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TLC251 , TLC251A , TLC251B , TLC251Y
路LinCMOS 可编程
低功耗运算放大器
SLOS001E - 1983年7月 - 修订1994年8月
D
D
D
D
D
电源电压范围广
1.4 V至16 V
真正的单电源供电
共模输入电压范围
包括负轨
低噪声。 。 。 30纳伏/ √Hz的典型值在1 kHz
(高偏置)
ESD保护超过2000伏每
MIL- STD- 833C ,方法3015.1
D或P封装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN =
IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
BIAS选择
V
DD
OUT
偏移N2
符号
BIAS选择
描述
在TLC251C , TLC251AC和TLC251BC是
低成本,低功耗的可编程操作
+
IN +
放大器设计成与单或双操作
OUT
IN =
耗材。不同于传统的金属栅CMOS
运算放大器,这些器件利用德克萨斯
仪器硅栅路LinCMOS 工艺,
OFFSET N1
给他们稳定的输入偏移电压不
偏移N2
牺牲金属栅CMOS的优点。
该系列部分是输入失调电压等级的选择,并提供可与一个外部进行调零
电位器。因为输入共模范围扩展到负电源轨和功耗
是极低的,这个系列非常适合于电池供电或节能应用。一
偏置选择引脚,可用于编写三个AC性能和功率消耗水平一个适合的
应用程序。该系列产品具有操作降低到1.4 V电源供电,稳定在单位增益。
这些器件具有内部静电放电(ESD)保护电路,以防止灾难性故障
在电压高达2000伏的下MIL -STD- 883C ,方法3015.1进行测试。然而,应谨慎
在处理这些设备暴露于静电放电可能导致器件参数的劣化
性能。
因为非常高的输入阻抗和低输入偏置和偏置电流,应用程序的
TLC251C系列包括先前已经限于BIFET和NFET的产品种类很多领域。任何
使用高阻抗元件,并要求小失调误差的电路是一个很好的候选人具有成本效益的
使用这些设备。可与路LinCMOS与双极技术相关的许多特征
运算放大器,而没有传统双极型器件的功率损耗。边远和交通不便
设备应用也能够利用该TLC251C系列的低电压和低功耗的功能。
另外,通过由微处理器驱动所述偏压选择输入与逻辑信号,这些运算放大器
可以具有软件控制的性能和功耗。该TLC251C系列非常适合于解决
单电池和太阳能电池供电的应用程序相关的疑难问题。
该TLC251C系列的特点是操作从0° C至70 ℃。
可选项
TA
VIOMAX
在25℃下
10毫伏
5毫伏
2毫伏
包装设备
小尺寸
(D)
TLC251CD
TLC251ACD
TLC251BCD
塑料DIP
(P)
TLC251CP
TLC251ACP
TLC251BCP
芯片形式
(Y)
TLC251Y
0 ° C至70℃
D封装中提供卷带封装。添加后缀R键的设备类型(例如, TLC251CDR ) 。芯片
在25℃下进行测试。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年,德州仪器
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达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLC251 , TLC251A , TLC251B , TLC251Y
路LinCMOS 可编程
低功耗运算放大器
SLOS001E - 1983年7月 - 修订1994年8月
概要
VDD
7
当前
控制
IN +
3
的ESD
保护的
的ESD
保护的
8 BIAS
SELECT
IN =
2
的ESD
保护的
6
OUT
OFFSET
N1
OFFSET
N2
VDD - / GND
1
5
4
2
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TLC251 , TLC251A , TLC251B , TLC251Y
路LinCMOS 可编程
低功耗运算放大器
SLOS001E - 1983年7月 - 修订1994年8月
TLC251Y芯片信息
这些芯片的正确组装,显示特性类似于TLC251C 。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(2)
(1)
VDD
(8)
(7)
BIAS选择
IN +
IN =
OFFSET N1
(1)
(5)
(4)
VDD - / GND
(8)
(3)
(2)
(7)
+
(6)
OUT
48
偏移N2
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
(3)
(4)
(5)
(6)
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
55
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
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3
TLC251 , TLC251A , TLC251B , TLC251Y
路LinCMOS 可编程
低功耗运算放大器
SLOS001E - 1983年7月 - 修订1994年8月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至18 V
短路时(或低于) 25℃自由空气的温度持续时间(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - / GND 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大的耗散
等级不超过。
额定功耗表
D
P
TA
25°C
额定功率
725毫瓦
1000毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
640毫瓦
推荐工作条件
电源电压(VDD)
VDD = 1.4 V
VDD = 5 V
VDD = 10 V
VDD = 16 V
1.4
0
– 0.2
– 0.2
– 0.2
0
最大
16
0.2
4
9
14
70
°C
V
单位
V
共模
共模输入电压VIC
电压,
经营自由的空气温度, TA
BIAS选择电压
请参阅应用
信息
4
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TLC251 , TLC251A , TLC251B , TLC251Y
路LinCMOS 可编程
低功耗运算放大器
SLOS001E - 1983年7月 - 修订1994年8月
高偏压模式
在指定的自由空气的温度的电特性
TLC251C , TLC251AC , TLC251BC
参数
TEST
条件
TA
25°C
VO = 1 4 V
1.4 V,
VIC = 0 V ,
,
RS = 50
,
RL = 10 kΩ的
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25℃
70°C
VO = VDD / 2 ,
,
VIC = VDD / 2
VO = VDD / 2 ,
,
VIC = VDD / 2
25°C
70°C
25°C
70°C
25°C
VICR
共模输入电压
g
范围(见注5 )
全系列
25°C
VOH
高电平输出电压
VID = 100 mV时,
V
RL = 10 kΩ的
0°C
70°C
25°C
VOL
低电平输出电压
VID = - 100 mV时,
V
IOL = 0
0°C
70°C
25°C
AVD
L
i
升差异
TI升LT
大信号差分电压
上午lification
放大器阳离子
RL = 10 kΩ的,
k
见注6
0°C
70°C
25°C
CMRR
共模抑制比
VIC = VICRmin
0°C
70°C
25°C
kSVR
II ( SEL )
国际直拨电话
电源电压抑制比
S
l
lt
TI
ti
( ΔVDD / ΔVIO )
输入电流( BIAS SELECT )
电源电流
VDD = 5 V吨10 V
to
V,
1.4
VO = 1 4 V
VI ( SEL ) = 0
VO = VDD / 2 ,
VIC = VDD / 2 ,
立升
空载
0°C
70°C
25°C
25°C
0°C
70°C
5
4
4
65
60
60
65
60
60
– 0.2
to
4
– 0.2
to
3.5
3.2
3
3
3.8
3.8
3.8
0
0
0
23
27
20
80
84
85
95
94
96
– 1.4
675
775
575
1600
1800
1300
50
50
50
10
7.5
7.5
65
60
60
65
60
60
1.8
0.1
7
0.6
40
– 0.3
to
4.2
600
– 0.2
to
9
– 0.2
to
8.5
8
7.8
7.8
8.5
8.5
8.4
0
0
0
36
42
32
85
88
88
95
94
96
– 1.9
950
1125
750
2000
2200
1700
A
A
dB
dB
V / MV
50
50
50
mV
V
300
0.34
0.9
VDD = 5 V
典型值
最大
1.1
10
12
5
6.5
2
3
2
0.1
7
0.7
50
– 0.3
to
9.2
600
300
0.39
0.9
VDD = 10 V
典型值
最大
1.1
10
12
5
6.5
2
3
μV/°C
pA
pA
mV
单位
TLC251C
VIO
输入失调电压
TLC251AC
TLC251BC
α
VIO
IIO
IIB
平均温度系数
输入失调电压
输入偏置电流(见注4 )
输入偏置电流(见注4 )
V
V
全范围为0 ℃ 70℃ 。
注:输入偏置电流和输入偏置4.典型电流值低于5 pA的人在数学上确定的。
5.此范围也适用于每个输入单独。
6.在VDD = 5V , VO = 0.25 V至2 V ;在VDD = 10V , VO = 1 V至6 V.
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