降压型DC / DC控制器
目标数据表
特点
操作从5V至60V输入电压
100 ％的最大占空比
效率>90 ％
输出电流可达3A
超过100μA静态电流少
2μA最大关断电流
高达350kHz开关频率
可调和固定5V和
V
IN
3.3V输出电压版本
3 ％的输出电压准确度
（ PWM模式）
电流模式控制方案
片上低电池电压检测
环境工作范围
-40°C至125°C
R =
SI1
TLE 6389
P- DSO - 14-3 ， -4 ， -9 ， -11
R
SENSE
=
0.05
M1
L
1
= 47
H
V
OUT
I
OUT
C
IN1
=
100
F
C
BDS
=
220 nF的
11
13
BDS
VS
7
SI
CS
14
12
GDRV
2
R
SI2
=
TYPE
TLE 6389 GV
TLE 6389 G50
TLE 6389 G50-1
TLE 6389 G33
TLE 6389 G33-1
订购代码
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
包
P-DSO-14
P-DSO-14
P-DSO-14
P-DSO-14
P-DSO-14
功能说明
该
TLE6389
降压型DC -DC开关控制器提供了高效率的负载
从1毫安高达3A 。独特的PWM / PFM控制方式运行多达一
100 ％的占空比，从而导致非常低的压差电压。这种控制方案消除
最小负载要求，并降低轻负载时100μA下电源电流。
这些降压控制器驱动一个外部P沟道MOSFET ，允许设计
灵活的应用高达3A 。高开关频率（最高的350kHz ）和
目标数据表修订版1.7
1
2001-09-17
100k
400k
C
IN2
=
220nF
TLE6389G50-1
SYNC GND
5
4
6
ON
1
关闭
SI_GND SI_ENABLE
D1
100
F
C
OUT
=
3
FB
VOUT
9
SO
10
RO
RD
8
M1 ：英飞凌SPD09P06PL
D1 ：摩托罗拉MBRD360
L1 ：Coilcraft在DO3340P - 473
CIN1 ：待定
COUT ：低ESR的钽电容
C
RD
=100nF
描述
可调整的
5V ，设备启用
5V ， GND SI ， SI启用
3.3V ，设备启用
3.3V ， GND SI ， SI启用
TLE 6389
在连续导通模式操作允许使用纤巧表面贴装电感器。
也减少输出电容的要求，最大限度地减少PCB面积和系统
成本。输出电压预置为5V （ TLE6389-50 ）或3.3V （ TLE6389-33 ）和
可调节的
TLE6389.
输入电压可高达60V 。
引脚配置
（ TOP VIEW
)
启用/
1
SI_EN
FB
2
VOUT
3
GND
4
SYNC
5
SI_GND
6
SI
7
14
CS
13
VS
12
GDRV
P-D-SO-14
11
BDS
10
RO
9
SO
8
RD
引脚定义和功能
针无
SO-14
2
符号
FB
功能
反馈输入。
1.对于可调输出操作连接到外部电压分压器
的输出和GND之间（参见设置输出电压部分）。
2.检测输入固定5V或3.3V输出操作。 FB在内部
连接到一个芯片上的分压器。
VOUT输入。
输入内部电源。连接到输出，如果变量的版本使用。为
固定电压版本的连接FB和VOUT 。
3
VOUT
1
启用
低电平有效使能输入。
当启用的设备放置在关机
驱动为低电平。在关断模式下，基准，输出和外部
的MOSFET被关断。连接到逻辑高电平的正常运行。
（ TLE6389G50 ， TLE6389G33 ， TLE6389GV只）
目标数据表修订版1.7
2
2001-09-17
TLE 6389
针无
SO-14
1
符号
SI_ENA
BLE
功能
SI使能输入。
SI_GND切换为高阻态时SI_Enable
是低的。高电平SI_Enable通过低SI_GND连接到GND
阻抗路径。 SO未定义时SI_Enable低。 （ TLE6389G50-
1 ， TLE6389G33-1只）
电源输入。
旁路0.47μF 。
地面上。
模拟信号地。
SI地面。
接地连接的SI比较电阻devider 。
降压驱动器的电源输入。
连接BDS之间的陶瓷电容器
VS产生夹紧的栅极 - 源极电压，以驱动PMOS功率
阶段。
电流检测输入。
连接VS之间的电流检测电阻器
CS 。外部的MOSFET被关断时，电阻两端的电压
等于限流跳闸水平。
栅极驱动输出为外部P沟道MOSFET。
GDRV波动
之间的VS和BDS 。
复位输出。
从复位比较开漏输出与内部
上拉电阻。
复位延迟。
连接一个电容到地的延时时间调整。
检测输出比较。
从SI比较器输出开路漏极
一个内部上拉电阻。
检测输入比较器。
输入到低电池电压比较器。这
输入进行比较的内部1.25V参考。
输入外部同步。
连接的外部时钟信号
此引脚允许GDRV切换同步。
13
4
6
11
VS
GND
SI_GND
BDS
14
CS
12
10
8
9
7
5
GDRV
RO
RD
SO
SI
SYNC
目标数据表修订版1.7
3
2001-09-17
TLE 6389
1
项
1.0.15
绝对最大额定值
（续）
参数
电压
符号
V
启用
限值单位
分钟。
– 0.3
马克斯。
60
V
(TLE6389G50,
TLE6389G33,
TLE6389GV只）
备注
1.0.16
1.0.17
1.0.18
1.0.19
1.0.20
1.0.21
1.0.22
1.0.23
1.0.24
1.0.25
1.0.26
1.0.27
1.0.28
当前
检测输入
电压
当前
检测输出
电压
当前
VOUT
输入
电压
当前
电压
当前
复位输出
电压
当前
同步输入
电压
当前
I
启用
V
SI
–
– 0.3
–
– 0.3
–
– 0.3
–
– 0.3
待定
– 0.3
-2
– 0.3
待定
–
60
–
6.8
–
15
–
6.8
待定
6.8
2
6.8
待定
–
V
–
V
–
V
–
V
mA
V
mA
V
mA
I
SI
V
SO
I
SO
V
OUT
I
OUT
V
RD
复位延迟调整
输入
I
RD
V
RO
I
RO
V
SYNC
I
SYNC
ESD保护（人体模型; R = 1,5kΩ ; C = 100pF的）
1.0.29
所有引脚到GND
V
HBM
–2
2
kV
目标数据表修订版1.7
5
2001-09-17
降压型DC / DC控制器
目标数据表
特点
操作从5V至60V输入电压
100 ％的最大占空比
效率>90 ％
输出电流可达3A
超过100μA静态电流少
2μA最大关断电流
高达350kHz开关频率
可调和固定5V和
V
IN
3.3V输出电压版本
3 ％的输出电压准确度
（ PWM模式）
电流模式控制方案
片上低电池电压检测
环境工作范围
-40°C至125°C
R =
SI1
TLE 6389
P- DSO - 14-3 ， -4 ， -9 ， -11
R
SENSE
=
0.05
M1
L
1
= 47
H
V
OUT
I
OUT
C
IN1
=
100
F
C
BDS
=
220 nF的
11
13
BDS
VS
7
SI
CS
14
12
GDRV
2
R
SI2
=
TYPE
TLE 6389 GV
TLE 6389 G50
TLE 6389 G50-1
TLE 6389 G33
TLE 6389 G33-1
订购代码
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
包
P-DSO-14
P-DSO-14
P-DSO-14
P-DSO-14
P-DSO-14
功能说明
该
TLE6389
降压型DC -DC开关控制器提供了高效率的负载
从1毫安高达3A 。独特的PWM / PFM控制方式运行多达一
100 ％的占空比，从而导致非常低的压差电压。这种控制方案消除
最小负载要求，并降低轻负载时100μA下电源电流。
这些降压控制器驱动一个外部P沟道MOSFET ，允许设计
灵活的应用高达3A 。高开关频率（最高的350kHz ）和
目标数据表修订版1.7
1
2001-09-17
100k
400k
C
IN2
=
220nF
TLE6389G50-1
SYNC GND
5
4
6
ON
1
关闭
SI_GND SI_ENABLE
D1
100
F
C
OUT
=
3
FB
VOUT
9
SO
10
RO
RD
8
M1 ：英飞凌SPD09P06PL
D1 ：摩托罗拉MBRD360
L1 ：Coilcraft在DO3340P - 473
CIN1 ：待定
COUT ：低ESR的钽电容
C
RD
=100nF
描述
可调整的
5V ，设备启用
5V ， GND SI ， SI启用
3.3V ，设备启用
3.3V ， GND SI ， SI启用
TLE 6389
在连续导通模式操作允许使用纤巧表面贴装电感器。
也减少输出电容的要求，最大限度地减少PCB面积和系统
成本。输出电压预置为5V （ TLE6389-50 ）或3.3V （ TLE6389-33 ）和
可调节的
TLE6389.
输入电压可高达60V 。
引脚配置
（ TOP VIEW
)
启用/
1
SI_EN
FB
2
VOUT
3
GND
4
SYNC
5
SI_GND
6
SI
7
14
CS
13
VS
12
GDRV
P-D-SO-14
11
BDS
10
RO
9
SO
8
RD
引脚定义和功能
针无
SO-14
2
符号
FB
功能
反馈输入。
1.对于可调输出操作连接到外部电压分压器
的输出和GND之间（参见设置输出电压部分）。
2.检测输入固定5V或3.3V输出操作。 FB在内部
连接到一个芯片上的分压器。
VOUT输入。
输入内部电源。连接到输出，如果变量的版本使用。为
固定电压版本的连接FB和VOUT 。
3
VOUT
1
启用
低电平有效使能输入。
当启用的设备放置在关机
驱动为低电平。在关断模式下，基准，输出和外部
的MOSFET被关断。连接到逻辑高电平的正常运行。
（ TLE6389G50 ， TLE6389G33 ， TLE6389GV只）
目标数据表修订版1.7
2
2001-09-17
TLE 6389
针无
SO-14
1
符号
SI_ENA
BLE
功能
SI使能输入。
SI_GND切换为高阻态时SI_Enable
是低的。高电平SI_Enable通过低SI_GND连接到GND
阻抗路径。 SO未定义时SI_Enable低。 （ TLE6389G50-
1 ， TLE6389G33-1只）
电源输入。
旁路0.47μF 。
地面上。
模拟信号地。
SI地面。
接地连接的SI比较电阻devider 。
降压驱动器的电源输入。
连接BDS之间的陶瓷电容器
VS产生夹紧的栅极 - 源极电压，以驱动PMOS功率
阶段。
电流检测输入。
连接VS之间的电流检测电阻器
CS 。外部的MOSFET被关断时，电阻两端的电压
等于限流跳闸水平。
栅极驱动输出为外部P沟道MOSFET。
GDRV波动
之间的VS和BDS 。
复位输出。
从复位比较开漏输出与内部
上拉电阻。
复位延迟。
连接一个电容到地的延时时间调整。
检测输出比较。
从SI比较器输出开路漏极
一个内部上拉电阻。
检测输入比较器。
输入到低电池电压比较器。这
输入进行比较的内部1.25V参考。
输入外部同步。
连接的外部时钟信号
此引脚允许GDRV切换同步。
13
4
6
11
VS
GND
SI_GND
BDS
14
CS
12
10
8
9
7
5
GDRV
RO
RD
SO
SI
SYNC
目标数据表修订版1.7
3
2001-09-17
TLE 6389
1
项
1.0.15
绝对最大额定值
（续）
参数
电压
符号
V
启用
限值单位
分钟。
– 0.3
马克斯。
60
V
(TLE6389G50,
TLE6389G33,
TLE6389GV只）
备注
1.0.16
1.0.17
1.0.18
1.0.19
1.0.20
1.0.21
1.0.22
1.0.23
1.0.24
1.0.25
1.0.26
1.0.27
1.0.28
当前
检测输入
电压
当前
检测输出
电压
当前
VOUT
输入
电压
当前
电压
当前
复位输出
电压
当前
同步输入
电压
当前
I
启用
V
SI
–
– 0.3
–
– 0.3
–
– 0.3
–
– 0.3
待定
– 0.3
-2
– 0.3
待定
–
60
–
6.8
–
15
–
6.8
待定
6.8
2
6.8
待定
–
V
–
V
–
V
–
V
mA
V
mA
V
mA
I
SI
V
SO
I
SO
V
OUT
I
OUT
V
RD
复位延迟调整
输入
I
RD
V
RO
I
RO
V
SYNC
I
SYNC
ESD保护（人体模型; R = 1,5kΩ ; C = 100pF的）
1.0.29
所有引脚到GND
V
HBM
–2
2
kV
目标数据表修订版1.7
5
2001-09-17
QQ：2881677436 复制
