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TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
D
D
D
直接升级为TL06x低功耗
BiFETs
低功耗。 。 。
6.5毫瓦/通道典型值
片偏移电压的微调
改进的DC性能
( 1.5毫伏, TL031A )
D
D
较高的压摆率和带宽没有
功耗增加
提供TSSOP小外形
设计
描述
该TL03x系列JFET输入运算放大器可提供超过TL06x改进的DC和AC特点
系列低功耗的BiFET运算放大器。片上的偏移电压的齐纳修整得到精度
等级低至1.5毫伏( TL031A )的直流耦合应用更高的精度。德州仪器(TI)
改进的BiFET工艺和优化的设计也得到改善带宽和压摆率不
增加的功率消耗。该TL03x器件的引脚兼容TL06x ,可用于
升级现有的电路或用于新设计的最佳性能。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管没有固有的高输入阻抗
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这种较高的输入阻抗,使TL3x
放大器更适合于具有高阻抗传感器或非常低级别的交流信号的接口。这些设备
还配备了比有可比性功率双极或CMOS器件固有更好的交流响应
消费。
该TL03x系列进行了优化微操作,同时提高了对的性能
TL06x系列。需要显著更快响应的交流应该考虑神剑 TLE206x设计师
系列低功耗的BiFET运算放大器。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的,并且负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。德州仪器
TLE2426一体化经营,从单电源放大器的BiFET时,虚拟接地发生器是很有用的。
该TL03x设备在完全指定
±15
V和
±5
五,适用于低电压和/或单电源供电
系统,运算放大器( TLC前缀)的TI路LinCMOS家庭推荐。当移动
BIFET到CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率,带宽需求和输出
装载。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围为-55 ° C至125°C 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
神剑是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
TL031x , TL031Ax
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TL032x , TL032Ax
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TL034x , TL034Ax
D, J,N ,或PW包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC–
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN–
2IN+
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN–
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN–
4IN+
V
CC–
3IN+
3IN–
3OUT
TL031M , TL031AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TL032M , TL032AM
FK包装
( TOP VIEW )
TL034M , TL034AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
IN-
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC+
NC
OUT
NC
NC
1IN–
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN–
NC
1IN+
NC
V
CC+
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN–
1OUT
NC
4OUT
4IN–
4IN+
NC
V
CC–
NC
3IN+
2IN–
2OUT
NC
3OUT
3IN–
NC - 无内部连接
V
CC–
NC
偏移N2
NC
2
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NC
VCC-
NC
2IN+
NC
NC
达拉斯,德克萨斯州75265
TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
概要
(D)
TL031ACD
TL032ACD
TL031CD
TL032CD
TL034ACD
TL034CD
TL031AID
TL032AID
TL031ID
TL032ID
TL034AID
TL034ID
TL031AMD
TL032AMD
TL031MD
TL032MD
TL034AMD
TL034MD
芯片
支架
( FK )
陶瓷的
DIP
(J)
陶瓷的
DIP
( JG )
塑料
DIP
(N)
塑料
DIP
(P)
TL031ACP
TL032ACP
TL031CP
TL032CP
TL031AIP
TL032AIP
TL031IP
TL032IP
TL031AMP
TL032AMP
TL031MP
TL032MP
TSSOP
( PW )
0.8毫伏
0 ° C至70℃
1.5毫伏
4毫伏
0.8毫伏
TL034ACN
TL034CN
TL034CPW
-40 ° C至85°C
1.5毫伏
4毫伏
0.8毫伏
TL031AMFK
TL032AMFK
TL031MFK
TL032MFK
TL034AMFK
TL034MFK
TL031AMJG
TL032AMJG
TL031MJG
TL032MJG
TL034AIN
TL034IN
-55 ° C至125°C
1.5毫伏
4毫伏
TL034AMJ
TL034MJ
TL034AMN
TL034MN
在D和PW包提供卷带封装,并通过增加的R后缀的设备类型(例如, TL034CDR或TL034CPWR )表示。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
符号(每个放大器)
IN-
IN +
+
OUT
等效电路图(每个放大器)
VCC +
Q5
Q2
Q14
D1
Q3
R4
IN +
IN-
JF1
JF2
R3
R6
C1
Q1
见注胶印机N1
偏移N2
R1
R2
Q4
Q9
Q12
JF3
JF4
Q15
Q6
Q8 Q10
Q11
OUT
R7
Q17
R8
Q7
R5
Q13
VCC-
Q16
注一: OFFSET N1和N2 OFFSET可仅在TL031 , TL031A 。
4
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达拉斯,德克萨斯州75265
TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压(见注1 ) : V
CC+
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V
V
CC–
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –18 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±30
V
输入电压V
I
(任何输入) (见注1和3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±15
V
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±1
mA
输出电流,I
O
(每个输出) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±40
mA
总电流为V
CC+
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
总电流输出的V
CC–
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ℃(见注4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85°C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
焊接温度1,6毫米(1/ 16寸)的情况下10秒:D ,N,P ,或PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1,6毫米(1/ 16寸)的情况下60秒: J或JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
外壳温度60秒: FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VCC +和VCC-之间的中点。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ,以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
FK
J
JG
TA
25°C
额定功率
1375毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
880毫瓦
880毫瓦
672毫瓦
TA = 85°C
额定功率
715毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
TA = 125°C
额定功率
275毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
推荐工作条件
后缀
VCC-
维克
TA
电源电压
共模
共模输入电压
工作自由空气的温度
VCC ± =
±5
V
VCC ± =
±15
V
±5
–1.5
–11.5
0
最大
±15
4
14
70
我的后缀
±5
–1.5
–11.5
–40
最大
±15
4
14
85
M后缀
±5
–1.5
–11.5
–55
最大
±15
4
14
125
单位
V
V
°C
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5
TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
D
直接升级为TL06x低功耗
D
D
BiFETs
低功耗。 。 。
6.5毫瓦/通道典型值
片偏移电压的微调
改进的DC性能
( 1.5毫伏, TL031A )
D
较高的压摆率和带宽没有
D
功耗增加
提供TSSOP小外形
设计
描述
该TL03x系列JFET输入运算放大器可提供超过TL06x改进的DC和AC特点
系列低功耗的BiFET运算放大器。片上的偏移电压的齐纳修整得到精度
等级低至1.5毫伏( TL031A )的直流耦合应用更高的精度。德州仪器(TI)
改进的BiFET工艺和优化的设计也得到改善带宽和压摆率不
增加的功率消耗。该TL03x器件的引脚兼容TL06x ,可用于
升级现有的电路或用于新设计的最佳性能。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管没有固有的高输入阻抗
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这种较高的输入阻抗,使TL3x
放大器更适合于具有高阻抗传感器或非常低级别的交流信号的接口。这些设备
还配备了比有可比性功率双极或CMOS器件固有更好的交流响应
消费。
该TL03x系列进行了优化微操作,同时提高了对的性能
TL06x系列。需要显著更快响应的交流应该考虑神剑 TLE206x设计师
系列低功耗的BiFET运算放大器。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的,并且负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。德州仪器
TLE2426一体化经营,从单电源放大器的BiFET时,虚拟接地发生器是很有用的。
该TL03x设备在完全指定
±15
V和
±5
五,适用于低电压和/或单电源供电
系统,运算放大器( TLC前缀)的TI路LinCMOS家庭推荐。当移动
BIFET到CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率,带宽需求和输出
装载。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。后缀为M的器件的特点是工作在整个军用
温度范围为-55 ° C至125°C 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
神剑是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年,德州仪器
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1
TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
TL031x , TL031Ax
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TL032x , TL032Ax
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TL034x , TL034Ax
D, J,N ,或PW包装
( TOP VIEW )
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
1OUT
1IN
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
V
CC
3IN+
3IN
3OUT
TL031M , TL031AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TL032M , TL032AM
FK包装
( TOP VIEW )
TL034M , TL034AM
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
IN-
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC+
NC
OUT
NC
NC
1IN
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN
NC
1IN+
NC
V
CC+
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN
1OUT
NC
4OUT
4IN
4IN+
NC
V
CC
NC
3IN+
2IN
2OUT
NC
3OUT
3IN
NC - 无内部连接
V
CC
NC
偏移N2
NC
2
邮政信箱655303
NC
VCC-
NC
2IN+
NC
NC
达拉斯,德克萨斯州75265
TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
可选项
包装设备
T
A
V
IO
最大
在25℃下
概要
(D)
TL031ACD
TL032ACD
TL031CD
TL032CD
TL034ACD
TL034CD
TL031AID
TL032AID
TL031ID
TL032ID
TL034AID
TL034ID
TL031AMD
TL032AMD
TL031MD
TL032MD
TL034AMD
TL034MD
芯片
支架
( FK )
陶瓷的
DIP
(J)
陶瓷的
DIP
( JG )
塑料
DIP
(N)
塑料
DIP
(P)
TL031ACP
TL032ACP
TL031CP
TL032CP
TL031AIP
TL032AIP
TL031IP
TL032IP
TL031AMP
TL032AMP
TL031MP
TL032MP
TSSOP
( PW )
0.8毫伏
0 ° C至70℃
1.5毫伏
4毫伏
0.8毫伏
TL034ACN
TL034CN
TL034CPW
-40 ° C至85°C
1.5毫伏
4毫伏
0.8毫伏
TL031AMFK
TL032AMFK
TL031MFK
TL032MFK
TL034AMFK
TL034MFK
TL031AMJG
TL032AMJG
TL031MJG
TL032MJG
TL034AIN
TL034IN
-55 ° C至125°C
1.5毫伏
4毫伏
TL034AMJ
TL034MJ
TL034AMN
TL034MN
在D和PW包提供卷带封装,并通过增加的R后缀的设备类型(例如, TL034CDR或TL034CPWR )表示。
邮政信箱655303
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TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
符号(每个放大器)
IN-
IN +
+
OUT
等效电路图(每个放大器)
V
CC+
Q5
Q2
Q14
D1
Q3
R4
IN +
IN-
JF1
JF2
R3
R6
C1
Q1
见注胶印机N1
偏移N2
R1
R2
Q4
Q9
Q12
JF3
JF4
Q15
Q6
Q8 Q10
Q11
OUT
R7
Q17
R8
Q7
R5
Q13
V
CC
Q16
注一: OFFSET N1和N2 OFFSET可仅在TL031 , TL031A 。
4
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达拉斯,德克萨斯州75265
TL03x , TL03xA
增强型JFET低功耗低偏移
运算放大器
SLOS180C - 1997年2月 - 修订2001年12月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压(见注1 ) : V
CC+
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±30
V
输入电压V
I
(任何输入) (见注1和3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±15
V
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±1
mA
输出电流,I
O
(每个输出) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±40
mA
总电流为V
CC+
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
总电流输出的V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ℃(见注4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注5 ) :D封装( 8针) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
,D封装( 14引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85°C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
焊接温度1,6毫米(1/ 16寸)的情况下10秒:D ,N,P ,或PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1,6毫米(1/ 16寸)的情况下60秒: J或JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
外壳温度60秒: FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于V之间的中点
CC+
和V
CC
.
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.输入电压的大小不得超过电源电压或15 V ,以较低者为准的幅度。
4.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
FK
J
JG
T
A
25°C
额定功率
1375毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
T
A
= 70°C
额定功率
880毫瓦
880毫瓦
672毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
715毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
T
A
= 125°C
额定功率
275毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
推荐工作条件
后缀
V
CC±
V
IC
T
A
电源电压
共模
共模输入电压
工作自由空气的温度
V
CC±
=
±5
V
V
CC±
=
±15
V
±5
1.5
11.5
0
最大
±15
4
14
70
我的后缀
±5
1.5
11.5
40
最大
±15
4
14
85
M后缀
±5
1.5
11.5
55
最大
±15
4
14
125
V
°C
单位
V
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