
2009-01-30
TCS11NLU
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
电源电压
输出电压
输出二极管电流
输出电流
VCC / GND电流
功耗
存储温度范围
符号
V
CC
V
OUT
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5
6.0
0.5
6.0
-10
5
±10
200
65
150
单位
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
工作范围
特征
电源电压
输出电压
输出电流
工作温度
符号
V
CC
V
OUT
I
OL
T
OPR
等级
2.3 3.6
0 5.5 (注4)
1.0
40
85
单位
V
V
mA
°C
注4 : V
CC
= 0.0V,或者当输出处于高阻抗状态。
2
2009-01-30
TCS11NLU
DC特性
( TA = 25°C )
特征
输出电压
低级别
符号
V
OL
I
关闭
I
CC
条件
I
OL
= 1.0毫安
V
OUT
= 5.5V
电流脉冲
主动
(注5 ,图A)
峰值电流
(注5 ,图A)
(图A)
V
CC
(V)
2.3 3.6
0
2.3 2.7
3.0 3.6
2.3 3.6
2.3 3.6
典型值。
0.5
5.5
8.7
0.7
25
最大
V
CC
x 10%
1
9.5
13.2
1.3
mA
Hz
单位
V
μA
μA
输出漏电流
平均
当前
电源电流
操作
当前
工作频率
I
CC
ON
f
OPR
注5 :我
CC
周期性脉冲。
磁特性
( TA = 25°C )
特征
工作点
释放点
迟滞
符号
B
ON
B
关闭
B
H
条件
(注6 ,图B)中
V
OUT
= Z
(注7 )
V
OUT
= V
OL
|B
ON
- B
关闭
|
V
CC
(V)
2.3 3.6
2.3 3.6
2.3 3.6
-2.5
典型值。
-1.8
-0.8
1.0
最大
-0.3
mT
单位
助焊剂
密度
注6 :均匀磁场垂直于磁传感器。
注7 :在高阻抗状态。
注意:该磁场的方向
磁场,B
(图A) :我
CC
特征
I
CC
1 / fopr ( fopr = 25赫兹)
工作电流
(典型值0.7 mA)的
(图B) :工作特性
V
OUT
高阻抗状态
平均电流
(典型值5.5
μA)
B
H
V
OL
北极
时间
B
ON
B
关闭
0
南极
磁通量密度
3
2009-01-30
TCS11NLU
包装尺寸
重量: 0.007克(典型值)。
2.0±0.1
4
2009-01-30
TCS11NLU
磁检测部件布局
单位:mm
0.85
传感器元件
(0.2
mm
2
)
1.05
传感器元件
0.3
注:尺寸公差
±0.1mm,
除非另有规定ED 。
5
2009-01-30
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