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数据手册,V 4.0 , 2010-04
TLE4953
T L ê 49 5 3C
差分双线霍尔效应传感器IC
传感器
2010-04版
出版英飞凌科技股份公司,
81726慕尼黑,德国
英飞凌科技股份公司10年6月25日。
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信息
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由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息
的问题,请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。
在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面
的在网络连接氖技术批准,如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障
生命支持设备或系统,或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持
装置或系统,意在被植入人体,或支持和/或保持和维持
和/或保护人的生命。如果失败了,这是合理的假设,该用户或其他人的健康可能
受到威胁。
TLE4953
TLE4953C
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2010-04
V 3.0
V 4.0
温度曲线调整
TLE4953C包更改
差动方向限制增加最大值
通过应用笔记提供的存储温度信息:储存
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TLE4952系列
差分双线霍尔效应传感器IC
TLE4953
TLE4953C
数据手册V4.0
特点
两线制电流PWM接口
检测旋转方向的
动态自校准原理&高灵敏度
自适应迟滞
单芯片解决方案 - 无需外部元件
振动抑制在校准模式
南北极诱导前可能
高抗压电效应
大型经营气隙
宽工作温度范围
从零加速到12千赫
1.8 nF的电容包覆成型
粗发送对象轮
TYPE
TLE4953C
TLE4953
记号
53C1R
53
订货编号
SP000710696
SP000278512
PG-SSO-2-4
PG-SSO-2-1
差分霍尔效应传感器TLE4953的目的是提供有关信息
旋转速度和旋转,以现代传输和ABS系统的方向。该
输出已被设计为基于脉宽两线制电流接口
调制原理。传感器的工作原理,无需外部组件和联合收割机
一个快速启动时间与一个宽的频率范围。优异的精确度和灵敏度是
针对恶劣的汽车要求很宽的温度范围内指定,高ESD
鲁棒性和高EMC应变能力。 BiCMOS技术是用于国家的最先进的
有源传感器区的单片集成和信号调节。
最后,优化压电补偿和集成的动态偏移
补偿能够轻松制造和消除磁偏移。自适应
滞后的概念提高了抗噪声能力。该TLE4953C是另外
设置有包覆成型1.8 nF电容以改善EMI性能。
数据表
1
V 4.0, 2010-04
TLE4953
TLE4953C
引脚配置
( TOP VIEW )
2.5
2.67
日期代码
GyywwS
53C1R
M
烯王
1.44
中心
敏感
区域
± 0.15
V
CC
GND
V
CC
GND
AEP03191-53
图1
供应
发电机
时钟
将军
系统控制
&看门狗
产量
协议
霍尔探头:
R
IGHT
+
-
-
PGA
A / D
斜坡/峰值
发现
OFFSET
计算器。
C
ENTR
D / A
+
-
-
(R+L)/2-C
-
LP
D / A
COMP
跟踪
ALGOR 。
+噪声
整形
DIG 。
滤波器
方向
算法
图2
数据表
框图
2
V 4.0, 2010-04
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700000
BGA
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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