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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第343页 > TLC2254AQDREP
TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SGLS216 - 2003年11月
D
控制基线
D
D
D
D
D
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
扩展温度性能
-40_C到125_C
提高制造业递减
源（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过150 V
（ TLC2252 / 52A ）和100 V（ TLC2254 / 54A ）
使用机型号（ C = 200 pF的， R = 0 ）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
按照JEDEC和产业组件资质
标准，以确保可靠的操作在长时间
温度范围。这包括，但不限于，高
加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，温度
循环，高压灭菌器或偏见的HAST ，电，债券
间的生活，模塑料的使用寿命。该项资格
检测不应该被看作是证明使用该组件的
超出规定的性能和环境的限制。
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
非常低的功耗。 。 。 35
A
每通道典型值
共模输入电压范围
包括负轨
低输入偏移电压
850
V
马克斯在T
A
= 25 ° C（ TLC225xA ）
包括宏
性能升级的TS27L2 / L4
和TLC27L2 / L4
描述
在TLC2252与TLC2254是双和
来自德克萨斯州四倍运算放大器
仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
只有35 TLC225x家庭消费
A
供应
目前每通道。该微操作
使他们很好的选择对于电池供电
应用程序。噪声性能已
比上一代显着提高
的CMOS放大器。看一下图1中，
TLC225x有19纳伏/ √Hz的1kHz时的噪声水平;
4倍于竞争力的微低
的解决方案。
60
Vn
VN - 等效输入噪声电压 - 纳伏/赫兹
NV //赫兹
等效输入噪声电压
vs
频率
VDD = 5 V
RS = 20
TA = 25°C
50
40
30
20
10
该TLC225x放大器，具有高输入
阻抗和低噪声，非常适合
为高阻抗的小信号调理
0
101
10 2
10 3
10 4
源，例如压电换能器。
的F - 频率 - 赫兹
由于微功耗水平，
这些设备在手持式监测工作良好
图1
和遥感应用。此外，该
与单个或分轨到轨输出功能
供应使得这个家庭的最佳选择，与模拟 - 数字转换器（ADC ）接口。为
精密应用， TLC225xA家庭提供了850的最大输入失调电压
V.
这
家庭充分的特点，在5 V和
±
5 V.
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SGLS216 - 2003年11月
TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
描述/订购信息（续）
在TLC2252 / 4也使得大升级，在标准设计的TLC27L2 / L4或TS27L2 / L4 。他们提供
增加的输出动态范围，低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集
使他们能够在更宽范围的应用中使用。对于要求更高的输出驱动器的应用程序和
较宽的输入电压范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果设计需要一个放大器，
请参阅TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23单轨至轨运算放大器
封装。其小尺寸和低功耗，使它们非常适用于高密度，电池供电
设备。
订购信息
TA
VIO MAX
在25℃下
850
V
-40_C到125_C
1550
V
850
V
1550
V
SOIC （ D）
SOIC （ D）
SOIC （ D）
SOIC （ D）
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
TLC2252AQDREP
TLC2252QDREP
TLC2254AQDREP
TLC2254QDREP
TOP- SIDE
记号
2252AE
2252EP
TLC2254AEP
TLC2254EP
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指引可
在www.ti.com/sc/package 。
TLC2252 ， TLC2252A
包
（ TOP VIEW ）
TLC2254 ， TLC2254A
包
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SGLS216 - 2003年11月
等效电路图（每个放大器）
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
R6
C1
OUT
IN =
Q1
Q4
R5
Q13
Q15
Q17
D1
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD - / GND
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
TLC2252
38
30
9
TLC2254
76
56
18
电容器
3
6
包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SGLS216 - 2003年11月
TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD +
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
16 V
输入电压V
I
（任何输入，见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
8 V
输入电流I
I
（每一个输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内，T
A
：Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流流过，当输入被带到低于VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
包
D8
D14
TA
≤
25°C
25 C
额定功率
724毫瓦
950毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
TA = 70℃
70 C
额定功率
464毫瓦
608毫瓦
TA = 85°C
85 C
额定功率
377毫瓦
450毫瓦
TA = 125°C
125 C
额定功率
144毫瓦
190毫瓦
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
±
输入电压范围， VI
共模输入电压，维多利亚
经营自由的空气温度， TA
参考2.5 V
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
单位
V
V
V
°C
4
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TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SGLS216 - 2003年11月
在指定的自由空气的温度，V电气特性
DD
= 5V （除非另有说明）
参数
VIO
α
VIO
输入失调电压
温度COEF网络cient
输入偏移电压的
输入失调电压
长期漂移
（见注4 ）
IIO
IIB
输入失调电流
输入偏置电流
VDD
±
=
±
2.5 V,
VO = 0，
VIC = 0，
RS = 50
测试条件
TA
25°C
全系列
25°C
至125℃
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
VICR
共模输入
电压范围
RS = 50
,
|V
IO
| ≤
5毫伏
全系列
IOH = - 20
A
VOH
高电平的输出
电压
IOH = - 75
A
IOH = - 150
A
VIC = 2.5 V ，
VOL
低电平输出
电压
VIC = 2.5 V ，
VIC = 2.5 V ，
大信号差
电压放大
差分输入
阻力
共模输入
阻力
共模输入
电容
闭环输出
阻抗
共模
抑制比
电源电压
抑制比
（ ΔVDD / ΔVIO ）
电源电流
F = 10 kHz时，
F = 25 kHz时，
VIC = 0 2.7 V ，
RS = 50
F = 10 kHz时，
AV = 10
VO = 2.5 V ，
VIC = 2.5 V ，
VO = 1 V至24 V
IOL = 50
A
IOL = 500
A
IOL = 4
mA
RL = 100 kΩ的
RL = 1 MΩ
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
70
70
80
80
70
125
150
95
100
10
1700
1012
1012
8
200
83
70
70
80
80
70
125
150
A
95
dB
350
0.8
4.9
4.8
4.8
4.88
0.01
0.09
0.15
0.15
1
1.2
100
10
1700
1012
1012
8
200
83
pF
dB
350
V / MV
0.7
0
to
4
0
to
3.5
4.98
4.94
4.9
4.8
4.8
4.88
0.01
0.09
0.15
0.15
1
1.2
V
0.3
to
4.2
1
0.5
TLC2252-EP
民
典型值
200
最大
1500
1750
0.5
TLC2252A-EP
民
典型值
200
最大
850
1000
单位
V
μV/°C
μV /月
60
1000
1
0
to
4
0
to
3.5
4.98
4.94
V
0.3
to
4.2
60
1000
0.003
0.5
60
1000
60
1000
0.003
0.5
pA
pA
V
AVD
RID
RIC
CIC
zo
CMRR
kSVR
国际直拨电话
VDD = 4.4 V至16 V ，
VIC = VDD / 2 ，
空载
VO = 2.5 V ，
空载
全范围为-40° C至125°C的Q后缀。
参考2.5 V
注4 ：典型值是基于通过500小时的工作寿命试验在TA = 150℃下观察到的所述输入偏移电压偏移推断
以使用Arrhenius方程，并假设为0.96电子伏特的激活能，TA = 25 ℃。
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5
TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SGLS216 - 2003年11月
D
控制基线
D
D
D
D
D
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
扩展温度性能
-40_C到125_C
提高制造业递减
源（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过150 V
（ TLC2252 / 52A ）和100 V（ TLC2254 / 54A ）
使用机型号（ C = 200 pF的， R = 0 ）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
按照JEDEC和产业组件资质
标准，以确保可靠的操作在长时间
温度范围。这包括，但不限于，高
加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，温度
循环，高压灭菌器或偏见的HAST ，电，债券
间的生活，模塑料的使用寿命。该项资格
检测不应该被看作是证明使用该组件的
超出规定的性能和环境的限制。
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
充分说明了这两种单电源和
拆分电源供电
非常低的功耗。 。 。 35
A
每通道典型值
共模输入电压范围
包括负轨
低输入偏移电压
850
V
马克斯在T
A
= 25 ° C（ TLC225xA ）
包括宏
性能升级的TS27L2 / L4
和TLC27L2 / L4
描述
在TLC2252与TLC2254是双和
来自德克萨斯州四倍运算放大器
仪器。两款器件具有轨至轨
增加动态范围输出性能
在单或分离电源应用。该
只有35 TLC225x家庭消费
A
供应
目前每通道。该微操作
使他们很好的选择对于电池供电
应用程序。噪声性能已
比上一代显着提高
的CMOS放大器。看一下图1中，
TLC225x有19纳伏/ √Hz的1kHz时的噪声水平;
4倍于竞争力的微低
的解决方案。
60
Vn
VN - 等效输入噪声电压 - 纳伏/赫兹
NV //赫兹
等效输入噪声电压
vs
频率
VDD = 5 V
RS = 20
TA = 25°C
50
40
30
20
10
该TLC225x放大器，具有高输入
阻抗和低噪声，非常适合
为高阻抗的小信号调理
0
101
10 2
10 3
10 4
源，例如压电换能器。
的F - 频率 - 赫兹
由于微功耗水平，
这些设备在手持式监测工作良好
图1
和遥感应用。此外，该
与单个或分轨到轨输出功能
供应使得这个家庭的最佳选择，与模拟 - 数字转换器（ADC ）接口。为
精密应用， TLC225xA家庭提供了850的最大输入失调电压
V.
这
家庭充分的特点，在5 V和
±
5 V.
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SGLS216 - 2003年11月
TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
描述/订购信息（续）
在TLC2252 / 4也使得大升级，在标准设计的TLC27L2 / L4或TS27L2 / L4 。他们提供
增加的输出动态范围，低噪声电压和较低的输入偏移电压。这种增强的功能集
使他们能够在更宽范围的应用中使用。对于要求更高的输出驱动器的应用程序和
较宽的输入电压范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果设计需要一个放大器，
请参阅TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23单轨至轨运算放大器
封装。其小尺寸和低功耗，使它们非常适用于高密度，电池供电
设备。
订购信息
TA
VIO MAX
在25℃下
850
V
-40_C到125_C
1550
V
850
V
1550
V
SOIC （ D）
SOIC （ D）
SOIC （ D）
SOIC （ D）
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
订购
产品型号
TLC2252AQDREP
TLC2252QDREP
TLC2254AQDREP
TLC2254QDREP
TOP- SIDE
记号
2252AE
2252EP
TLC2254AEP
TLC2254EP
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指引可
在www.ti.com/sc/package 。
TLC2252 ， TLC2252A
包
（ TOP VIEW ）
TLC2254 ， TLC2254A
包
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SGLS216 - 2003年11月
等效电路图（每个放大器）
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
IN +
R6
C1
OUT
IN =
Q1
Q4
R5
Q13
Q15
Q17
D1
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
R2
VDD - / GND
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
TLC2252
38
30
9
TLC2254
76
56
18
电容器
3
6
包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SGLS216 - 2003年11月
TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD +
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -8 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
16 V
输入电压V
I
（任何输入，见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
8 V
输入电流I
I
（每一个输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内，T
A
：Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流流过，当输入被带到低于VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
包
D8
D14
TA
≤
25°C
25 C
额定功率
724毫瓦
950毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
TA = 70℃
70 C
额定功率
464毫瓦
608毫瓦
TA = 85°C
85 C
额定功率
377毫瓦
450毫瓦
TA = 125°C
125 C
额定功率
144毫瓦
190毫瓦
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
±
输入电压范围， VI
共模输入电压，维多利亚
经营自由的空气温度， TA
参考2.5 V
±
2.2
VDD }
VDD }
40
最大
±
8
VDD + - 1.5
VDD + - 1.5
125
单位
V
V
V
°C
4
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TLC225x EP ， EP TLC225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SGLS216 - 2003年11月
在指定的自由空气的温度，V电气特性
DD
= 5V （除非另有说明）
参数
VIO
α
VIO
输入失调电压
温度COEF网络cient
输入偏移电压的
输入失调电压
长期漂移
（见注4 ）
IIO
IIB
输入失调电流
输入偏置电流
VDD
±
=
±
2.5 V,
VO = 0，
VIC = 0，
RS = 50
测试条件
TA
25°C
全系列
25°C
至125℃
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
VICR
共模输入
电压范围
RS = 50
,
|V
IO
| ≤
5毫伏
全系列
IOH = - 20
A
VOH
高电平的输出
电压
IOH = - 75
A
IOH = - 150
A
VIC = 2.5 V ，
VOL
低电平输出
电压
VIC = 2.5 V ，
VIC = 2.5 V ，
大信号差
电压放大
差分输入
阻力
共模输入
阻力
共模输入
电容
闭环输出
阻抗
共模
抑制比
电源电压
抑制比
（ ΔVDD / ΔVIO ）
电源电流
F = 10 kHz时，
F = 25 kHz时，
VIC = 0 2.7 V ，
RS = 50
F = 10 kHz时，
AV = 10
VO = 2.5 V ，
VIC = 2.5 V ，
VO = 1 V至24 V
IOL = 50
A
IOL = 500
A
IOL = 4
mA
RL = 100 kΩ的
RL = 1 MΩ
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
70
70
80
80
70
125
150
95
100
10
1700
1012
1012
8
200
83
70
70
80
80
70
125
150
A
95
dB
350
0.8
4.9
4.8
4.8
4.88
0.01
0.09
0.15
0.15
1
1.2
100
10
1700
1012
1012
8
200
83
pF
dB
350
V / MV
0.7
0
to
4
0
to
3.5
4.98
4.94
4.9
4.8
4.8
4.88
0.01
0.09
0.15
0.15
1
1.2
V
0.3
to
4.2
1
0.5
TLC2252-EP
民
典型值
200
最大
1500
1750
0.5
TLC2252A-EP
民
典型值
200
最大
850
1000
单位
V
μV/°C
μV /月
60
1000
1
0
to
4
0
to
3.5
4.98
4.94
V
0.3
to
4.2
60
1000
0.003
0.5
60
1000
60
1000
0.003
0.5
pA
pA
V
AVD
RID
RIC
CIC
zo
CMRR
kSVR
国际直拨电话
VDD = 4.4 V至16 V ，
VIC = VDD / 2 ，
空载
VO = 2.5 V ，
空载
全范围为-40° C至125°C的Q后缀。
参考2.5 V
注4 ：典型值是基于通过500小时的工作寿命试验在TA = 150℃下观察到的所述输入偏移电压偏移推断
以使用Arrhenius方程，并假设为0.96电子伏特的激活能，TA = 25 ℃。
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